对差动保护进行相关检查、试验如下： 1、检查BCH-2型差动继电器与定值单相符，对差动继电器进行检查、检验合格。 2、检查差动保护二次回路接线正确，二次回路绝缘符合规程要求。 3、35kV开关为DW2-35型，检查油箱内电流互感器为差动保护专用LRD型，变比为75/5，核对变比、极性正确；6kV电流互感器为LAJ-10 300/5，差动接在D级绕组上，核对变比、极性正确。 4、对差动保护按定值单传动，各继电器动作正确。 以上各项目正常，说明一、二次设备无缺陷，二次接线无错误，便恢复主变送电，送电后进行差动保护向量和差压检测正常
上传时间： 2013-10-08
上传用户：小码农lz
介绍了双反星形可控硅整流电路中的平衡电抗器及其在电路中所起的作用,即保证两组三相半波整流电路同时导电和电路输出电流的平衡,并例举了该电抗器在运行过程中发生的故障及处理事例。
上传时间： 2013-11-22
上传用户：来茴
工业上普遍需要测量各类非电物理量，例如温度、压力、速度、角度等，都需要转换成模拟量电信号才能传输到几百米外的控制室或显示设备上。这种将物理量转换成电信号的设备称为变送器。工业上最广泛采用的是用4~20mA电流来传输模拟量。 采用电流信号的原因是不容易受干扰。并且电流源内阻无穷大，导线电阻串联在回路中不影响精度，在普通双绞线上可以传输数百米。上限取20mA是因为防爆的要求：20mA的电流通断引起的火花能量不足以引燃瓦斯。下限没有取0mA的原因是为了能检测断线：正常工作时不会低于4mA，当传输线因故障断路，环路电流降为0。常取2mA作为断线报警值。
上传时间： 2013-11-08
上传用户：diets
详细分析了移相全桥电路初次级噪声源和噪声传播路径的特点。针对初级共模噪声的特点, 分析了为改善初级共模噪音而提供的旁路回路和良好屏蔽措施等的有效性; 研究了变压器次级绕组对屏蔽层形成不对称分布电容的原因及其对次级噪声的影响。从高频变压器结构出发, 给出了几种改进变压器结构的方案; 改善了次级绕组对屏蔽层分布电容不平衡的情况, 实验验证了分析结果。
上传时间： 2014-03-30
上传用户：semi1981
该电路能使两节镍镉电池，当充电至3V或放电至1?34V时，自动断开充电或放电回路，有效地防止过充电或过放电。 电路见附图。D1、D2整流后的电压供给电池充电，D3～D6整流后的电压供给比较、控制电路。TL082构成比较电路，其2脚由LM317输出提供一个恒定电压作为参考基准，3脚电压来自电池。2、3脚的电压比较后由1脚输出控制BG的开和关，再通过继电器来控制充电或放电回路。
上传时间： 2013-10-30
上传用户：jkhjkh1982
漏电保护器的工作原理：漏电保护器主要包括检测元件(零序电流互感器)、中间环节(包括放大器、比较器、脱扣器等)、执行元件(主开关)以及试验元件等几个部分。三相四线制供电系统的漏电保护器工作原理示意图。TA 为零序电流互感器,GF 为主开关,TL为主开关的分励脱扣器线圈。在被保护电路工作正常,没有发生漏电或触电的情况下,由克希荷夫定律可知,通过TA 一次侧的电流相量和等于零,即：这样TA 的二次侧不产生感应电动势,漏电保护器不动作,系统保持正常供电。当被保护电路发生漏电或有人触电时,由于漏电电流的存在,通过TA一次侧各相电流的相量和不再等于零,产生了漏电电流Ik。在铁心中出现了交变磁通。在交变磁通作用下,TL二次侧线圈就有感应电动势产生,此漏电信号经中间环节进行处理和比较,当达到预定值时,使主开关分励脱扣器线圈TL 通电,驱动主开关GF 自动跳闸,切断故障电路,从而实现保护。用于单相回路及三相三线制的漏电保护器的工作原理与此相同,不赘述。
上传时间： 2013-10-19
上传用户：zhangjinzj
性能与用途 HVFS型变频电源装置是串联谐振成套试验系统和局部放电试验系统的重要组成部分，本装置采用调频调压方式，进行交流耐压以及局部放电试验。 本装置利用串联谐振的原理，通过改变试验回路的频率，利用较小容量的供电电源可以完成等效于供电电源 30～150 倍的试验，大大缓解了现场试验电源的容量不足问题。
上传时间： 2013-10-18
上传用户：gundamwzc
特长 3相无刷电机控制用预驱动IC。采用高耐压CMOS制程位置检出可与3个霍尔元件或霍尔IC连接120度通电驱动ＰＷＭ控制方式（上侧驱动）功率限制回路内藏电流限制回路内藏升压动作时的初期充电控制可能。回转数为3脉冲／360度。
上传时间： 2013-10-26
上传用户：koulian
同步整流技术简单介绍大家都知道，对于开关电源，在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件，通常用的是整流二极管（利用它的单向导电特性），它可以理解为一种被动式器件：只要有足够的正向电压它就开通，而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高，快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功，并且整流二极管是一种固定压降的器件，举个例子：如有一个管子压降为0.7V，其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压，损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时，损耗为0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低，损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展，如GeForce 8800GTX显卡，其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V输出电流各高达24A）的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现，为广大用户提供更高转换效率（如多核R80，完全符合80PLUS标准）的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题？寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻（几毫欧到十几毫欧）极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了！作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件，功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件，必须要在其控制极（栅极）有一定电压才能允许电流通过，这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中，一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积，故小电流时，其压降和恒定压降的肖特基不同，电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率（20%）尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案，我们可以通过灌溉农田来理解：肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1，多核R80，其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET，在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A，则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V，损耗比例为0.04/4=1%，比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗，其技术的进步已不仅仅是一个量的变化，而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说，我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。
标签： 同步整流
上传时间： 2013-10-27
上传用户：杏帘在望
电容降压式简易电源的基本电路如图1，C1为降压电容器，D2为半波整流二极管，D1在市电的负半周时给C1提供放电回路，D3是稳压二极管，R1为关断电源后C1的电荷泄放电阻。在实际应用时常常采用的是图2的所示的电路。当需要向负载提供较大的电流时，可采用图3所示的桥式整流电路。 整流后未经稳压的直流电压一般会高于30伏，并且会随负载电流的变化发生很大的波动，这是因为此类电源内阻很大的缘故所致，故不适合大电流供电的应用场合。
上传时间： 2013-10-23
上传用户：牛津鞋
