导弹性能
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查看全部 500 份 →透过MOSFET电压电流最佳化控制传导性及辐射性EMI
經由改變外部閘極電阻(gate resistors)或增加一個跨在汲極(drain)和源極(source)的小電容來調整MOSFET的di/dt和dv/dt，去觀察它們如何對EMI產生影響。然後我們可了解到如何在效率和EMI之間取得平衡。我...
2014-09-08
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关于真空断路器合闸弹跳与分闸弹振浅析
关于真空断路器合闸弹跳与分闸弹振浅析:作者在本文中阐述了真空断路器的合闸弹跳与分闸弹振的定义，并通过试验分析说明了其产生的原因：触头材料硬度越大，合闸弹跳越大；而触头压力越大，合闸弹跳越小；较大的合闸
2023-10-19
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lpd6803是深圳英盛美半导体公司出品的一款高性能led驱动芯片
lpd6803是深圳英盛美半导体公司出品的一款高性能led驱动芯片，该芯片具有如下特点： 三路输出，恒流驱动：每路各有一个外挂电阻调整电流：Iout(max)=30mA, Vout(max)=12V。 兼容恒压模式，可直接替换ZQL...
2014-01-21
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