本模块的脉冲功率发射电路主要集成了超声传感器的前置功率放大驱动电路，它与匹配变压器相连后可直接驱动超声换能器产生超声波。通过改变MCU输出脉冲的频率，该驱动模块可以产生从20KHz～2MHz 的频率，这个频段基本涵盖了目前常见的超声波应用频段。模块的供电范围为12V～24V，工作温度为工业级－40～+85oC，输出脉冲功率可调，最高可达300w，输出阻抗为25mΩ。本模块中的超声脉冲驱动电路基本可以满足目前国内所有超声脉冲功率发射的常规应用要求。接收部分电路主要提供的对接收到的信号进行滤波放大，可根据不同的应用需要调整接收部分的滤波频带和放大倍数，它的输入噪声在输入信号频率为500kHz 的时候可低至50uV，对于接收信号特别微弱的应用场合，如超声波气体流量计和超声物位计中将有良好的表现。
上传时间： 2013-06-19
上传用户：zmy123
嵌入式PLC芯片组是一个加载了嵌入式PLC软件平台的核心芯片组，具备PLC功能和CAN，RS232/485通信功能，能够完成常规过程控制的控制模块。在其基础上，能轻松、快速地设计出PLC产品。下面就以我用嵌入式PLC芯片组开发的24点开关量PLC为例，介绍PLC的开发方法
标签： PLC
上传时间： 2013-04-24
上传用户：水中浮云
LCD 因其轻薄短小,低功耗,无辐射,平面直角显示,以及影像稳定等特点,当今应用非常广泛。CPLD(复杂可编程逻辑器件) 是一种具有丰富可编程功能引脚的可编程逻辑器件,不仅可实现常规的逻辑器件功能,还可以实现复杂而独特的时序逻辑功能。并且具有ISP (在线可编\\r\\n程) [1 ] 功能,便于进行系统设计和现场对系统进行功能修改、调试、升级。通常CPLD 芯片都有着上万次的重写次数,即用CPLD[ 2 ] 进行硬件设计,就像软件设计一样灵活、方便。而现今LCD的控制大都采用
上传时间： 2013-08-16
上传用户：zhliu007
很多网友渴望自己设计电路原理图（SCH）、电路板（PCB），同时希望从原始SCH到PCB自动布线、再到成品PCB电路板的设计周期可以缩短到1天以内！是不是不可能呢？当然不是，因为现在的EDA软件已经达到了几乎无所不能的地步！由于电子很重实践，可以说，不曾亲自设计过PCB电路板的电子工程师，几乎是不可想象的。 很多电子爱好者都有过学习PROTEL的经历，本人也是一样，摸索的学习，耐心的体会，充分的体会什么是成功之母。不希望大家把不必要的时间浪费在学习PROTEL的初期操作上，在这里做这个教程是为了给渴望快速了解和操作PROTEL的初学者们一个走捷径的机会，教程大家都可以看到，可以省走很多不必要的弯路及快速建立信心，网络的魅力之一就在于学习的效率很高。由于本人的水平很有限，所以教程做的比较浅，就是教大家：1.画画简单的原理图（SCH）2.学会创建SCH零件 2.把原理图转换成电路板（PCB） 3.对PCB进行自动布线 4.学会创建PCB零件库 5.学会一些常用的PCB高级技巧。鉴于此，如果您这方面已经是水平很高的专业人士，无需看此教程。 同时也愿这些简单的图片教程可以使大家在今后的电子电路设计之路上所向披靡。 关于教程涉及软件版本：此教程采用的样板软件是PROTEL99SE汉化版，99SE是PROTEL家族中目前最稳定的版本，功能强大。采用了*.DDB数据库格式保存文件，所有同一工程相关的SCH、PCB等文件都可以在同一*.DDB数据库中并存，非常科学，利于集体开发和文件的有效管理。还有一个优点就是自动布线引擎很强大。在双面板的前提下，可以在很短的时间内自动布通任何的超复杂线路！ 关于软件的语言：采用的是主菜单汉化版，有少量的深层对话框是英文的，重要的细节部分都在教程中作了中文注释，希望大家不要对少量的英文抱有恐惧的心理，敢于胜利是学习的一个前提。再就是不要太急于求成，有一颗平常心可以避免欲速则不达的问题。我可以向大家保证，等大家学会了自动布线，就会对设计PCB信心百倍。 5天（每天2小时），你就可以搞定PROTEL99SE的常规操作了。
上传时间： 2013-11-18
上传用户：wpwpwlxwlx
jklj
上传时间： 2013-11-18
上传用户：love1314
为了能够从同时存在常规PRI信号和复杂PRI信号并带有脉冲信号干扰或丢失的环境中正确分选出雷达信号，本文提出了一种序列差值直方图法（SDIF）与修正PRI变换法相结合的雷达信号分选方法，经过matlab仿真验证，该方法有着很好的分选效果。
上传时间： 2014-12-23
上传用户：ljd123456
