本文只是论述由单只IGBT管子或双管做成的逆变模块，及其有关测量和判断好坏的方法。IPM模块不在本文讨论内容之内。场效应管子有开关速度快、电压控制的优点，但也有导通压降大，电压与电流容量小的缺点。而双极型器件恰恰有与其相反的特点，如电流控制、导通压降小，功率容量大等，二者复合，正所谓优势互补。IGBT管子，或者1GBT模块的由来，即基于此。从结构上看，类似于我们都早已熟悉的复合放大管，输出管为一只PNP型三极管，而激励管是一只场效应管，后者的漏极电流形成了前者的基极电流。放大能力是两管之积。IGBT管子的等效电路及符号如下图：
上传时间： 2022-06-21
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MOD（模式选择）MOD 输入，可以选择工作模式直接模式如果MOD 输入没有连接（悬空） ，或连接到VCC，选择直接模式，死区时间由控制器设定。该模式下，两个通道之间没有相互依赖关系。输入INA 直接影响通道1，输入INB直接影响通道2。在输入（ INA 或INB ）的高电位， 总是导致相应IGBT 的导通。每个IGBT接收各自的驱动信号。半桥模式如果MOD 输入是低电位（连接到GND），就选择了半桥模式。死区时间由驱动器内部设定， 该模式下死区时间Td 为3us。输入INA 和INB 具有以下功能： 当INB 作为使能输入时， INA 是驱动信号输入。当输入INB 是低电位，两个通道都闭锁。如果INB 电位变高，两个通道都使能，而且跟随输入INA 的信号。在INA 由低变高时，通道2 立即关断， 1 个死区时间后，通道1 导通。只
上传时间： 2022-06-21
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固态电源的基本任务是安全、可靠地为负载提供所需的电能。对电子设备而言，电源是其核心部件。负载除要求电源能供应高质量的输出电压外，还对供电系统的可靠性等提出更高的要求IGBT是一种目前被广泛使用的具有自关断能力的器件，开关频率高，广泛应用于各类固态电源中。但如果控制不当，它很容易损坏。一般认为IGBT损坏的主要原因有两种：一是IGBT退出饱和区而进入了放大区，使得开关损耗增大；二是IGBT发生短路，产生很大的瞬态电流，从而使IGBT损坏。IGBT的保护通常采用快速自保护的办法，即当故障发生时，关断ICBT驱动电路，在驱动电路中实现退饱和保护；或者当发生短路时，快速地关断IGBT，根据监测对象的不同，ICBT的短路保护可分为U，监测法或U..监测法，二者原理基本相似，都是利用集电极电流1e升高时U，或U.也会升高这一现象。当U2或U..超过UtU.就自动关断IGBT的驱动电路。由于U，在发生故障时基本不变，而U.的变化较大，并且当退饱和发生时，U.变化也小，难以掌握，因而在实践中一般采用U.监测技术来对ICBT进行保护。本文研究的IGBT保护电路，是通过对IGBT导通时的管压降U.进行监测来实现对IGBT的保护。
上传时间： 2022-06-22
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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）绝缘栅双极型品体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流，广泛应用于风电、光伏、电动汽车、智能电网等行业中。在电动汽车行业中，电机控制器、辅助动力系统，电动空调中，IGBT有着广泛的使用，大功率IGB多应用于电机控制器中，由于电动汽车电机控制器工作环境干扰比较大，IGBT的门极分布电容及实际开关中存在的米勒效应等寄生参数的直接影响到驱动电路的可靠性1电机控制器在使用过程中，在过流、短路和过压的情况下要对1GBT实行比较完善的保护。过流会引起电机控制器的温度上升，可通过温度传感器来进行检测，并由相应的电路来实现保护；过压一般发生在IGBT关断时，较大的di/dt会在寄生电感上产生了较高的电压，可通过采用缓冲电路来钳制，或者适当降低开关速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流，很快就会损坏1GBT，主控制板的过流保护根本来不及，必须由硬件电路控制驱动电路瞬间加以保护。因此驱动器的设计过程中，保护功能设计得是否完善，对系统的安全运行尤其重要。
