实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要:从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度,对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究,提出了有关参数的计算方法,并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究,所得出的结论对于功率MOSFE...
摘要:从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发,对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较深入分析。从实际应用的角度,对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究,提出了有关参数的计算方法,并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究,所得出的结论对于功率MOSFE...
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性,然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求,对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实用可靠的驱动电路。此外,对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而引起的电...
虚短和虚断的概念 由于运放的电压放大倍数很大,一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的,一般在 10 V~14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV,两输入端近似等电位,相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大,两输入端的电位越接近相等。 “虚短...
由于电磁兼容的迫切要求,电磁干扰(EMI)抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂,单单依靠理论知识是完全不够的,它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题,还要考虑接地、 电路与PCB板设计、电缆设计、屏蔽设计等问题[1][2]。本文通过介...
.MS Access Database方式 设计过程中的全部文件都存储在单一的数据库中,同原来的Protel99文件方式。即所有的原理图、PCB文件、网络表、材料清单等等都存在一个.ddb文件中,在资源管理器中只能看到唯一的.ddb文件。 2. Windows File System方式 在对话框底...