电位计讯号转换器 AT-PM1-P1-DN-ADL 1．产品说明 AT系列转换器/分配器主要设计使用于一般讯号迴路中之转换与隔离；如 4~20mA、0~10V、热电偶(Type K, J, E, T)、热电阻(Rtd-Pt100Ω)、荷重元、电位计(三線式)、电阻(二線式)及交流电压/电流等讯号，机种齐全。 此款薄型设计的转换器/分配器，除了能提供两组讯号输出（输出间隔离）或24V激发电源供传送器使用外，切换式电源亦提供了安装的便利性。上方并设计了电源、输入及输出指示灯及可插拔式接线端子方便现场施工及工作状态检视。 2.产品特点 可选择带指拨开关切换，六种常规输出信号0-5V/0~10V/1~5V/2~10V/4~20mA/ 0~20mA 可自行切换。 双回路输出完全隔离，可选择不同信号。 设计了电源、输入及输出LED指示灯，方便现场工作状态检视。 规格选择表中可指定选购0.1%精度 17.55mm薄型35mm导轨安装。 依据CE国际标准规范设计。 3.技术规格 用途：信号转换及隔离 过载输入能力：电流：10×额定10秒 第二组输出：可选择 输入范围：P1：0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ P2：0 Ω ~ 2.0 KΩ / ~ 100.0 KΩ 精确度: ≦±0.2% of F.S. ≦±0.1% of F.S. 侦测电压：1.6V 输入耗损: 交流电流:≤ 0.1VA; 交流电压:≤ 0.15VA 反应时间: ≤ 250msec (10%~90% of FS) 输出波紋: ≤ ±0.1% of F.S. 满量程校正范围:≤ ±10% of F.S.，2组输出可个别调整 零点校正范围:≤ ±10% of F.S.，2组输出可个别调整 隔离:AC 2.0 KV 输出1与输出2之间 隔离抗阻：DC 500V 100MΩ 工作电源: AC 85~265V/DC 100~300V, 50/60Hz 或 AC/DC 20~56V (选购规格) 消耗功率: DC 4W, AC 6.0VA 工作溫度: 0~60 ºC 工作湿度: 20~95% RH, 无结露 温度系数: ≤ 100PPM/ ºC (0~50 ºC) 储存温度: -10~70 ºC 保护等级: IP 42 振动测试: 1~800 Hz, 3.175 g2/Hz 外观尺寸: 94.0mm x 94.0mm x 17.5mm 外壳材质: ABS防火材料，UL94V0 安装轨道: 35mm DIN導軌 (EN50022) 重量: 250g 安全规范(LVD): IEC 61010 (Installation category 3) EMC: EN 55011:2002; EN 61326:2003 EMI: EN 55011:2002; EN 61326:2003 常用规格：AT-PM1-P1-DN-ADL 电位计讯号转换器，一组输出，输入范围：0 Ω ~ 50.0 Ω / ~ 2.0 KΩ，输出一组输出4-20mA，工作电源AC/DC20-56V
上传时间： 2013-11-05
上传用户：feitian920
介绍了一种新型线性自动跟踪工频陷波器的电路结构。该陷波器应用于电子束曝光机束流测量电路中，用来抑制工频干扰对测量精度的影响。基于对自动跟踪陷波器的基本工作原理分析，陷波器采用了频率/电压转换器与压控带阻滤波器相结合的设计方案，成功地解决了工频频偏对常规工频陷波器滤波性能的严重影响问题。提出了提高抑制工频干扰能力的设计要点和电路调试方法。通过性能指标的测试和长期实际运行应用，证明陷波器满足了电子束测量中对工频干扰进行强抑制的要求，提高了电子束曝光机的制版质量。
上传时间： 2013-11-13
上传用户：天涯
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下： 对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson就大了。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。8 X( ?1 B4 i* q: i但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？
标签： COOLMOS
上传时间： 2014-12-23
上传用户：标点符号
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。 但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区，就能大大提高耐压呢？ 对于常规VDMOS，反向耐压，主要靠的是N型EPI与body区界面的PN结，对于一个PN结，耐压时主要靠的是耗尽区承受，耗尽区内的电场大小、耗尽区扩展的宽度的面积，也就是下图中的浅绿色部分，就是承受电压的大小。常规VDMOS，P body浓度要大于N EPI， PN结耗尽区主要向低参杂一侧扩散，所以此结构下，P body区域一侧，耗尽区扩展很小，基本对承压没有多大贡献，承压主要是P body－－N EPI在N型的一侧区域，这个区域的电场强度是逐渐变化的，越是靠近PN结面（a图的A结），电场强度E越大。所以形成的浅绿色面积有呈现梯形。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：小眼睛LSL
