本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分，介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围，然后根据实验分析了TEM图片，包括GaN多量子阱，重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图形，分析了他们对材料属性的影响。然后分析了多种氮化擦样品的光致发光谱和电致发光谱，并解释其光谱蓝移和红移现象。在属性部分最后介绍了基于密度泛函理论和第一性原理的CASTEP程序及其在分析GaN材料属性上的应用。在芯片结构设计部分，本文提出了三种高效率LED芯片的设计结构，分别是基于双光子晶体的LED芯片，基于微球模型的LED芯片，基于激光剥离衬底的大功率LED芯片。涉及到光子晶体理论，蒙特卡罗理论及激光剥离理论，本文分别介绍和分析了各类理论基础，并在此基础上提出新的设计结构，给出仿真分析结果。双光子晶体可以提供较完善的反射层，出射层。微球LED可以利用大尺寸表面结构来大大提高LED芯片的外量子效率。基于激光剥离衬底的大功率LED可以实现较好散热效果和功率。
标签： led
上传时间： 2022-06-25
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摘要：该系统基于扫频外差基本原理，以单片机和FPGA构成的最小系统为控制核心，可在任意指定频段内测量被测网络的幅频和相频特性并显示相应曲线。系统分DDS扫频信号源、被测网络、幅度和相位检测、控制模块及幅频、相频特性曲线显示等部分，在100Hz-100kHz范围内可自动步进测量被测网络的幅须特性和相频特性并自动设置频段范围，观察不同频段内网络的幅须特性和相须特性，并在示波器上同时显示幅须曲或和相须由线。关键词：扫频测试；现场可编程门降列（FPGA）；频率特性；直接数字式须率合成（DDS）频率特性是网络的性能最直观反映。频率特性测试仪是测量网络的幅频特性和相频特性，并显示相应曲线的一种快速、方便、动态、直观的测量仪器，可广泛应用于电子工程领域。该测试仪以扫频外差为基本原理，并以单片机和FPGA构成的最小系统为控制核心，很好地完成对有源双T网络进行频率在100Hz~l00kHz范围内的幅频响应和相频响应特性的测试，并实现在通用数字示波器上同时显示幅频和相频响应特性曲线。
上传时间： 2022-07-23
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