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查看全部 500 份 →单晶硅各向异性腐蚀的微观动态模拟
根据单晶硅各向异性腐蚀的特点，以晶格内部原子键密度为主要因素，温度、腐蚀液浓度等环境因素为校正因子，建立了一个新颖的硅各向异性腐蚀的计算机模拟模型。在+,--开发环境下利用./0123 技术，
2024-01-26
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