差异

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差异 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 4 篇文章,持续更新中。

COOLMOS_原理结构

看到不少网友对COOLMOS感兴趣,把自己收集整理的资料、个人理解发出来,与大家共享。个人理解不一定完全正确,仅供参考。COOLMOS(super junction)原理,与普通VDMOS的差异如下:<br /> 对于常规VDMOS器件结构,大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系,要想提高BV,都是从减小EPI参杂浓度着手,但是外延层又是正向电流流通的通道,EPI参杂浓度减小了,电阻必然变大,R

集成式工业接口数字隔离器减少尺寸与成本

随着竞争产品价格的降低和产品差异化需求的增加,在工业市场上生存也变得越来越艰难。同时,安全标准不见有丝毫放宽,这要求更多的工业应用采用电流隔离,给光耦合器带来不利影响。这些不利影响会导致以下这些因素的增加:尺寸、功耗、电路板、元件数和成本。<br /> <img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-1212111524313Y.jpg"

双极运算放大器的辐射效应和退火特性

<div>  本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是6

ADC采样信息ADM1275、ADM1276、ADM1075

<div> ADM1275、ADM1276和ADM1075均共用同样的基本模数转换器(ADC)内核和PMBus接口。这些器件在平均计算和ADC寄存器更新方面存在一些细微差异。从ADM1275、ADM1276或ADM1075器件快速读取数据时,也需要考虑一些因素和限制。本应用笔记介绍了每种器件的ADC操作,以及如何将其数据速率提到最高(如需要)。<br /> <img alt="" src="h