开关稳
共 50 篇文章
开关稳 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 50 篇文章，持续更新中。
模拟cmos集成电路设计(design of analog
<P>模拟集成电路的设计与其说是一门技术，还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石，而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.<BR>美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&
带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流
不含稳幅RC正弦波电路波形仿真电路
multisim 波形仿真电路
555电路综合应用
我们知道，555电路在应用和工作方式上一般可归纳为3类。每类工作方式又有很多个不同的电路。 在实际应用中，除了单一品种的电路外，还可组合出很多不同电路，如：多个单稳、多个双稳、单稳和无稳，双稳和无稳的组合等。这样一来，电路变的更加复杂。为了便于我们分析和识别电路，更好的理解555电路，这里我们这里按555电路的结构特点进行分类和归纳，把555电路分为3大类、8种、共18个单元电路。每个电路除画出它
含稳幅RC正弦波振荡电路 multisim仿真
含稳幅RC正弦波振荡电路 multisim仿真
三极管当开关使用
三极管除了可以做交流信号的放大器外，还能做开关使用，本文主要就是介绍三级当开关使用的情况作分析，以及三极管当开关使用时候的一些简单电路的介绍。
MT-011 找出那些难以琢磨、稍纵即逝的ADC闪码和亚稳状态
数字通信系统设计关注的一个主要问题是误码率(BER)。ADC噪声对系统BER的影响可以分析得出，但前提是该噪声须为高斯噪声。遗憾的是，ADC可能存在非高斯误码，简单分析根本无法预测其对BER的贡献。在数字示波器等仪表应用中，误码率也可能造成问题，尤其是当器件工作于“单发”模式时，或者当器件尝试捕获偶尔出现的瞬变脉冲时。误码可能被误解为瞬变脉冲，从而导致错误的结果。本指南介绍
斩波稳定(自稳零)精密运算放大器
要想获得最低的失调和漂移性能，斩波稳定(自稳零)放大器可能是唯一的解决方案。最好的双极性放大器的失调电压为25 V，漂移为0.1 V/ºC。斩波放大器尽管存在一些不利影响，但可提供低于5 V的失调电压，而且不会出现明显的失调漂移，<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-130R2163GG08.jpg"
开关稳压器电路的效率特性分析
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开关稳压器使用输出级，重复切换“开”和“关”状态，与能量存贮部件（电容器和感应器）一起产生输出电压。它的调整是通过根据输出电压的反馈样本来调整切换定时来实现的。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111231152A1N8.jpg" /></p>
RC桥式振荡电路性能研究与仿真
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">针对RC桥式低频信号振荡器的性能和应用，对振荡电路的基本结构及性能指标进行探讨，分别从选频网络、稳幅环节及频率可调三个方面对电路性能进行改进，并结合仿真
应用工程师解答-零漂移运算放大器
<p>零漂移放大器可动态校正其失调电压并重整其噪声密度。自稳零型和斩波型是两种常用类型，可实现 nV 级失调电压和极低的失调电压时间/温度漂移。放大器的 1/f 噪声也视为直流误差，也可一并消除。零漂移放大器为设计师提供了很多好处：首先，温漂和 1/f 噪声在系统中始终起着干扰作用，很难以其它方式消除，其次，相对于标准的放大器，零漂移放大器具有较高的开环增益、电源抑制比和共模抑制比，另外，在相同的
多路复用器、模拟开关设计指南
多路复用器、模拟开关设计指南
高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
CMOS和TTL电路探讨
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通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指
单端10-bit SAR ADC IP核的设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">本设计通过采用分割电容阵列对DAC进行优化，在减小了D/A转换开关消耗的能量、提高速度的基础上，实现了一款采样速度为1
LC正弦波振荡电路基础知识
<P> LC 正弦波振荡电路</P>
<P> 如果将该电路作为选频网络和正反馈，再加上基本放大电路和稳幅电路就构成LC正弦波振荡电路。</P>
<P> 将电容和电感并联起来，在电容上施加一定电压后可产生零输入响应。这种响应在电容的电场和电感的磁场中交替转换便可形成正弦波振荡。</P>
<P> LC正弦波振荡电路的选频电路由电感和电容构成，可以产生高频振荡(>1MHz)。</P>
磁珠的原理及应用
<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题，还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋
LDO线性稳压器动态频率补偿电路设计
摘要：对LDO线性稳压器关键技术进行了分析，重点分析了LDO稳压器的稳定性问题，在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路，利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络，通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态，即改变开关电阻、寄生电容的值，从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比，该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。<br />
关键词：LDo；稳定性；ESR；动态频率补偿
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
MT-015 DAC基本架构II：二进制DAC
虽然串DAC和温度计DAC是迄今最为简单的DAC架构，但需要高分辨率时，它们绝不是 最有效的。二进制加权DAC每位使用一个开关，首创于1920年代(参见参考文献1、2和3)。 自此以后一直颇受欢迎，成为现代精密和高速DAC的支柱架构。