基于GaN器件射频功率放大电路的设计
本文主要是基于氮化锌(GaN)器件射频功率放大电路的设计,在s波段频率范围内,应用CREE公司的氮化稼(GaN)高电子迁移速率品体管(CGH40010和CGH40045)进行的宽带功率放大电路设计.主要工作有以下几个方面:首先,设计功放匹配电路。在2.7GHz~3.5GHz频带范围内,对中间级和末级...
本文主要是基于氮化锌(GaN)器件射频功率放大电路的设计,在s波段频率范围内,应用CREE公司的氮化稼(GaN)高电子迁移速率品体管(CGH40010和CGH40045)进行的宽带功率放大电路设计.主要工作有以下几个方面:首先,设计功放匹配电路。在2.7GHz~3.5GHz频带范围内,对中间级和末级...
IGBT是MOSFET和GTR的复合器件,它具有开关速度快、热稳定性好、驱动功率小和驱动电路简单的特点,又具有通态压降小、耐压高和承受电流大等优点.IGBT作为主流的功率输出器件,特别是在大功率的场合,已经被广泛的应用于各个领域。本文在介绍了1GBT结构、工作特性的基础上,针对风电变流器实验平台和岸...
在电子和自动化技术的应用中,单片机和DAC(数模转换器)是经常需要同时使用的,然而许多单片机内部并没有集成DAC,即使有些单片机内部集成了DAC,DAC的精度也往往不高,在高精度的应用中还是需要外接DAC,这样增加了成本。但是,几乎所有的单片机都提供定时器或者PWM输出功能。如果能应用单片机的PWM...
一种0~20mA电流输出典型电路,推导过程...
该文档为基于反激式电路拓扑的DCDC变换器并联输出的均流变换器设计总结文档,是一份不错的参考资料,感兴趣的可以下载看看,,,,,,,,,,,,,,,,,...