上传时间： 2022-06-22
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怎样判断IGBT MOS管的好坏？怎么检测它的引脚？IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡，用万用表测量时， 若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大， 则判断此极为栅极（G ）。其余两极再用万用表测量， 若测得阻值为无穷大， 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C）；黑表笔接的为发射极（E）。2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ 挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（ E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（ G）和发射极（ E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。3、注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ 挡，因R×1KΩ 挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（ P-MOSFET ）的好坏。现在经常要检测MOS 管了，转几篇MOS 管的检测方法，以备随时观摩！用万用表检测MOS 开关管好坏的方法一、MOS 开关管针脚判断：在电脑上， MOS 管都是N 沟道增强型的MOSFET 开关管， 大部分都采用TO－220F 封装，其针脚判断方法是：将针脚向下，印有型号的面向自己，左边的是栅极，中间是漏极，右边是源极。
上传时间： 2022-06-22
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电磁炉烧坏IGBT 功率管的八种因素在电磁炉维修中，功率管的损坏占有相当大的比例，若在没有查明故障原因的情况下贸然更换功率管会引起再次烧毁。一：谐振电容和滤波电容损坏0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容损坏或容量不足若0.3uF/1200V 谐振电容、5uF/400V 滤波电容容量变小、失效或特性不良，将导致电磁炉LC 振荡电路频率偏高，从而引起功率管IGBT管损坏，经查其他电路无异常时，我们必须将0.3uF 和5uF 电容一起更换。二：IGBT 管激励电路异常振荡电路输出的脉冲信号不能直接控制IGBT 管饱和、导通与截至，必须通过激励电路将脉冲信号放大来完成。如果激励电路出现故障，高电压就会加到IGBT 管的G 极，导致IGBT 管瞬间击穿损坏。常见为驱动管S8050、S8550损坏。三：同步电路异常同步电路在电磁炉中的主要是保证加到IGBT G 极上的开关脉冲前沿与IGBT 管上VCE 脉冲后沿同步。当同步电路工作异常时， 导致IGBT管瞬间击穿损坏。
上传时间： 2022-06-22
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当山>0时，必然使集成运放的输出uo<0，从而导致二极管D2导通，D1截止，电路实现反相比例运算，输出电压当u<0时，必然使集成运放的输出uo>0，从而导致二极管D1导通D2截止，R+中电流为零，因此输出电压uo=0。u和uo的波形如图（b）所小如果设二极管的导通电压为0.7V，集成运放的开环差模放大倍数为50万倍，那么为使二极管D1导通，集成运放的净输入电压0.7v=014×10-=145×10同理可估算出为使D2导通集成运放所需的净输入电压，也是同数量级。可见，只要输入电压u使集成运放的净输入电压产生非常微小的变化，就可以改变D1和D2工作状态，从而达到精密整流的目的在半波精密整流电路中，当u>0时，U=Ku（K>0），当u<0时，U=0若利用反相求和电路将-Ku与山负半周波形相加，就可实现全波整流。分析由A所组成的反相求和运算电路可知，输出电压当u>0时，U=2u，u∞=-（-2u+u）=u；当u<0时，uo=0、想想？）uc-u；所以故此图也称为绝对值电路。当输入电压为正弦波和三角波时，电路输出波形分别如图所示。
