ti官方开发的开关电源功率级设计器，可以帮助工程师更快选取开关电源的拓扑，也有助于加深转换器中电压和电流的理解。不论是Buck、Boost，反激、半桥、全桥、温伯格，软件都有涵盖。包含一份软件使用说明
标签： 开关电源
上传时间： 2022-06-04
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开关稳压电源（以下简称开关电源）问世后，在很多领域逐步取代了线性稳压电源和晶闸管相控电源。早期出现的是串联型开关电源，其主电路拓扑与线性电源相仿，但功率晶体管工作于开关状态，随着脉宽调制（PWM）技术的发展，PWM开关电源问世，它的特点是用20KHz的载波进行脉冲宽度调制，电源的效率可达65%-70%，而线性电源的效率只有30%-40%。因此，用工作频率为20 kHz的PWM开关电源替代线性电源，可大幅度节约能源，从而引起了人们的广泛关注，在电源技术发展史上被誉为20kHz革命。随着超大规模集成芯片尺寸的不断减小，电源的尺寸与微处理器相比要大得多；而航天、潜艇、军用开关电源以及用电池的便携式电子设备（如手提计算机、移动电话等）更需要小型化、轻量化的电源，因此，对开关电源提出了小型轻量要求，包括磁性元件和电容的体积重量也要小。此外，还要求开关电源效率要更高，性能更好，可靠性更高等，这一切高新要求便促进了开关电源的不断发展和进步。
上传时间： 2022-06-20
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射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用，是现代无线通信的关键设备.与传统的行被放大器相比，射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点；由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要，使得功率放大器的研制变得十分重要，因此对该课题的研究具有非常重要的意义.设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力，但其价格昂贵，工艺一致性差；CMOS工艺的功率输出能力不大，很难应用于高输出功率的场合；而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAS和CMOS工艺之间，价格相对低廉并和CMOS电路兼容，非常适合于中功率应用场合.本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现，分别使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三种工艺.（1）由SMIC 0.18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2.4GHz，采用了两级共源共栅电路结构，在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右，1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面积为1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5.25GHz，分为前置推动级和末级功率级，电源电压为3.3V，仿真结果为小信号增益28dB左右，1dB压缩点处输出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大饱和输出功率为29.5dBm，芯片面积为1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27-32GHz，使用了三级功率放大器结构，在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大饱和输出功率为29.9dBm且PAE大于25%，芯片面积为2.76mm"1.15mm.论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程，对三种工艺实现的功率放大器进行了对比，并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。
上传时间： 2022-06-20
上传用户：shjgzh
本论文主要研究自激式RF电源的功率控制，主要分为七个部分：第部分主要介绍ICP仪器的发展历史、RF电源的主流技术路线及国内外研究现状，指出了存在的部分问题，确立了本文研究主题。第二部分简介了ICP仪器的系统结构，重点介绍等离子炬光源以及自激式RF电源。首先从系统的角度介绍了ICP仪器的组成及工作原理，然后对等离子矩光源的产生条件及生成机理作了说明，并且对其在点火过程中表现的负载特性作了分析，最后从ICP仪器的分析性能方面说明了它对RF电源的设计要求，明确RF电源的设计指标。第三部分详细介绍了自激式RF电源的实现原理。按照信号流向首先介绍了作为跟踪等离子矩特性的振荡源——锁相环的原理，分别对其中的鉴相器、环路滤波器、压控振荡器和驱动电路等做了详细介绍。然后介绍了高频功率放大器的原理，确定了主要元件参数，并介绍了适用于自激式RF电源的电路结构。