引起
共 16 篇文章
引起 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 16 篇文章，持续更新中。
反激变换器的变压器学习
<p>
对反激变压器漏感的一些认识_漏感与气隙的大小关系不大。耦合系数随着气隙的增大而下降。气隙增大会引起效率降低是因为Ipk的增大，漏感能量增大。气隙增大会引起绕组损耗增大是因为气隙扩散损耗的增大。</p>
<p>
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111230151011N7.jpg" style="width: 17
时钟分相技术应用
<p>
摘要: 介绍了时钟分相技术并讨论了时钟分相技术在高速数字电路设计中的作用。<br />
关键词: 时钟分相技术; 应用<br />
中图分类号: TN 79 文献标识码:A 文章编号: 025820934 (2000) 0620437203<br />
时钟是高速数字电路设计的关键技术之一, 系统时钟的性能好坏, 直接影响了整个电路的<br />
性能。尤其现代电子系统对性
电子学名词介绍
电子学名词<BR>1、 电阻率---又叫电阻系数或叫比电阻。是衡量物质导电性能好坏的一个物理量，以字母ρ表示，单位为欧姆*毫米平方/米。在数值上等于用那种物质做的长1米截面积为1平方毫米的导线，在温度20C时的电阻值，电阻率越大，导电性能越低。则物质的电阻率随温度而变化的物理量，其数值等于温度每升高1C时，电阻率的增加与原来的电阻电阻率的比值，通常以字母α表示，单位为1/C。<BR>2、 电阻的温
高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
低噪声放大器(LNA)
LNA的功能和指标<BR>二端口网络的噪声系数<BR>Bipolar LNA<BR>MOS LNA<BR>非准静态(NQS)模型和栅极感应噪声<BR>CMOS最小噪声系数和最佳噪声匹配<BR>参考文献<BR>LNA 的功能和指标<BR>• 第一级有源电路，其噪声、非线性、匹配等性<BR>能对整个接收机至关重要<BR>• 主要指标<BR>– 噪声系数(NF)<BR>取决于系统
窄带带通滤波器设计实例
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">为了解决声表面波滤波器插损太大，造成有用信号衰减严重，弥补插损又会引起底部噪声抬高的问题。该文设计了一种用LC集总元件实现的窄带带通滤波器，其特点是插入
555电路频率漂移案例
555振荡电路的原理主要是通过对电容C（如下图）的充放电使其在1/3Vcc与2/3Vcc之间振荡从而引起内部触发器输出的变化产生输出频率
非均匀采样的频谱研究
非均匀采样的一个很大的优点就是它具有抗频率混叠的性能[ ]，首先从均匀采样讨论由采样而引起的频谱混叠现象，在均匀采样和非均匀采样的频谱图对比中讨论两种采样方式引起的不同的频谱混叠现象，从对比中分析非均匀采样方式的优势。从最简单的非均匀采样方法逐步深入到完全随机的非均匀采样方法，研究由于采样方法的改变对数字信号频谱的影响。最后可以看到非均匀采样的方法可以将混叠信号的频谱降低到完全不影响对真实信号的检
ESD电热模拟分析
静电放电（ＥＳＤ）是造成大多数电子元器件或电路系统破坏的主要因素。因此，电子产品中必须加上ＥＳＤ保护，提供ＥＳＤ电流泄放路径。电路模拟可应用于设计和优化新型ＥＳＤ保护电路，使ＥＳＤ保护器件的设计不再停留于旧的设计模式。文中讨论了器件由ＥＳＤ引起的热效应的失效机理及研究热效应所使用的模型。介绍用于ＥＳＤ模拟的软件，并对一些相关模拟结果进行了分析比较。<br />
<br />
一种具有自动纠错功能的FIR滤波器研究
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">提出了一种有效实现自动纠错功能FIR数字滤波器技术，该技术采用2种不同架构的标准滤波器通过并行操作来完成。任一滤波器软错误的发生就会引起两个滤波器输出不匹
数字容性隔离器的磁场抗扰度
<div>
数字容性隔离器的应用环境通常包括一些大型电动马达、发电机以及其他产生强电磁场的设备。暴露在这些磁场中，可引起潜在的数据损坏问题，因为电势（EMF，即这些磁场形成的电压）会干扰数据信号传输。由于存在这种潜在威胁，因此许多数字隔离器用户都要求隔离器具备高磁场抗扰度 (MFI)。许多数字隔离器技术都声称具有高 MFI，但容性隔离器却因其设计和内部结构拥有几乎无穷大的MFI。本文将对其设计进
电子设备电磁兼容仿真模型研究
<p>
针时引起电磁干技的主要因素一缝隙．本文提出了缝隙转移阻抗等效建模方法，并在文中详细论述，为快速、正确预测电于设备中电磁兼容的性能提供方法和理论依据。</p>
<p>
</p>
CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较
<div>
为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS
数字预失真(DPD)算法研发工具和验证方案
在无线通信系统全面进入3G并开始迈向 4G的过程中，使用数字预失真技术（Digital Pre-distortion，以下简称DPD）对发射机的功放进行线性化是一门关键技术。功率放大器是通信系统中影响系统性能和覆盖范围的关键部件，非线性是功放的固有特性。非线性会引起频谱增长(spectral re-growth)，从而造成邻道干扰，使带外杂散达不到协议标准规定的要求。非线性也会造成带内失真，带来系
MOTION BUILDER 使用说明书Ver.2
<p>
MOTION BUILDER Ver.2 是用于监控 KV-H20/H20S/H40S/H20G 的参数设定以及当前动作状态的软件。 在 PC 上可以设定复杂的参数，并可以在显示画面上监控正在运行的 KV-H20/H20S/H40S/H20G。<br />
关于 MOTION BUILDER Ver.2 概要、功能与使用方法的详细说明。在安装之前，请仔细阅读本手册，并充分 理解。</p
亳米波微带环行器设计模型
<div>
本文依据微波电磁场理论概述了微带铁氧体器件在毫米波频率下的工作模式, 探讨了毫米波微带铁氧体器件的电参数的设计考虑, 对从事毫米波微带铁氧体器件的研究, 提供了基本的设计模型, 以期引起进一步的探讨。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-120221164Z6141.jpg" style="width