标签： 精密整流电路
上传时间： 2022-06-26
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电路见图1当把开关K1打向“逆变”位置时，BG1导通，由时基电路NE555及外围元件组成的无稳态多谐振荡器开始振荡，其充？放电时间常数可调节？如果选择R1=R2则输出脉冲的占空比为50%，该多谐振荡器的振荡频率f=1.443/（R1+R2+2W）C2，图中的元件数值可使振荡频率调在50Hz，振荡脉冲由役脚输出，波形为方波，该方波经C4耦合，R3？C5积分变为三角波，这个三角波又经RPC6，第二次积分和R5？C7第三次积分，变为近似的正弦波，通过C8耦合到BG2，由BG2放大后在B1的L2线圈上输出？当L2上端电压为正时，D4截止，D3导通，使BGPBG6截止，BG3？BG5导通，电流由电瓶正极→B2的L1-BG5-电瓶负极；当L2上端电压为负时，D3截止，D4导通，使BG2BG5截止，BG4？BG6导通，电流由电瓶正极一B2的L2-BG6电瓶负极？BGBG6交替导通？截止，经变压器B2合成正负对称的正弦波，并由L3升压送至逆变输出插座CZ12CZ2，供用电器使用，同时LED1（红色）亮，指示逆变状态？当开关打向“充电”位置时，市电经变压器B2降压？D5？D6全波整流？R11限流后对电瓶充电，同时LED2（绿色）亮，指示充电状态？
上传时间： 2022-06-27
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FOC的控制核心——坐标变换■坐标系口一定子坐标系（静止）一A-B-C坐标系（三相定子绕组、相差120度）一a-β坐标系（直角坐标系：a轴与A轴重合、β轴超前a轴90度）口一转子坐标系（旋转）-d-q坐标系（d轴一转子磁极的轴线、q轴超前d轴90度）口一定向坐标系（旋转）M-T坐标系（M轴固定在定向的磁链矢量上，T轴超前M轴90度）转子磁场定向控制一-M-T坐标系与d-q坐标系重合FOC的控制核心——SVPWM■空间矢量口根据功率管的开关状态（上管导通是“1"，关闭是“0"）定义了8个空间矢量。其中000和111是零矢量。■扇区口空间矢量构成6个扇区口确定Vref位于哪个扇区，才能知道用哪对相邻的基本电压空间矢量去合成Vref。■参考电压矢量合成口利用基本电压空间矢量的线性时间组合得到定子参考电压Vref。■七段式SVPWM，由3段零矢量和4段相邻的两个非零矢量组成。3段零矢量分别位于PWM的开始、中间和结尾。■非零电压空间矢量能使电机磁通空间矢量产生运动，而零电压空间矢量使磁通空间矢量静止
标签： foc
上传时间： 2022-06-30
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系统原理说明：结构上，该逆变器采用模块化的设计思想，分别为升压模块、逆变模块、低通滤波器等。通过升压模块M1进行DC/DC变化，将输入110VDC电压转换350VDC，然后通过逆变模块M2进行DC/AC变换，输出三相200VAC的SPWM波，最后经过输出滤波器滤波后输出三相200V正弦波。逆变器仅在紧急情况下使用，系统上采用了简洁、可靠的设计思想，对外接口只有电压110V输入一组，3相交流输出一组，启动信号一组和故障指示一组，见图2:110V+为110V电源输入正极；110VG为110V电源输入负极；START1与START2为紧急逆变器启动控制；FAULT1与FAULT2为紧急逆变器故障报警信号端口；U、V、W为逆变器的3相200V输出端。逆变器长期处于冷待机状态，当接收到启动信号之后，紧急逆变器开始工作。当空调主电源无法为空调提供电源的时候，地铁车辆内的控制器将吸合内部的无源触头作为紧急逆变器的启动信号（即图2中START1与START2闭合导通时，紧急逆变器启动）。紧急逆变器启动信号回路形成后，如果输入电压正常、逆变器无故障时，紧急逆变器将在20s内完成启动并开始稳定工作。紧急逆变器正常工作时，故障报警触点处于吸合状态；紧急逆变器出现故障时，三相输出停止，故障报警触点断开。（即：正常时，FAULT1与FAULT2闭合导通；故障时，FAULT1与FAULT2开路。）
上传时间： 2022-07-01
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