最后对阻抗匹配原理作了介绍，并重点介绍了集中参数元件匹配网络。第四部分详细介绍了本文所做的设计工作，包含软硬件设计。这部分仍然是按信号流向作说明，根据自激式RF电源的结构特点，针对这几部分选择合适的电路结构、元件参数等设计完成锁相环路、高效率E类推挽功率放大电路以及阻抗匹配网络。除此之外，还包括电路中的主要信号采样与检测、热设计、电磁兼容设计以及软件部分的设计说明。第五部分对本文采取的功率控制流程与策略作详细说明，介绍了如何通过改善控制流程和控制策略以提高RF电源性能。第六部分对所设计的RF电源进行了测试，表明本设计达到了预定的设计指标，说明此方法的可行性与实用性，并且分析了等离子炬的负载变化过程，对RF电源的设计提供了有益的参考。第七部分作了全文总结与展望。所设计RF电源成功点燃等离子炬，期间通过对RF电源的测试，并在ICP-AES整机上进行了系统验证，测试证明所设计的自激式RF电源与同类电源相比性能有所提升。
上传时间： 2022-06-23
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开关电源具有体积小、效率高等特点，广泛应用在工业、商业、民用、军事和航空航天等领域。随着计算机、通讯等信息产业的飞速发展，便携式电子产品的广泛应用，我国开关电源市场的不断增长，开关电源控制芯片的研究已经成为国内功率电子学研究的热点。本论文主要研究了升压式PWM开关电源控制芯片的设计。开关电源变换器是一个由主回路和控制回路构成的闭环系统，所以本文首先分析了变换器CCM和DCM两种模式下主回路的稳态和动态特性，接着分析了整个闭环系统的控制模式和稳定性。在理论分析的基础上，研究了开关电源集成电路的主要模块，包括基准电压，振荡器，运算放大器，PWM比较器，并完成了电路设计。在系统级和电路级的分析和设计的基础上，利用Hspice对主要模块和整个系统进行仿真。仿真结果表明，本论文设计的升压式PWM开关电源控制芯片满足高效率、高精度、低工作电压等设计要求，适合应用在单电池供电的便携式电子产品中。本论文设计的芯片采用0.5umN阱1P2M的CMOS工艺制造。
上传时间： 2022-06-25
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Actel FPGA A3P600最小系统原理图，包含JTAG 、电源和封装
上传时间： 2022-06-26
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智能电源排插解决方案，并能测量：交流电压、电流、有功功率硬件设计
标签： 智能电源
上传时间： 2022-06-30
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LM5116 是一款用于由高压或宽范围变化输入电源供电的降压稳压器应用的同步降压控制器。 此控制方法基于采用 一个经仿真电流斜坡的电流模式控制。 电流模式控制可提供固有的线路前馈、逐周期电流限制和简化的环路补偿。 经仿真控制斜坡的使用减少了脉宽调制电路的噪声敏感度，从而实现高输入电压应用中所必需的对极小占空比的可 靠控制。 工作频率可在 50kHz 至 1MHz 之间进行编程。 LM5116 使用自适应死区时间控制来驱动外部高侧和低侧NMOS 功率开关。 一个用户可选二极管仿真模式可实现断续模式运行，以提高轻负载时的效率。 一个低静态电流 关断禁用控制器，并且消耗的总输入电流少于 10µA。 额外特性包括一个高压偏置稳压器、用于提高效率的自动切 换至外部偏压、热关断、频率同步、逐周期限流限制和可调线路欠压闭锁。
标签： 开关稳压电源
上传时间： 2022-07-03
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开关电源(Buck电路)的小信号模型及环路设计
上传时间： 2022-07-07
上传用户：zhanglei193
正在做0-30V、0-15A的数控电源，程序搞了很久终于差不多了，得瑟得瑟自己腐蚀的板子：显示器件最初用128*64的是OLED小屏：屏幕太小感觉与机壳不配，换1.8寸的TFT彩屏：主控选用了STM8L152K4，SPI口彩屏。屏显第一行设置电压电流。第二行用大字体显示输出电压、电流。中部为输出电压电流曲线。屏幕成128*160分辨率后，最初想在多出的“空间”显示散热器、变压器温度、配色菜单或者为电池充电预置参数什么的，感觉意义不大，最终放了两条输出曲线。最下面是功率、电阻AH、WH等参数。用了3个定时器，tim1设为编码器模式，驱动编码器。tim2产生PWM信号，启用了一个ADC通道采集热敏电阻信号，根据温度改变PWM占空比，实现散热扇温控调速。tim3精确定时，累计时间用于AH、WH参数计算。DAC为12位的双通道芯片MCP4822。芯片内置的12位ADC采集输出电压、电流和热敏电阻信号，前两者用于显示和计算，后者用于风扇温控。做到后来感觉不该在此处偷懒，用独立的ADC芯片就好了，显示和偏移就都能到1mV、1mA了，现在这板子，没辙了。启用了2个引脚的外部中断，以外部中断方式触发更新设置值和编码器按键值，编码器按键值决定设置位。反白（红）位为当前设置位，旋转编码器可改变设置值，短按编码器开关改变设置位，长按为输出\预制切换。还有3条口线用于控制继电器，切换输入电压。
上传时间： 2022-07-23
上传用户：bluedrops
