微波器件

共 98 篇文章
微波器件 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 98 篇文章,持续更新中。

用于高性能显示接口评估板的10位接口电路板

<div> 10位显示接口板(DIB)的作用是协助评估AD9981或AD9980。它与评估板一起用来评估这些器件,属于评估板套件的一部分。它是一种导管,可在任何平板显示器、CRT、LCD(或DLP)投影仪或TFT平板(带LVDS接口)上显示<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-121109144049B1.jpg

CoolMos的原理、结构及制造

对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。<br /> 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区

世界最新晶体管代换手册

<P>世界最新晶体管代换手册</P> <P><FONT color=#222222><IMG src="http://dl.eeworm.com/ele/img/200871817151911042.jpg" border=0></FONT></P> <P><FONT color=#222222>一、半导体器件型号命名法<BR>二、手册中使用的缩略语<BR>三、晶体管参数符号及其说明<BR>四、晶

Construction Strategy of ESD P

Construction Strategy of ESD Protection Circuit<BR>Abstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept<BR>ions of ESD protection design are presented.<BR>Key wo

非理想运放构建的低通滤波电路优化设计

<span id="LbZY">分析了基于理想运算放大器构建的滤波器性能以及参数选原则。针对理想运算放大器所构建的滤波器模型当运算放大器为非理想器件时所制造出的滤波器响应性能并不理想这一问题。研究了非理想运算放大器构建的滤波器器件参数对响应时间的影响,提出了一种选取其最优参数值以构建所需滤波器的方法,实验结果表明了该方法的有效性。<br /> <img alt="" src="http://dl.

ST微控制器振荡器电路设计指南

<p> 本应用指南介绍了Pierce振荡器的基本知识,并提供一些指导作法来帮助用户如何规划一个好的振荡器设计,如何确定不同的外部器件的具体参数以及如何为振荡器设计一个良好的印刷电路板。</p> <p> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-1201131A3151F.jpg" /></p>

很全的电子元器件基础知识讲义

常用电子元器件的基本知识归纳!适合初学者使用借鉴!

模拟电子基础器件动画模拟视频教程1

用动画的方式进行模拟,介绍模电里的基础性原理,像PN节 二极管 三极管 CMOS

飞行模拟器可扩展数字量输出系统的设计与实现

<span id="LbZY">控制某型飞机模拟座舱中的Led、继电器、小电流元件,满足易于扩充规模的工程需求,采用充分利用元器件特性的方法,使用一种可扩展数字量输出系统建立开出通道,在电路层预留扩充接口,实现座舱灯光信号、电路状态切换、外部设备数控的功能。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-1306251G941

压控振荡电路的设计

<p> 能实现VCO 功能的电路很多,常用的有分立器件构成的振荡器和集成压控振荡器。如串联谐振电容三点式电路、压控晶体振荡器,积分-施密特电路、射级耦合多谐振荡器、变容二极管调谐LC 振荡器和数字门电路等几种。它们之间各有优缺点,下面做简要分析,并选择最合适的方案。</p> <p> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111

CMOS器件抗静电措施的研究

<p> <span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效,对整机应用的可靠性影响太大,因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理,从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电,以保护CM

ADC噪声系数_一个经常被误解的参数

<p> &nbsp;</p> <div> 噪声系数(NF)是RF系统设计师常用的一个参数,它用于表征RF放大器、混频器等器件的噪声,并且被广泛用作无线电接收机设计的一个工具。许多优秀的通信和接收机设计教材都对噪声系数进行了详细的说明(例如参考文献1),本文重点讨论该参数在数据转换器中的应用。

ESD电热模拟分析

静电放电(ESD)是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此,电子产品中必须加上ESD保护,提供ESD电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ESD保护电路,使ESD保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ESD引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ESD模拟的软件,并对一些相关模拟结果进行了分析比较。<br /> <br />

5-12GHz新型复合管宽带功率放大器设计

<p> 采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5~12 GHz频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳定,带宽得到有效扩展,最高增益达到11 dB,带内波动&lt;0.5 dB,在9 GHz工作频率时,其1 dB压缩点处的输出功率为26 dBm。</p> <p> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12

波形及序列信号发生器设计

设计由555、移位寄存器、D/A转换器、PLD等器件构成的多路序列信号输出和阶梯波输出的发生器电路,重点学习555、D/A转换器及可编程逻辑器件的原理及应用方法。用Proteus软件仿真;实验测试技术指标及功能、绘制信号波形。

超高频窄带单级低噪声放大器的设计

<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.99431800842285px;">文中介绍了一款超高频窄带低噪声放大器电路,该电路结构小巧(20 mm &times;13 mm ,厚度为0.6 mm),功能

BJT与MOSFET的开关应用

<p>   本文是关于电路中的 BJT 与 MOSFET开关应用的讨论。</p> <p>   前段时间,一同学跟我说,他用单片机做了一个简单的 LED 台灯,用 PWM的方式控制灯的亮度,但是发现 BJT 总是很烫。他给我的电路图如图一,我问他3V 时 LED 的发光电流是多大,他说大概十几到二十 mA,我又问他电阻多大,他说 10K&Omega;。于是我笑笑说你把电阻小一点就好了。他回去一试

MEMS传感器的静止带宽测试

<div> 对于采用MEMS加速度计和陀螺仪的工业系统而言,优化带宽可能是关键考虑因素。这代表着精度(噪声)与响应时间之间的一种经典权衡。虽然多数MEMS传感器制造商都会给出典型带宽指标,往往还需要验证传感器或整个系统的实际带宽。在确定加速度计和陀螺仪的带宽特性时,一般需要使用振动台或其他机械激励源。要精确确定特性,需要全面了解应用于受测器件(DUT)的运动。在此过程中需要管理多种潜在误差源。在

p-n结的隧道击穿模型研究

在理论模型的基础上探讨了电子势垒的形状以及势垒形状随外加电压的变化, 并进行定量计算, 得出隧穿电压随杂质掺杂浓度的变化规律。所得结论与硅、锗p-n 结实验数据相吻合, 证明了所建立的理论模型在定量<br /> 研究p-n 结的隧道击穿中的合理性与实用性。该理论模型对研究一般材料或器件的隧道击穿具有重要的借鉴意义。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.c

电子元器件的封装尺寸

元器件封装