宽带高增益
共 31 篇文章
宽带高增益 相关的电子技术资料,包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等,共 31 篇文章,持续更新中。
高增益K波段MMIC低噪声放大器
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基于0.25gm PHEMT工艺,给出了两个高增益K 波段低噪声放大器.放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构,通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声;采用直流偏置上加阻容网络,用来消除低频增益和振荡;三级电路通过电阻共用一组正负电源,使用方便,且电路性能较好,输入输出驻波比小于2.0;功率增益达24dB;噪声系数小于3.5dB
建立一个双视频放大器的高增益带宽积运算放大器
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Abstract: Build a composite amplifier featuring high gain, wide bandwidth, good DC accuracy and low distortion
带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构,利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度,100 MS/s采样频率的高速流
基于采用分立元件设计的LC谐振放大器的设计方案
<span id="LbZY">介绍了基于采用分立元件设计的LC谐振放大器的设计方案与实现电路, 可用于通信接收机的前端电路,主要由衰减器、谐振放大器、AGC电路以及电源电路四部分组成。通过合理分配各级增益和多种措施提高抗干扰性,抑制噪声,具有中心频率容易调整、稳定性高的特点。电路经实际电路测试表明具有低功耗、高增益和较好的选择性。<br />
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2~4 GHz波段低噪声放大器的仿真设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体
基于第二代电流传输器的积分器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">介绍了一种基于低压、宽带、轨对轨、自偏置CMOS第二代电流传输器(CCII)的电流模式积分器电路,能广泛应用于无线通讯、
横向Ka波段波导微带探针过渡的设计和优化
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">介绍了一种横向Ka波段宽带波导-微带探针过渡的设计,基于有限元场分析软件Ansoft HFSS对该类过渡的设计方法进行了研究。最后给出了Ka波段内的优化
具有压缩和噪声门的低噪声模拟MEMS麦克风和前置放大器
本电路用于实现模拟MEMS麦克风与麦克风前置放大器的接口,如图1所示。ADMP504由一个MEMS麦克风元件和一个输出放大器组成。ADI公司的MEMS麦克风具有高信噪比(SNR)和平坦的宽带频率响应,堪称高性能、低功耗应用的绝佳选择。<br />
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放大器及数据转换器选择指南
德州仪器(TI)通过多种不同的处理工艺提供<BR>了宽范围的运算放大器产品,其类型包括<BR>了高精度、微功耗、低电压、高电压、高<BR>速以及轨至轨。TI还开发了业界最大的低<BR>功耗及低电压运算放大器产品选集,其设<BR>计特性可满足宽范围的多种应用。为使您<BR>的选择流程更为轻松,我们提供了一个交<BR>互式的在线运算放大器参数搜索引擎——<BR>amplifier.ti.com/sea
宽带低EVM直接变频发射机
本电路为宽带直接变频发射机模拟部分的完整实施方案(模拟基带输入、RF输出)。通过使用锁相环(PLL)和宽带集成电压控制振荡器(VCO),本电路支持500 MHz至4.4 GHz范围内的RF频率。PLL中的LO执行谐波滤波,确保提供出色的正交精度。低噪声LDO确保电源管理方案对相位噪声和EVM没有不利影响。这种器件组合可以提供500 MHz至4.4 GHz频率范围内业界领先的直接变频发射机性能。<b
MILMEGA新款EMC测试放大器
2010年4月13日, 专业设计和制造固态高功率宽带放大器的MILMEGA公司于2010年亚太区电磁兼容(APEMC)国际学术大会及展览会期间宣布推出一款新的放大器产品。该款产品主要针对商用EMC测试IEC 61000-4-3 标准(覆盖频率范围为80 MHz~1 GHz)。MILMEGA的这一新产品将给EMC测试领域带来革命性的突破。
宽频带高功率射频脉冲功率放大器
利用MOS场效应管(MOSFET),采取AB类推挽式功率放大方式,采用传输线变压器宽带匹配技术,设计出一种宽频带高功率射频脉冲功率放大器模块,其输出脉冲功率达1200W,工作频段0.6M~10MHz。调试及实用结果表明,该放大器工作稳定,性能可靠
高精度程控电压放大器
摘要<BR>本设计以VCA822、MSP430F2012、DAC7611芯片为核心,加以其它辅助电路实现对宽带电压放大器的电压放大倍数、输出电压进行精确控制。放大器的电压放大倍数从0.2倍到20倍以0.1倍为步进设定,输出电压从6mv到600mv以1mv为步进设定,控制误差不大于5%,放大器的带宽大于15MHz。键盘和显示电路实现人机交互,完成对电压放大倍数和输出电压的设定和显示。<BR>关键词:
基于AD603程控增益大功率宽带直流放大器的设计
基于AD603程控增益大功率宽带直流放大器
5-12GHz新型复合管宽带功率放大器设计
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采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真,结果显示,在5~12 GHz频带内,复合晶体管结构的输出阻抗值更稳定,带宽得到有效扩展,最高增益达到11 dB,带内波动<0.5 dB,在9 GHz工作频率时,其1 dB压缩点处的输出功率为26 dBm。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12
高增益低功耗恒跨导轨到轨CMOS运放设计
<span id="LbZY">基于CSMC的0.5 μmCMOS工艺,设计了一个高增益、低功耗、恒跨导轨到轨CMOS运算放大器,采用最大电流选择电路作为输入级,AB类结构作为输出级。通过cadence仿真,其输入输出均能达到轨到轨,整个电路工作在3 V电源电压下,静态功耗仅为0.206 mW,驱动10pF的容性负载时,增益高达100.4 dB,单位增益带宽约为4.2 MHz,相位裕度为63
基于AD603程控宽带放大器的设计
本设计是采用AD603可控增益放大器芯片设计的一款高增益,高宽带直流放大器,采用两级级联放大电路了,提高了放大增益,扩展了通频带宽,而且具有良好的抗噪声系数,采用AT89S52芯片控制数模转换(DAC0832芯片)进行程控放大控制,在0—20MHz频带内,放大倍数在0-40dB之间进行调节,增益起伏为1dB。系统具有键盘输入预置,增益可调和液晶显示,具有很强的实际应用能力。
超高频窄带单级低噪声放大器的设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.99431800842285px;">文中介绍了一款超高频窄带低噪声放大器电路,该电路结构小巧(20 mm ×13 mm ,厚度为0.6 mm),功能
宽带直流放大器设计
放大器介绍