随着半导体技术和电子技术的发展，开关电源的体积越来越小、质量越来越轻、效率越来越高、可靠性也越来越优良，被广泛地运用到了生活中的各个方面。DcDC开关电源是开关电源中非常常用的一种形式，因此，对DCDC开关电源的拓扑结构、反馈电路等相关知识的研究成为了理解开关电源的重要环节。论文分析了推挽式DCDC开关电源的工作原理、效率和优缺点，设计了一款输出恒定的推挽式DCDC开关电源。论文以T公司的高速PwM控制器Uc3825为核心，给出了DCDC开关电源的结构框图，详细设计了控制器、推挽式驱动、整流滤波、反馈控制等电路，讨论了变压器、开关管、整流二极管等选型问題。通过对推挽式DCDC开关电源样机的测试，结果表明，在输出功率为100W到30W时，论文设计的样机的转换效率可以达到85%以上。开关电源就是通过特定的电路，控制开关管的导通时间和关断时间，以达到输出恒定的直流电压的设备。随着电子技术的迅猛发展，开关电源涉及到的相关技术也越来越成熟，使得开关电源成为了电子设备中不可或缺的一种供电方式开关电源最早源于二十世纪五十年代的美国，当时，美国为了设计特殊需求的军用电源，提出了小型、轻量的目标，自此开始，开关电源由于其比传统的线性电源拥有的优点而广泛地运用到电子、电气设备、计算机电源、通信设备等领经过几十年的不断进步，开关电源在诸多方面都有了非常大的突破。大功率MOSFET和IGBT等功率器件技术的进步使得开关电源能向着高频化、大功率的方向发展。软开关技术可以降低开关损耗和开关噪声，可以大大提升开关电源的效率，为高频开关电源的实现提供了可能。平面变压器和平面电感技术的发展使开关电源的效率可以进一步得到提升，体积也可以大大地减小。有源功率因数校正技术的发展，使开关电源的功率因数得到了很大地提升，既解决了由电路中的非线性负载产生的谐波失真，又提高了开关电源的整机效率
标签： 开关电源
上传时间： 2022-03-10
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本文对PWM全桥软开关直流变换器进行了研究。具体阐述了PWM全桥ZS软开关直流变换器的工作原理和软开关的实现条件，就基本的移相控制FB ZVS PWM变换器存在的问题给予分析并对两种改进方案进行了研究：1、能在全部工作范围内实现零电压开关的改进型全桥移相zvs-PWM DCDC变换器，文中通过对其开关过程的分析，得出实现全负载范围内零电压开关的条件。采用改进方案设计了一台48V~6 VDC/DC变换器，实验结果证明其比基本的 ZVS-PWM变换器具有更好的软开关性能。2、采用辅助网络的全桥移相 ZVZCS-PWM DCDC变换器，文中具体分析了其工作原理及变换器特性，并进行实验研究随着电力电子技术的发展，功率变换器在开关电源、不间断电源、CPU电源照明、电机驱动控制、感应加热、电网的无功补偿和谐波治理等众多领域得到日益广泛的应用，电力电子技术高频化的发展趋势使功率变换器的重量大大减轻体积大大减小，提高了产品的性能价格比，但采用传统的硬开关技术，开关损耗将随着开关频率的提高而成正比地增加，限制了开关的高频化提高功率开关器件本身的开关性能，可以减少开关损耗，另一方面，从变换器结构和控制上改善功率开关器件的开关性能，可以减少开关损耗。如缓冲技术、无损缓冲技术、软开关技术等软开关技术在减少功率开关器件的开关损耗方面效果比较好，理论上可使开关损耗减少为零。12软开关技术的原理和类型功率变换器通常采用PwM技术来实现能量的转换。硬开关技术在每次开关通断期间功率器件突然通断全部的负载电流，或者功率器件两端电压在开通时通过开关释放能量，这种方式的工作状况下必将造成比较大的开关损耗和开关应力，使开关频率不能做得很高。软开关技术是利用感性和容性元件的谐振原理，在导通前使功率开关器件两端的电压降为零，而关断时先使功率开关器件中电流下降到零，实现功率开关器件的零损耗开通和关断，并且减少开关应力。
标签： 移相全桥
上传时间： 2022-03-29
上传用户：jason_vip1
