以IRS2902S作D类功放驱动,以场效应管做功率放大,那么,栅极所串的二极管有什么作用?如果是为场效应管的栅极放电,但二极管D3,D4的正向电阻远远大于它们所并联的4.7R电阻,有大侠解惑。
上传时间: 2022-02-19
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本书的核心内容是关于半导体器件和有源电路的模拟电子电路基础。两位作者Robert L.Boylestad和Louis Nashelsky都是在大学从事电路分析、电子电路基础等相关学科教学的资深教授,在电子电路学科领域出版了多部优秀教材,受到很高的评价。本书自1972年首次出版至今已经修订至第九版,涵盖了更广泛和新颖的内容,成为流行30多年的优秀经典教材。这本改编版在第九版原版内容的基础上,结合国内高等教育中模拟电子电路课程的特点,进行了部分内容的调整。 内容提要 本书是英文原版教材Electronic Devices and Circuit Theory,Ninth.Edition之英文改编版《模拟电子技术》的翻译版,内容包括半导体器件基础、二极管及其应用电路、晶体管和场效应管放大电路的基本原理及频率响应、功率放大电路、多级放大电路、差分放大电路、电流源等模拟集成电路的单元电路、反馈电路、模拟集成运算放大器、电压比较器和波形变换电路等。本书对原版教材进行了改编,精简了内容,突出了重点,补充了必要知识点,内容更加新颖和系统化,反映了器件和应用的发展趋势,强调了系统工程的概念。 本书与英文版教材配套使用,适合电子、计算机、通信等相关专业电子电路基础课程40学时到68学时的中文或双语教学要求,也可供相关专业工程技术人员的学习和参考。
标签: 模拟电子
上传时间: 2022-03-21
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摘要:以N沟道増强型场效应管为核心,基于H桥PWM控制原理,设计了一种直流电机正反转调速驱动控制电路,满足大功率直流电机驱动控制。实验表明该驱动控制电路具有结构简单、驱动能力强、功耗低的特点。关键词:N沟道增强型场效应管;H桥;PWM控制;电荷泵;功率放大;直流电机1引言长期以来,直流电机以其良好的线性特性、优异的控制性能等特点成为大多数变速运动控制和闭环位置伺服控制系统的最佳选择。特别随着计算机在控制领域,高开关频率、全控型第二代电力半导体器件(GTR、GTO、MOSFET.、IGBT等)的发展,以及脉宽调制(PWM直流调速技术的应用,直流电机得到广泛应用。为适应小型直流电机的使用需求,各半导体厂商推出了直流电机控制专用集成电路,构成基于微处理器控制的直流电机伺服系统。但是,专用集成电路构成的直流电机驱动器的输出功率有限,不适合大功率直流电机驱动需求。因此采用N沟道増强型场效应管构建H桥,实现大功率直流电机驱动控制。该驱动电路能够满足各种类型直流电机需求,并具有快速、精确、高效、低功耗等特点,可直接与微处理器接口,可应用PWM技术实现直流电机调速控制。2直流电机驱动控制电路总体结构直流电机驱动控制电路分为光电隔离电路、电机驱动逻辑电路、驱动信号放大电路、电荷泵路、H桥功率驱动电路等四部分,其电路框图如图1所示。由图可以看出,电机驱动控制电路的外围接口简单。其主要控制信号有电机运转方向信号Dir电机调速信号PWM及电机制动信号 Brake,vcc为驱动逻辑电路部分提供电源,Vm为电机电源电压,M+、M-为直流电机接口。
上传时间: 2022-04-10
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恒流源(vCCS)的研究历经数十年,从早期的晶体管恒流源到现在的集成电路恒流源恒定电流在各个领域的广泛使用激发起人们对恒流源的研究不断深入和多样化。稳恒电流在加速器中的使用是加速器结构改善的一个标志。从早期的单一依靠磁场线圈到加入匀场环,到校正线圈的使用,束流输运系统的改进有效地提高了束流的品质,校正线圈是光刻于印制电路板上的导线圈,将其按照方位角放置在加速腔内,通电后,载流导线产生的横向磁场就可以起到校正偏心束流的作用。显然,稳定可调的恒流源是校正线圈有效工作的必要条件。针对现在加速粒子能量的提高,对校正线圈提出了新的供电需求,本文就这一需求研究了基于功率运算放大器的两种压控恒流源,为工程应用做技术储备。1设计思路用于校正线圈的恒流源供聚焦和补偿时使用输出功率不大,但要求调节精度高,稳定性好,纹波小。具体技术参数为:输出电流0~5A调节范围0.1~5.0A;调节精度5mA;负载电阻35;纹波稳定度优于1(相对5A);基准电压模块型号为REFo1而常用作恒流电源的电真空器件稳定电流建立时间长,场效应管夹断电压高、击穿电压低恒流区域窄,因此,我们选取了体积小效率高电流调节范围宽的放大器恒流源作为研究方向实验基本的设计思路是通过电源板将市电降压、整流、滤波后送入高精度电压基准源得到直流电压,输入功率运算放大器,在输出端得到放大的电流输出,如图1所示。
