由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效,对整机应用的可靠性影响太大,因而有必要对CMOS器件进行抗静电措施。本文描述了CMOS器件受静电损伤的机理,从而对设计人员提出了几种在线路设计中如何抗静电,以保护CMOS器件不受损伤。
上传时间: 2013-11-05
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结合功率MOSFET管不同的失效形态,论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式,并说明了产生这样的损坏形态的原因,也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别,从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率MOSFET管在动态老化测试中慢速开通、在电池保护电路应用中慢速关断及较长时间工作在线性区时损坏的形态。最后,结合实际应用,论述了功率MOSFET通常会产生过电流和过电压二种混合损坏方式损坏机理和过程。
上传时间: 2013-11-14
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我公司生产的 USBkey 产品所使用的MCU 电路,自2007 年9 月初USBkey 产品开始量产化后,我们对其部分产品做了电老化试验,发现该款电路早期失效问题达不到我们要求,上电以后一段时间内失效率为千分之一点五左右。为此,我们从去年10 月到今年2 月对所生产的产品(已发出的除外)全部进行了电老化筛选,通过这项工作发现了一些规律性的东西,对提高电子产品的安全可靠性有一定指导意义。2 试验条件的设定造成电路早期失效的原因很多,从 IC 设计到半导体生产工艺、电路封装、焊接装配等生产工序和生产设备、生产材料、生产环境及人为的因素都有可能是成因,作为电路的使用方不可能都顾及到,也不可控。通过分析,我们认为还是着眼于该款电路在完成半导体生产工艺后,在后部加工中所产生的早期失效问题更有针对性。,因此决定从电路的后部加工工序即封装、COS 软件以及产品SMT 加工工艺等方面入手,安排几种比对试验并取得试验数据,以期找出失效原因。
上传时间: 2014-12-28
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采用60 Co 作为辐射源模拟空间辐射环境, 对光纤陀螺及其光电器件进行了大量的试验, 并对光纤陀螺及其光电器件受空间辐射影响的机理进行了研究, 得出光纤陀螺光电器件中保偏光纤环受辐射影响最严 重, 从而重点分析了光纤陀螺敏感器件保偏光纤环的辐射影响机理, 从原理上探讨了保偏光纤环在辐射条件下损耗的增加对光纤陀螺的影响, 为光纤陀螺抗辐射加固技术提供了理论基础。
上传时间: 2013-10-08
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驱动电路的性能很大程度上影响整个系统的工作性能。驱动电路的设计中主要考虑功能和性能等方面的因素。本文首先介绍了某平台的电机驱动电路,然后就实际工作及实验中驱动电路出现的失效信息作以分析,对问题进行总结: 导致样品失效原因是由于电机产生的反电动势使功率模块内部的三极管芯片产生表面击穿,致使电源与地短路,产生大电流导致功率模块与继电器以及三极管烧毁。最后并提出了解决方案。
上传时间: 2015-01-02
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ARM映象文件及执行机理
上传时间: 2013-12-14
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ARM学习报告002——Bootloader分析之机理篇
标签: Bootloader ARM 002 报告
上传时间: 2015-03-02
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ARM学习报告001——映象文件及执行机理
上传时间: 2013-12-23
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介绍: 读写INI文件的四个函数 如何取得计算机名 计算Windows从启动后所运行的总时间 使窗体右上角的X按钮失效删除系统菜单 动态改变及恢复屏幕设置下 制作垂直标题栏的窗体下 用API函数控制光驱的开关 等。
上传时间: 2015-04-09
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arm学习报告-4510篇(ARM映象文件及执行机理.pdf).rar
上传时间: 2013-12-12
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