开关功率器件

共 175 篇文章
开关功率器件 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 175 篇文章,持续更新中。

工业监控和便携式仪器的6通道SAR型ADC

14 位 LTC&reg;2351-14 是一款 1.5Msps、低功率 SAR 型 ADC,具有 6 個同時采樣差分輸入通道。它采用單 3V 工作電源,並具有 6 個獨立的采樣及保持放大器 (S/HA) 和一個 ADC。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-1305221JKV46.jpg" style="width: 4

基于AD603程控增益大功率宽带直流放大器的设计

基于AD603程控增益大功率宽带直流放大器

LDO线性稳压器动态频率补偿电路设计

摘要:对LDO线性稳压器关键技术进行了分析,重点分析了LDO稳压器的稳定性问题,在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路,利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络,通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态,即改变开关电阻、寄生电容的值,从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比,该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。<br /> 关键词:LDo;稳定性;ESR;动态频率补偿

分层隔离技术文档

<div> 利用序列光耦合器建立双隔离栅会存在一些问题,因为数据完整性很差,而且没有一种紧凑和廉价的方式为两个隔离栅之间的接口提供电源。随着iCoupler&reg;等高性能数字隔离器以及isoPower&reg;器件集成电源的问世,通过分层隔离器建立高压隔离栅现在已经成为一种可行解决方案。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img

理想的电压反馈型(VFB)运算放大器

<p> &nbsp;</p> <div> 运算放大器是线性设计的基本构建模块之一。在经典模式下,运算放大器由两个输入引脚和一个输出引脚构成,其中一个输入引脚使信号反相,另一个输入引脚则保持信号的相位。运算放大器的标准符号如图1所示。其中略去了电源引脚,该引脚显然是器件工作的必需引脚。

同步多个1 GSPS直接数字频率合成器AD9910

多个DDS器件同步后,就可以在多个频率载波实现相位和幅度的精确数字调谐控制。这种控制在雷达应用和用于边带抑制的正交(I/Q)上变频中很有用。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-130201155531143.jpg" style="width: 399px; height: 398px; " /><br />

高等模拟集成电路

近年来,随着集成电路工艺技术的进步,电子系统的构成发生了两个重要的变化: 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心,一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上(称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用,并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模,而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点,因而大多数复杂系统以数

MT-015 DAC基本架构II:二进制DAC

虽然串DAC和温度计DAC是迄今最为简单的DAC架构,但需要高分辨率时,它们绝不是 最有效的。二进制加权DAC每位使用一个开关,首创于1920年代(参见参考文献1、2和3)。 自此以后一直颇受欢迎,成为现代精密和高速DAC的支柱架构。

用于高性能显示接口评估板的10位接口电路板

<div> 10位显示接口板(DIB)的作用是协助评估AD9981或AD9980。它与评估板一起用来评估这些器件,属于评估板套件的一部分。它是一种导管,可在任何平板显示器、CRT、LCD(或DLP)投影仪或TFT平板(带LVDS接口)上显示<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-121109144049B1.jpg

CoolMos的原理、结构及制造

对于常规VDMOS器件结构, Rdson与BV存在矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,Rdson增大。所以对于普通VDMOS,两者矛盾不可调和。<br /> 但是对于COOLMOS,这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区,大大提高了BV,同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区

实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究

摘要:从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度,对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究,提出了有关参数的计算<BR>方法,并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究,所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义.

世界最新晶体管代换手册

<P>世界最新晶体管代换手册</P> <P><FONT color=#222222><IMG src="http://dl.eeworm.com/ele/img/200871817151911042.jpg" border=0></FONT></P> <P><FONT color=#222222>一、半导体器件型号命名法<BR>二、手册中使用的缩略语<BR>三、晶体管参数符号及其说明<BR>四、晶

电路分析基础pdf

<P>电路分析基础电路分析基础Fundamentals of Electric CircuitsFundamentals of Electric Circuits多媒体教学课件多媒体教学课件北京理工大学北京理工大学Beijing Institute of TechnologyBeijing Institute of Technology</P> <P>目录<BR>&#8226;第一章集总电路中电压

COOLMOS__ICE2A系列的应用研究

<div> 由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165/2,65/365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片,其优点是:用它做开关电源,无需加散热器,在通用电网即可输出20~50W 的功率;保护功能齐全;电路结构简单;能自动降低空载时的工作频率,从而降低待机状态的损耗,故在中小功率开关电源中有着广泛的应用前景。<br /> <img a

Construction Strategy of ESD P

Construction Strategy of ESD Protection Circuit<BR>Abstract: The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept<BR>ions of ESD protection design are presented.<BR>Key wo

如何选择正确的CMOS模拟开关

<div> Abstract: With the large number of analog switches on the market today, there are many performance criteria for a product designer to consider. This application note reviews the basic construct

无功功率自动补偿控制器

1) 全数字化设计,交流采样,人机界面采用大屏幕点阵图形128X64 LCD中文液晶显示器。 2) 可实时显示A、B、C各相功率因数、电压、电流、有功功率、无功功率、电压总谐波畸变率、电流总谐波畸变率、电压3、5、7、9、11、13次谐波畸变率、电流3、5、7、9、 11、13次谐波畸变率频率、频率、电容输出显示及投切状态、报警等信息。 3) 设置参数中文提示,数字输入。 4) 电容器控制方案支持

20KHZ IGBT PWM型高效大功率超声波发生器

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非理想运放构建的低通滤波电路优化设计

<span id="LbZY">分析了基于理想运算放大器构建的滤波器性能以及参数选原则。针对理想运算放大器所构建的滤波器模型当运算放大器为非理想器件时所制造出的滤波器响应性能并不理想这一问题。研究了非理想运算放大器构建的滤波器器件参数对响应时间的影响,提出了一种选取其最优参数值以构建所需滤波器的方法,实验结果表明了该方法的有效性。<br /> <img alt="" src="http://dl.

ST微控制器振荡器电路设计指南

<p> 本应用指南介绍了Pierce振荡器的基本知识,并提供一些指导作法来帮助用户如何规划一个好的振荡器设计,如何确定不同的外部器件的具体参数以及如何为振荡器设计一个良好的印刷电路板。</p> <p> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-1201131A3151F.jpg" /></p>