标签: 运算放大器
上传时间: 2022-04-24
上传用户:xsr1983
本文档的详细介绍的是史上最强AD元器件封装库的详细资料合集免费下载主要内容包括了:AD转换,CMOS系列,IC,TTL74系列IC,变压器,常用器件,场效应管,单片机及相关,电控开关,电子管,可控硅,模拟器件,数码管光耦,杂元件库,中央处理器。
标签: altium designer pcb
上传时间: 2022-04-29
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1.1 什么是整流电路整流电路(rectifying circuit)把交流电能转换为直流电能的电路。大多数整流电路由变压器、整流主电路和滤波器等组成。它在直流电动机的调速、发电机的励磁调节、电解、电镀等领域得到广泛应用。整流电路通常由主电路、滤波器和变压器组成,20世纪70年代以后,主电路多用硅整流二极管和晶闸管组成。滤波器接在主电路与负载之间,用于滤除脉动直流电压中的交流成分。变压器设置与否视具体情况而定。变压器的作用是实现交流输入电压与直流输出电压间的匹配以及交流电网与整流电路之间的电隔离。可以从各种角度对整流电路进行分类,主要的分类方法有:按组成的期间可分为不可控,半控,全控三种;按电路的结构可分为桥式电路和零式电路:按交流输入相数分为单相电路和多相电路;按变压器二次侧电流的方向是单向还是双向,又可分为单拍电路和双拍电路1.2整流电路的发展与应用电力电子器件的发展对电力电子的发展起着决定性的作用,因此不管是整流器还是电力电子技术的发展都是以电力电子器件的发展为纲的,1947年美国贝尔实验室发明了晶体管,引发了电子技术的一次革命:1957年美国通用公司研制了第一个品闸管,标志着电力电子技术的诞生:70年代后期,以门极可关断晶闸管(GTO)、电力双极型晶体管(BJT)和电力场效应晶体管(power-MOSFET)为代表的全控型器件迅速发展,把电力电子技术推上一个全新的阶段:80年代后期,以绝缘极双极型品体管(IGBT)为代表的复合型器件异军突起,成为了现代电力电子技术的主导器件。另外,采用全控型器件的电路的主要控制方式为PWM脉宽调制式,后来,又把驱动,控制,保护电路和功率器件集成在一起,构成功率集成电路(PIC),随着全控型电力电子器件的发展,电力电电路的工作频率也不断提高。同时。电力电子器件的开关损耗也随之增大,为了减小开关损耗,软开关技术便应运而生,零电压开关(ZVS)和零电流开关(ZCS)把电力电子技术和整流电路的发展推向了新的高潮。
标签: 整流电路
上传时间: 2022-06-18
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音响作为科学技术语或名词,至今似尚无公认的科学定义。音响技术的发展经历了电子管、晶体管、场效应管的历史时期,在不同的历史时期部各有其特点。预计音响技术今后的发展主流为数字音响技术。80年代初数字音响技术推广到民用范围.从而使音响技术进入一个新时代。与模拟音响相比较,数字音响可使信噪比、动态范用、声道分离度、谐波失真、频率响应等性能指标有显著提高。应特别指出的是目前用于音响放大器的许多客部件已标准化、系列化,其电路形式也大体定型。因此,在设计时应尽量引用现成的单元电路,按一定的规则进行组合,设计出符合要求的音响放大器。为进行小系统电路设计的综合训练,本课题设汁一种具有电子混响、音调控制并可以实现“卡拉OK"伴唱的音响放大器。1.1 设计目的与意义1,设计目的(1)了解音响放大器的构成,并组成一个简单的音响放大器。(2)理解音调控制器,集成功率放大器的工作原理和应用方法。(3)理解和掌握音响放大器的主要技术指标和测试方法。(4)根据给出的技术条件和指标,设计音响放大器。(5)能够独立搭接电路、掌握调试技术。2,设计意义(1)音啊技术的发展经历了电子管、晶体管、场效应管的历史时期,在不同的历史时期都各有其特点。