永磁元；自n交流电机被认为是21 世纪最有发展前途和广泛应用前景的电子控能电貌。本书着重对永磁无踊3支流电机与控制技术的定要问题进行较深入的研究分析和介绍，包指无刷3主流电动机与永磁同步电动机的结构和性能比较；元刷直流电机数学模搜；计及绕组电感的特性与参数计算方法；分数糟集中绕组和多相绕组；不肉相数绕组连接和导通方式的分析与比较：气隙磁通密度的计算：反电动势波形和反电动势计算z 霍尔传感器位置分布～规律分析和确定方法：无剿宽流电机设计要素前选择；±蔡尺寸基本关系式考虑电感影响的修正；应粘性思尼系数确定电机主要尺寸的方法；整数槽和分数槽绕组元崩豆豆流传Z板的电枢反应：转短波动及其抑制方法；齿槽转矩及其削弱方法：宠剿直流电机基本控制技术E 元传感器控制技术；低成本正弦波控鹅技术：总相元麟直流电机与控制等。2秘书同时综合介绍国内外元；到直流电机与控制技术最新进展动态和研究成泉。每章后附有相关参考文献，便于读者跟踪和进一步深入研究。本书遵循理论研究与实用技术相结合的编写原则，可供即将从事或正在从事与元刷直流电机有关的研究开发、设计、生产、控制和应用的科技人员、管理人员，以及大专院校教师、学生和研究生参考。
标签： 永磁无刷直流电机
上传时间： 2022-04-10
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SA8340国产马达驱动，低Rdson发热更小，导通损耗小，寿命更长。SA8340适用于扫地机，服务机器人，打印机，工业设备，小家电设备特征：ESOP8封装完全PIN to PIN兼容TI：DRV8870，Allegro：A4950，Toshiba：TB67H450FNG具有脉宽调制（IN1-IN2）输入接口全保护与过电流集成保护、欠压闭锁和过电压-温度停机可提供高达4A的峰值驱动电流能力，2.5A持续电流能力3-25V工作电压为2-4串电池应用提供足够裕量QQ 465081813
标签： 马达驱动
上传时间： 2022-04-29
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一、 实验目的使用 51单片机的八位数码管顺序显示自己的学号。掌握 C 语言、汇编语言两种编程单片机控制程序的方法。掌握使用 Keil 4 或 Keil 5 软件编写、编译、调试程序的方法。掌握使用 Proteus 软件绘制电路原理图、硬件仿真和程序调试。二、实验设备笔记本电脑51 单片机（普中科技）八位数码管（单片机上已集成）应用程序：Proteus 8.0、Keil uVision5、stc-isp-v6.88E三、实验原理（1）数码管数码管按段数可分为七段数码管和 8 段数码管，八段数码管比七段数码管多一个发光二极管单元，也就是多一个小数点(DP)，这个小数点可以更精确的表示数码管想要显示的内容。按能显示多少个(8)，可分为 1 位、2位、3位、4位、5 位、6位、7 位等数码管。按发光二极管单元连接方式可分为共阳极数码管和共阴极数码管。共阳数码管是指将所有发光二极管的阳极接到一起形成公共阳极(COM)的数码管，共阳数码管在应用时将公共极 COM 接到+5V，当某一字段发光二极管的阴极为低电平时，相应字段就点亮，当某一字段的阴极为高电平时，相应字段就不亮。共阴数码管是指将所有发光二极管的阴极接到一起形成公共阴极(COM)的数码管，共阴数码管在应用时应将公共极 COM 接到地线 GND上，当某一字段发光二极管的阳极为高电平时，相应字段就点亮，当某一字段的阳极为低电平时，相应字段就不亮。（2）51单片机单片机（Microcontrollers）是一种集成电路芯片，是采用超大规模集成电路技术把具有数据处理能力的中央处理器 CPU、随机存储器 RAM、只读存储器ROM、多种 I/O口和中断系统、定时器/计数器等功能集成到一块硅片上构成的一个小而完善的微型计算机系统，在工业控制领域广泛应用。MSC-51 单片机指以 8051为核心的单片机，由美国的 Intel 公司在 1980 年推出，80C51 是 MCS-51系列中的一个典型品种；其它厂商以 8051为基核开发出的CMOS 工艺单片机产品统称为 80C51 系列。本实验中我使用普中科技的 51 单片机来点亮八位数码管并使其显示我的学号（20198043）。四、 实验 过程（1）熟悉数码管使用 Proteus 软件构建电路图，学会如何点亮数码管，熟悉如何使数码管显示不同的数字（0-9）。