工艺参数
共 103 篇文章
工艺参数 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 103 篇文章，持续更新中。
电路分析基础-ppt教程
<P>第一章 基 础 知 识<BR>由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。<BR>1.1 电路与电路模型<BR>1.2 电路分析的基本变量<BR>1.3 电阻元件和独立电源元件<BR>1.4 基尔霍夫定律<BR>1.5 受 控 源<BR>1.6 两类约束和KCL，KVL方程
信噪比估计方法研究
<span id="LbZY">在QPSK调制方式下，分别研究推导了基于辅助数据的极大似然比信噪比估计算法研究、基于矩的信噪比估计算法研究以及基于高阶累积量的信噪比估计算法。通过仿真比较了信噪比估计算法的性能，着重分析比较了采用的迭代次数及数据长度等参数对算法性能的影响，最终根据算法各自的特点给出了相应的适用范围。<br />
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电流型运算放大器在应用电路中的特性研究
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文中简要介绍了电流型运放的特性，着重对电流型运放的应用电路进行测试，研究电流型运放的应用特性。实验中，选择典型电流型运放及电压型运放构建负阻变换器、电压跟随器和同相比例放大器，通过对此3类应用电路的测试，分析、总结运放参数对特殊应用电路的影响，为电路设计者在具体电路的设计中恰当选择适合的放大器提供参考。</p>
555时基集成电路简介
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555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为555，用CMOS 工艺制作的称为7555，除单定时器外，还有对应的双定时器556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在4.5V~16V 工作，7555 可在3~18V 工作，输出驱动电流约为200mA，因而其输出可与TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。</p>
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一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
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一种增益增强型套筒式运算放大器的设计
设计了一种用于高速ADC中的全差分套筒式运算放大器.从ADC的应用指标出发,确定了设计目标,利用开关电容共模反馈、增益增强等技术实现了一个可用于12 bit精度、100 MHz采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC中的运算放大器.基于SMIC 0.13 μm,3.3 V工艺,Spectre仿真结果表明,该运放可以达到105.8 dB的增益,单位增益带宽达到983.6 MHz,而功耗仅为2
定时器芯片555,556,7555,7556之关的联系与区别
555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为 555，用 CMOS 工艺制作的称为 7555，除单定时器外，还有对应的双定时器 556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在 4.5V~16V 工作，7555 可在 3~18V 工作，输出驱动电流约为 200mA，因而其输出可与 TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。 555 定时器成本低，性能可靠
数字PID控制算法讲解
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数字PID控制算法是将模拟PID离散化得到，各参数有着明显的物理意义，调整方便，所以PID控制器很受工程技术人员的喜爱。<br />
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模拟量差分输入方式的应用指南
本应用手册中的内容适用于PCM系列数据采集板卡中PCM-8208BT、PCM-8208BS隔离模拟量输入板卡。 对于非隔离的板卡PCM-8308BS也可以参考其接线方式应用于现场。 1.PCM-8208BT、PCM-8208BS数据采集板卡主要参数 PCM系列数据采集板卡为支持PC/104总线接口的数据采集板卡。
MEMS器件气密封装工艺规范
MEMS是融合了硅微加工,LIGA和精密机械加工等多种加工技术,并应用现代信息技术构成的微型系统.
贴片胶与滴胶工艺
表面贴片胶(SMA,surface mount adhesives)用于波峰焊接和回流焊接，以保持组件在印刷电路<BR>板(PCB)上的位置，确保在装配线上传送过程中组件不会丢失。<BR>PCB装配中使用的大多数表面贴片胶(SMA)都是环氧树脂(epoxies)，虽然还有聚丙烯(acrylics)用于特殊的用途。在高速滴胶系统引入和电子工业掌握如何处理货架寿命相对较短的产品之后，环氧树脂已成为世界
宽带射频功率放大器的数字预失真技术研究
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本课题主要研究对象为数字预失真技术中的功放模型的建立及数字预失真算法的研究。功放的数学模型主要分为无记忆模型和记忆模型，分析了不同模型的参数估计的方法。针对以往常见的模型反转数字预失真算法，课题分析并使用了新颖的间接学习(indirect learning)数字预失真算法，从而有效避免了无法对功放模型进行求逆的缺陷，并在此架构下仿真了不同功放模型的参数估计对于数字预失真效果的影响。针
平行耦合微带线带通滤波器的设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">平行耦合微带线带通滤波器在微波电路系统中广泛应用。为了提高带通滤波器性能，缩短设计周期，采用奇偶模原理分析与ADS（Advanced Design System）仿真相结合的方法，设计出一个中心频率为2.5 GHz，相
基于SPRITE探测器的低噪声前置放大器的设计
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为拓展热成像技术的应用,使其可以应用到除军事领域外的其它商业范围,本文就其中的微弱信号处理技术进行了研究. 采用国内市场可购得的AD797 作核心芯片,对SPRITE 探测器输出的微弱信号进行了放大、缓冲,并给出了有关参数及设计时应注意的几个问题.<br />
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1N系列稳压管参数
1N系列稳压管参数
一种改进的LPCC参数提取方法
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">为了提高语音信号的识别率，提出了一种改进的LPCC参数提取方法。该方法先对语音信号进行预加重、分帧加窗处理，然后进行小波分解，在此基础上提取LPCC参数，从而构成新向量作为每帧信号的特征参数。最后采用高斯混合模型（GM
MOS开关管参数手册
ID 型号厂家用途构造沟道v111(V) ixing(A) pdpch(W) waixing 1 2SJ11 东芝DC, LF A, JChop P 20 -10m 100m 4-2 2 2SJ12 东芝DC, LF A,J Chop P 20 -10m 100m 4-2 3 2SJ13 东芝DC, LF A, JChop P 20 -100m 600m 4-35 4 2SJ15 富士通DC, L
CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的
MOTION BUILDER 使用说明书Ver.2
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MOTION BUILDER Ver.2 是用于监控 KV-H20/H20S/H40S/H20G 的参数设定以及当前动作状态的软件。 在 PC 上可以设定复杂的参数，并可以在显示画面上监控正在运行的 KV-H20/H20S/H40S/H20G。<br />
关于 MOTION BUILDER Ver.2 概要、功能与使用方法的详细说明。在安装之前，请仔细阅读本手册，并充分 理解。</p
CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路
共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路，且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。<br />
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