GaN基LED材料特性研究及芯片结构设计
本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后,从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分,介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围,然后根据实验分析了TEM图片,包括GaN多量子阱,重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图...
本文在介绍了氮化嫁材料的基本结构特征及物理化学特性之后,从氮化擦的外延结构的属性和氮化擦基高性能芯片设计两个方面对氮化家材料和器件结构展开了讨论。其中材料属性部分,介绍了透射电子显微镜的工作原理及其主要应用范围,然后根据实验分析了TEM图片,包括GaN多量子阱,重点分析了V型缺陷和块状缺陷的高分辨图...
摘要:该系统基于扫频外差基本原理,以单片机和FPGA构成的最小系统为控制核心,可在任意指定频段内测量被测网络的幅频和相频特性并显示相应曲线。系统分DDS扫频信号源、被测网络、幅度和相位检测、控制模块及幅频、相频特性曲线显示等部分,在100Hz-100kHz范围内可自动步进测量被测网络的幅须特性和相频...
基本磁场测量实验 真空镀膜...
基本电路理论 上海交大精品课件(陈洪亮版) PPT版...
半导体激光器基本工作原理...