我们可以按照上面的原理图让对应的段导通，以显示数字。对于共阳数码管，若显示数字 0，可以让标号为 A，B，C，D，E，F 的段导通，标号为 G，H 的段不导通，然后将阳极通入高电压，即显示数字 0。代码举例如下：最后效果如下，成功点亮一个数码管。经过更多尝试和学习，学会使多位数码管显示多位数字。结果举例如下：（2）多位数码管显示学号为了显示我们学号，就不能只使用一位数码管，需要使用八位数码管，相较于单位数码管，多位数码管更加复杂，驱动函数有很大区别。多位数码管使用同一组段选，不同的位选，因此就不能够一对一地固定显示，这就需要动态扫描。动态扫描：利用人眼视觉暂留，多位数码管每次只显示一位数字，但是切换频率大于 200HZ（50 × 4），这样就能让人产生同时显示多个数字的错觉。具体操作是轮流向数码管送字形码和相应的位选。一个完整的驱动程序不只以上这些，一个完整的数码管驱动有 6部分：1. 码表（ROM）：存储段码（一般放在 ROM中，节省 RAM空间），例如数字 0的段码就是 0xC0，码表则包含 0-9的段码2. 显存（RAM）：保存要显示的数字，取连续地址（便于查表）3. 段选赋值：通过查表（码表）操作，将显存映射到段码4. 位选切换：切换显示的位置5. 延时：显示的数字短暂保持，提升亮度6. 消影：消除切换时不同位置互相影响而产生的残影
上传时间： 2022-06-08
上传用户：canderile
74HC4066是一款硅栅COMS四路模拟开关，被设计用于处理模拟和数字信号。74HC4066的各开关允许振幅高达6V（峰值）的信号进行双向传输。 74HC4066的各个开关单元拥有各自的使能输入控制（C）。在C端输入高电平将会导通其对应的开关单元。 74HC4066的应用包括信号选通、斩波、调制解调（modem）、以及用于模数转换/数模转换的信号复用系统。
上传时间： 2022-06-10
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本文在分析了中大功率IGBT特性、工作原理及其驱动电路原理和要求的基础上，对EXB841，M57962AL，2SD315A等几种驱动电路的工作特性进行了比较。并针对用于轻合金表面防护处理的特种脉冲电源主功率开关器件驱动电路运行中存在的问题对驱动电路提出了功能改进和扩展方案，进行了实验调试，并成功地应用于不同功率容量1GBT模块的驱动，运行情况良好，提高了电源的可靠性。针对电源设备的进一步功率扩容要求，采用IGBT模块串、并联运行方案。对并联模块的均流、同步触发、散热、布局、布线等问题进行了详细的分析和讨论，同时也讨论了串联模块的均压、驱动等问题，并用仿真电路对串并联模块的工作特性进行了仿真分析。最后将IGBT串并联方案成功地应用于表面处理特种电源中，实际运行表明1GBT模块的串并联扩容是可行的。关键i：IGBT，驱，串联，并联功率开关器件在电力电子设备中占据核心的位置，它的可靠工作是整个装置正常运行的基本条件。[1）在主电路拓扑设计和功率开关器件选取合理的前提下，如何可靠地驱动和保护主开关器件显得十分关键。功率开关器件的驱动电路是主电路与控制电路之间的接口，是电力电子装置的重要部分，对整个设备的性能有很大的影响，其作用是将控制回路输出的PWM脉冲放大到足以驱动功率开关器件。简而言之，驱动电路的基本任务就是将控制电路传来的信号，转换为加在器件控制端和公共端之间的可以使其导通和关断的信号。同样的器件，采用不同的驱动电路将得到不同的开关特性。采用性能良好的驱动电路可以使功率开关器件工作在比较理想的开关状态，同时缩短开关时间，减小开关损耗，对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。因此驱动电路的优劣直接影响主电路的性能，因此驱动电路的合理化设计显得越来越重要。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-19
