大瓦数LED驱动
共 91 篇文章
大瓦数LED驱动 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 91 篇文章，持续更新中。
计算器实现加减乘除
实现一个大整数的加减乘除的基本运算的源代码，能运行出结果。
反激变换器的变压器学习
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对反激变压器漏感的一些认识_漏感与气隙的大小关系不大。耦合系数随着气隙的增大而下降。气隙增大会引起效率降低是因为Ipk的增大，漏感能量增大。气隙增大会引起绕组损耗增大是因为气隙扩散损耗的增大。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-111230151011N7.jpg" style="width: 17
四大EMC设计技巧讲解
EMC设计中的滤波器通常指由L，C构成的低通滤波器。滤波器结构的选择是由"最大不匹配原则"决定的。即在任何滤波器中，电容两端存在高阻 抗，电感两端存在低阻抗。<br />
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船载USB系统跟踪数传信号可行性研究
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">讨论了一种船载USB系统跟踪数传信号可行性的方案，为实现船载USB系统对飞船目标跟踪功能的备份提供了一个新的思路，该方案通过切换船载USB系统中跟踪接收机软件状态的方式来实现，此方法已成功应用于跟踪过境数传信号目标的跟
带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流
COOLMOS_原理结构
看到不少网友对COOLMOS感兴趣，把自己收集整理的资料、个人理解发出来，与大家共享。个人理解不一定完全正确，仅供参考。COOLMOS（super junction）原理，与普通VDMOS的差异如下：<br />
对于常规VDMOS器件结构，大家都知道Rdson与BV这一对矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，R
555电路综合应用
我们知道，555电路在应用和工作方式上一般可归纳为3类。每类工作方式又有很多个不同的电路。 在实际应用中，除了单一品种的电路外，还可组合出很多不同电路，如：多个单稳、多个双稳、单稳和无稳，双稳和无稳的组合等。这样一来，电路变的更加复杂。为了便于我们分析和识别电路，更好的理解555电路，这里我们这里按555电路的结构特点进行分类和归纳，把555电路分为3大类、8种、共18个单元电路。每个电路除画出它
一种基于LBT的分布式图像压缩算法
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">无线多媒体传感器网络（WMSNs）中传感器节点采集的数据量非常大，在传输前需对大数据量的多媒体信息进行压缩处理，但是单节点能源受限，存储、处理能力相对较
基于锁相放大原理的微弱信号检测电路
<span id="LbZY">针对目前成品锁相放大器价格昂贵且体积大，传统窄带滤波法性能和灵活性差的特点，设计了基于锁相放大器原理的微弱信号检测电路。本电路采用单片机作为激励信号和参考信号的发生器，利用带关断引脚的运放实现相敏检波器，整个电路仅使用了5个运算放大器和一些阻容元件。实验表明，本电路能实现了从信噪比为0.1的被测信号中提取有用信号幅值的功能，测量误差控制在5%以内。由于本电路有实现简
DN494 - 驱动一个低噪声、低失真18位、1.6Msps ADC
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LTC®2379-18 是一款 18 位、1.6Msps SAR ADC，具有极高的 SNR (101dB) 和 THD (–120dB)。该器件还具有一种独特的数字增益压缩功能，因而免除了在 ADC驱动器电路中增设一个负电源的需要。<br />
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PCF8591的AD和DA程序
PCF8591AD和DA驱动程序
模电、数电所必备的电路基础知识
模电、数电所必备的电路基础知识
模拟示波器驱动
东震三号模拟示波器
MT-019 DAC接口基本原理
本教程概述与内置基准电压源、模拟输出、数字输入和时钟驱动器的DAC接口电路相关的 一些重要问题。由于ADC也需要基准电压源和时钟，因此本教程中与这些主题相关的大多 数概念同样适用于ADC。
基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
基于N沟道MOS管H桥驱动电路设计与制作
功率MOSFET驱动保护电路方案
分析了对功率MOSFET器件的设计要求；设计了基于EXB841驱动模块的功率MOSFET驱动保护电路。该电路具有结构简单，实用性强，响应速度快等特点。在电涡流测功机励磁线圈驱动电路中的实际应用证明，该电路驱动能力及保护功能效果良好。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-120314142512R5.jpg" styl
模-数转换器设计指南 第十八版
模-数转换器设计指南 第十八版
MT-003 了解SINAD、ENOB、SNR、THD、THD + N、SFDR，不在噪底中迷失
用于定量表示ADC动态性能的常用指标有六个，分别是：SINAD(信纳比)、ENOB(有效位 数)、SNR(信噪比)、THD(总谐波失真)、THD + N(总谐波失真加噪声)和SFDR(无杂散动态 范围)
数电教材ppt
数电教材ppt
AD8397轨到轨、高输出电流放大器
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AD8397内置两个电压反馈型运算放大器，能够以出色的线性度驱动高负载。共发射极、轨到轨输出级的输出电压能力优于典型射随输出级，驱动25 负载时摆幅可以达到任一供电轨的0.5 V范围以内。低失真、高输出电流和宽输出动态范围使AD8397特别适合要求高负载上大信号摆幅的应用。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/8