上传时间: 2022-06-18
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本文只是论述由单只IGBT管子或双管做成的逆变模块,及其有关测量和判断好坏的方法。IPM模块不在本文讨论内容之内。场效应管子有开关速度快、电压控制的优点,但也有导通压降大,电压与电流容量小的缺点。而双极型器件恰恰有与其相反的特点,如电流控制、导通压降小,功率容量大等,二者复合,正所谓优势互补。IGBT管子,或者1GBT模块的由来,即基于此。从结构上看,类似于我们都早已熟悉的复合放大管,输出管为一只PNP型三极管,而激励管是一只场效应管,后者的漏极电流形成了前者的基极电流。放大能力是两管之积。IGBT管子的等效电路及符号如下图:
上传时间: 2022-06-21
上传用户:jiabin
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)绝缘栅双极型品体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFEt高输入阻抗和GT的低导通压降两方面的优点。IGB综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。成为功率半导体器件发展的主流,广泛应用于风电、光伏、电动汽车、智能电网等行业中。在电动汽车行业中,电机控制器、辅助动力系统,电动空调中,IGBT有着广泛的使用,大功率IGB多应用于电机控制器中,由于电动汽车电机控制器工作环境干扰比较大,IGBT的门极分布电容及实际开关中存在的米勒效应等寄生参数的直接影响到驱动电路的可靠性1电机控制器在使用过程中,在过流、短路和过压的情况下要对1GBT实行比较完善的保护。过流会引起电机控制器的温度上升,可通过温度传感器来进行检测,并由相应的电路来实现保护;过压一般发生在IGBT关断时,较大的di/dt会在寄生电感上产生了较高的电压,可通过采用缓冲电路来钳制,或者适当降低开关速率。短路故障发生后瞬时就会产生极大的电流,很快就会损坏1GBT,主控制板的过流保护根本来不及,必须由硬件电路控制驱动电路瞬间加以保护。因此驱动器的设计过程中,保护功能设计得是否完善,对系统的安全运行尤其重要。
上传时间: 2022-06-22
上传用户:XuVshu
怎样判断IGBT MOS管的好坏?怎么检测它的引脚?IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡,用万用表测量时, 若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大, 则判断此极为栅极(G )。其余两极再用万用表测量, 若测得阻值为无穷大, 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极( C);黑表笔接的为发射极(E)。2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ 挡,用黑表笔接IGBT 的集电极(C),红表笔接IGBT 的发射极( E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极( G)和集电极(C),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极( G)和发射极( E),这时IGBT 被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。3、注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用表拨在R×10KΩ 挡,因R×1KΩ 挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管( P-MOSFET )的好坏。现在经常要检测MOS 管了,转几篇MOS 管的检测方法,以备随时观摩!用万用表检测MOS 开关管好坏的方法一、MOS 开关管针脚判断:在电脑上, MOS 管都是N 沟道增强型的MOSFET 开关管, 大部分都采用TO-220F 封装,其针脚判断方法是:将针脚向下,印有型号的面向自己,左边的是栅极,中间是漏极,右边是源极。
上传时间: 2022-06-22
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