工艺标准
共 73 篇文章
工艺标准 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 73 篇文章，持续更新中。
继电器数显温度采集模拟开关量输入控制板
1、可编程（通过下载排针可下载程序） 2、具有两路数字量(IN0和IN1)控制/检测信号输入端 3、两路AD模拟量输入（A1和A2） 4、两个按键输入 5、两路继电器输出指示灯 6、可控制两路交流220V/10A一下设备。（最大控制设备2000W） 7、板子带有防反接二极管 8、标准的11.0592晶振
数字预失真(DPD)算法研发工具和验证方案
在无线通信系统全面进入3G并开始迈向 4G的过程中，使用数字预失真技术（Digital Pre-distortion，以下简称DPD）对发射机的功放进行线性化是一门关键技术。功率放大器是通信系统中影响系统性能和覆盖范围的关键部件，非线性是功放的固有特性。非线性会引起频谱增长(spectral re-growth)，从而造成邻道干扰，使带外杂散达不到协议标准规定的要求。非线性也会造成带内失真，带来系
555时基集成电路简介
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555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为555，用CMOS 工艺制作的称为7555，除单定时器外，还有对应的双定时器556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在4.5V~16V 工作，7555 可在3~18V 工作，输出驱动电流约为200mA，因而其输出可与TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。</p>
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一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
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一种增益增强型套筒式运算放大器的设计
设计了一种用于高速ADC中的全差分套筒式运算放大器.从ADC的应用指标出发,确定了设计目标,利用开关电容共模反馈、增益增强等技术实现了一个可用于12 bit精度、100 MHz采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC中的运算放大器.基于SMIC 0.13 μm,3.3 V工艺,Spectre仿真结果表明,该运放可以达到105.8 dB的增益,单位增益带宽达到983.6 MHz,而功耗仅为2
定时器芯片555,556,7555,7556之关的联系与区别
555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为 555，用 CMOS 工艺制作的称为 7555，除单定时器外，还有对应的双定时器 556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在 4.5V~16V 工作，7555 可在 3~18V 工作，输出驱动电流约为 200mA，因而其输出可与 TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。 555 定时器成本低，性能可靠
空管模拟训练中指令的语音识别与合成技术研究
<span id="LbZY">空中交通管制指令标准用语的训练是空管模拟训练中的重要内容。本文对空管模拟训练中指令的自动语音识别及自动语音合成应答问题进行了分析研究，包括：指令标准用语基本特征的分析，语言模型的文法设计，指令特殊发音的处理，多次应答的处理等，并基于开源语音识别引擎及语音合成引擎，设计并实现了一个语音指令识别及合成系统AIRSS. 系统实验数据分析表明，应答响应时间及语音合成的效果可
1149.4标准
IEEE1149.4混合信号测试总线标准
MEMS器件气密封装工艺规范
MEMS是融合了硅微加工,LIGA和精密机械加工等多种加工技术,并应用现代信息技术构成的微型系统.
贴片胶与滴胶工艺
表面贴片胶(SMA,surface mount adhesives)用于波峰焊接和回流焊接，以保持组件在印刷电路<BR>板(PCB)上的位置，确保在装配线上传送过程中组件不会丢失。<BR>PCB装配中使用的大多数表面贴片胶(SMA)都是环氧树脂(epoxies)，虽然还有聚丙烯(acrylics)用于特殊的用途。在高速滴胶系统引入和电子工业掌握如何处理货架寿命相对较短的产品之后，环氧树脂已成为世界
VGA接口EMC设计标准电路
VGA接口EMC设计标准电路:<br />
<img alt="VGA接口EMC设计标准电路.rar" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-1203261535594P.jpg" />
CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的
CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路
共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路，且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。<br />
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