摘要: 研究用内腔式He- Ne 激光器做光源时, 硅光电池实验中光电检流计读数不稳定的现象。利用硅光电池分别观测在不加偏振片、加上偏振片时内腔式He- Ne 激光器输出的光强度, 得到激光经偏振片后输出光强随时间而变。利用共焦扫描干涉仪扫描出激光束的各个纵模, 实验表明, 内腔式He- Ne 激光器每个纵模的偏振方向随时间缓慢变化, 引起了实验中输出的光强变化。
上传时间： 2013-11-17
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF2PECVD)技术制备非晶硅(a2Si)NIP 太阳能电池,其中电池的窗口层采用P 型晶化硅薄膜,电池结构为Al/ glass/ SnO2 / N(a2Si :H) / I(a2Si :H) / P(cryst2Si : H) / ITO/ Al。为了使P 型晶化硅薄膜能够在a2Si 表面成功生长,电池制备过程中采用了H 等离子体处理a2Si 表面的方法。通过调节电池P 层和N 层厚度和H 等离子体处理a2Si 表面的时间,优化了太阳能电池的制备工艺。结果表明,使用H 等离子体处理a2Si 表面5 min ,可以在a2Si 表面获得高电导率的P 型晶化硅薄膜,并且这种结构可以应用到电池上;当P 型晶化硅层沉积时间12. 5 min ,N 层沉积12 min ,此种结构电池特性最好,效率达6. 40 %。通过调整P 型晶化硅薄膜的结构特征,将能进一步改善电池的性能。
上传时间： 2013-11-21
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摘要：研制以89C55单片机为核心的不良导体导热系数实验仪，应用MAX5576芯片对热电偶温差电动势实现冷端补偿和AD转换，通过可控硅调相方式控制加热温度，LCD屏显示各项实验参数和曲线。本文介绍了系统硬件和软件的设计。关键词：热电偶；温度测量；功率控制；单片机
上传时间： 2014-12-27
上传用户：athjac
石英具有非凡的机械和压电特性, 使得从19 世纪40 年代中期以来一直作为基本的时钟器件. 尽管在陶瓷, 硅晶和RLC电路方面有60 多年的研究, 在此之前没有哪种材料或技术能替代石英振荡器, 鉴于其异常的温度稳定性和相位噪声特性. 估计2006 年将有100亿颗石英振荡器被制造出来并放置到汽车, 数码相机, 工业设备, 游戏设备, 宽带设备,蜂窝电话, 以及事实上每一种数字产品当中. 石英振荡器的制造数量比地球上的人口还要多.
上传时间： 2013-10-17
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就单片机测控技术应用于平板导热系数仪的研制提出了应用方法，介绍了串行A／D转换器TLC2543与单片机的硬件连接，热电偶信号的冷端补偿方法以及高精度运算放大器ICL7650的应用，对数字PID算法提出了新的应用方式。
上传时间： 2013-10-28
上传用户：dbs012280
硅基片上光互连技术
上传时间： 2013-12-14
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MSP40-V1.2-CHS[1]微硅压力传感器。
上传时间： 2013-11-13
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为了保证在高温条件下，正确使用高频硅PNP晶体管3CG120，文中对3CG120在不同温度段的失效机理进行了研究。通过对硅PNP型晶体管3CG120进行170~340 ℃温度范围内序进应力加速寿命试验，发现在170~240 ℃，240~290 ℃，以及290~340 ℃分别具有不同的失效机理，并通过分析得到了保证加速寿命试验中与室温相同的失效机理温度应力范围。
上传时间： 2013-10-15
上传用户：bensonlly
本书介绍了半导体器件设计和制造中用到的有关硅的一些物质性质的主要数据和公式.
上传时间： 2013-11-25
上传用户：erkuizhang
介绍了8086全硅计算机的体系架构,设计了8086全硅计算机与SD卡连接的硬件接口,并使用软件和硬件相结合的调试方法,可快速调试验证SD卡的功能.通过FPGA的验证,SD卡作为8086全硅计算机的硬盘,可以简化设计过程、缩短设计周期.
上传时间： 2013-10-08
上传用户：thing20