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1电压型PWM控制器过流保护固有问题目前国内常见的IGBT逆变弧焊机PWM控制器通常采用TL494.SG3525等电压型集成芯片，电流反馈信号一般取自整流输出端，当输出电流信号由分流器检出电流与给定电流比较后，经比例积分放大器大，控制输出脉冲宽度IGBT导通后，即使产生过电流，PWM控制电路也不可能及时关断正在导通的过流脉冲由于系统存在延退环节，过流保护时间将延长.2电流型过流保护电流型PWM控制电路反馈电流信号由高频变压器初级端通过电流互感器取得，由于电流信号取自变压器初级，反应速度快，保护信号与正在流过IGBT的电流同步，一旦发生过流PWM立即关断输出脉冲，IGBT获得及时保护，电流型PwM控制器固有的逐个脉冲检测瞬时电流值的控制方式对输入电压和负载变化响应快，系统稳定性好同意老兄的观点，在实际应用中电压型PWM确实占了大多数，但过流保护取样也可以从变压器初级取，通过互感线圈或霍尔传感器取得过流信号，比如控制3525的8脚，这点深圳瑞凌的焊机做的不错，可以很好保护开关管过流.如何通过检测手段判断一种逆变电源的主电路是否可靠，我认为可以从开关器件和主变压器的空载和负载状态下的电流电压波形来分析，从而针对性的调整开关器件参数及过流过压缓冲元件参数以及高频变压器的参数，难点在于如何选择匹配.
上传时间： 2022-06-19
上传用户：fliang
IGBT直流斩波电路的设计1设计原理分析1.1总体结构分析直流斩波电路的功能是将直流电变为另一固定电压或可调电压的直流电。它在电源的设计上有很重要的应用。一般来说，斩波电路的实现都要依靠全控型器件。在这里，我所设计的是基于IGBT的降压斩波短路。直流降压斩波电路主要分为三个部分，分别为主电路模块，控制电路模块和驱动电路模块。电路的结构框图如下图（图1）所示。除了上述主要结构之外，还必须考虑电路中电力电子器件的保护，以及控制电路与主电路的电器隔离。1.2主电路的设计主电路是整个斩波电路的核心，降压过程就由此模块完成。其原理图如图2所示。如图，IGBT在控制信号的作用下开通与关断。开通时，二极管截止，电流io流过大电感L，电源给电感充电，同时为负载供电。而IGBT截止时，电感L开始放电为负载供电，二极管VD导通，形成回路。IGBT以这种方式不断重复开通和关断，而电感L足够大，使得负载电流连续，而电压断续。从总体上看，输出电压的平均值减小了。输出电压与输入电压之比a由控制信号的占空比来决定。这也就是降压斩波电路的工作原理。降压斩波的典型波形如下图所示。
上传时间： 2022-06-20
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MOSFET和IGBT内部结构不同, 决定了其应用领域的不同.1, 由于MOSFET的结构, 通常它可以做到电流很大, 可以到上KA,但是前提耐压能力没有IGBT强。2,IGBT 可以做很大功率, 电流和电压都可以, 就是一点频率不是太高, 目前IGBT硬开关速度可以到100KHZ,那已经是不错了. 不过相对于MOSFET的工作频率还是九牛一毛,MOSFET可以工作到几百KHZ,上MHZ,以至几十MHZ,射频领域的产品.3, 就其应用, 根据其特点:MOSFET应用于开关电源, 镇流器, 高频感应加热, 高频逆变焊机, 通信电源等等高频电源领域;IGBT 集中应用于焊机, 逆变器, 变频器,电镀电解电源, 超音频感应加热等领域开关电源 (Switch Mode Power Supply ；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些参数进行探讨，如硬开关和软开关ZVS ( 零电压转换) 拓扑中的开关损耗，并对电路和器件特性相关的三个主要功率开关损耗—导通损耗、传导损耗和关断损耗进行描述。此外，还通过举例说明二极管的恢复特性是决定MOSFET或 IGBT 导通开关损耗的主要因素， 讨论二极管恢复性能对于硬开关拓扑的影响。导通损耗除了IGBT的电压下降时间较长外， IGBT和功率MOSFET的导通特性十分类似。由基本的IGBT等效电路（见图1）可看出，完全调节PNP BJT集电极基极区的少数载流子所需的时间导致了导通电压拖尾（ voltage tail ）出现。
上传时间： 2022-06-21
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