DRV832X系列设备是集成门三相应用的驱动程序。设备提供三个半桥门驱动程序，每个驱动程序驱动高侧和低侧N通道功率MOSFET。DRV832X生成正确的门驱动电压使用集成电荷泵高压侧场效应晶体管和线性调节器低侧场效应晶体管。智能门驱动架构支持多达1-A源和2-A汇峰门驱动电流能力。DRV832X可以操作单电源供电，支持宽输入门驱动器的电源范围为6至60-V，4至60-V用于可选降压调节器。
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上传时间： 2022-07-26
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为使本书成为国内目前 最新、最全、最适用的晶体管 代换手册，编者根据国内外 出版的最新资料，在1992年 最新增订版的基础上，又增 加了数千种日本晶体管和数 千种欧州晶体管型号及其代 换的国内外型号，并且，还介 绍了美国1985年以前生产 的3N型场效应管及其代换 型号。 本手册介绍了数万种国 外晶体管（包括部分场效应 管）的型号、用途、极性、主要 参数、国外代换型号、国内代 换型号以及具有管脚排列和 实际尺寸的外形图。手册还 介绍了中国、国际、美国、日 本等半导体器件型号命名法 等内容。 本手册的特点是：资料 新颖，型号齐全，查阅方便， 实用性强，可供业余无线电 爱好者、电子和通讯专业的 工人和工程技术人员使用。
上传时间： 2013-12-11
上传用户：liu999666
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。
上传时间： 2013-11-03
上传用户：panpanpan
§5.1 频率响应概述 §5.2 晶体管的高频等效模型 §5.3 场效应管的高频等效模型 §5.4 单管放大电路的频率响应 §5.5 多级放大电路的频率响应 §5.6 集成运放的频率响应和频率补偿 §5.7 频率响应与阶跃响应
上传时间： 2013-11-12
上传用户：CHENKAI
运放电路中的恒流源电路分析方法 普通镜像恒流源、多集电极恒流源、高精度镜像恒流源、高内阻恒流源和镜像微恒流源电路，以及恒流源电路输出电阻的计算等。 分析恒流源电路的方法是： （1）确定恒流源电路中的基准晶体管或场效应管； （2） 计算或确定基准电流； &nbbsp; （4）绘制恒流部分的交流通路，确定恒流源的内阻。 由于恒流源的内阻较大，计算恒流源内阻时不能忽略三极管集电极与发射极之间，或场效应管漏极与源极之间的动态电阻
上传时间： 2013-10-09
上传用户：gxmm
关于PCB封装的资料收集整理. 大的来说,元件有插装和贴装.零件封装是指实际零件焊接到电路板时所指示的外观和焊点的位置。是纯粹的空间概念.因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD）这种元件不必钻孔，用钢膜将半熔状锡膏倒入电路板，再把SMD 元件放上，即可焊接在电路板上了。晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。LIB库中，简简单单的只有NPN与PNP之分，但实际上，如果它是NPN的2N3055那它有可能是铁壳子的TO—3，如果它是NPN的2N3054，则有可能是铁壳的TO-66或TO-5，而学用的CS9013，有TO-92A，TO-92B，还有TO-5，TO-46，TO-52等等，千变万化。还有一个就是电阻，在DEVICE 库中，它也是简单地把它们称为RES1 和RES2，不管它是100Ω 还是470KΩ都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决定的我们选用的1/4W 和甚至1/2W 的电阻，都可以用AXIAL0.3 元件封装，而功率数大一点的话，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下：电阻类及无极性双端元件：AXIAL0.3-AXIAL1.0无极性电容：RAD0.1-RAD0.4有极性电容：RB.2/.4-RB.5/1.0二极管：DIODE0.4及DIODE0.7石英晶体振荡器：XTAL1晶体管、FET、UJT：TO-xxx(TO-3,TO-5)可变电阻（POT1、POT2）：VR1-VR5这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分来记如电阻AXIAL0.3 可拆成AXIAL 和0.3，AXIAL 翻译成中文就是轴状的，0.3 则是该电阻在印刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里，是以英制单位为主的。同样的，对于无极性的电容，RAD0.1-RAD0.4也是一样；对有极性的电容如电解电容，其封装为RB.2/.4，RB.3/.6 等，其中“.2”为焊盘间距，“.4”为电容圆筒的外径。对于晶体管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶体管，就用TO—3，中功率的晶体管，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金属壳的，就用TO-66，小功率的晶体管，就用TO-5，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管脚也长，弯一下也可以。对于常用的集成IC电路，有DIPxx，就是双列直插的元件封装，DIP8就是双排，每排有4个引脚，两排间距离是300mil,焊盘间的距离是100mil。SIPxx 就是单排的封装。等等。值得我们注意的是晶体管与可变电阻，它们的包装才是最令人头痛的，同样的包装，其管脚可不一定一样。例如，对于TO-92B之类的包装，通常是1 脚为E（发射极），而2 脚有可能是B 极（基极），也可能是C（集电极）；同样的，3脚有可能是C，也有可能是B，具体是那个，只有拿到了元件才能确定。因此，电路软件不敢硬性定义焊盘名称（管脚名称），同样的，场效应管，MOS 管也可以用跟晶体管一样的封装，它可以通用于三个引脚的元件。Q1-B，在PCB 里，加载这种网络表的时候，就会找不到节点（对不上）。在可变电阻
上传时间： 2013-11-03
上传用户：daguogai
IC参数
上传时间： 2015-01-02
上传用户：digacha
集成运算放大器电路、引入计算机仿真与虚拟实验、强调晶体管和场效应管特性、集成运算放大器的传输特性及理想模型，集成运放在线性运算，变换和有源滤波中的应用
标签： 模电
上传时间： 2015-02-14
上传用户：flykite
本书的核心内容是关于半导体器件和有源电路的模拟电子电路基础。两位作者Robert L．Boylestad和Louis Nashelsky都是在大学从事电路分析、电子电路基础等相关学科教学的资深教授，在电子电路学科领域出版了多部优秀教材，受到很高的评价。本书自1972年首次出版至今已经修订至第九版，涵盖了更广泛和新颖的内容，成为流行30多年的优秀经典教材。这本改编版在第九版原版内容的基础上，结合国内高等教育中模拟电子电路课程的特点，进行了部分内容的调整。 内容提要 本书是英文原版教材Electronic Devices and Circuit Theory,Ninth．Edition之英文改编版《模拟电子技术》的翻译版，内容包括半导体器件基础、二极管及其应用电路、晶体管和场效应管放大电路的基本原理及频率响应、功率放大电路、多级放大电路、差分放大电路、电流源等模拟集成电路的单元电路、反馈电路、模拟集成运算放大器、电压比较器和波形变换电路等。本书对原版教材进行了改编，精简了内容，突出了重点，补充了必要知识点，内容更加新颖和系统化，反映了器件和应用的发展趋势，强调了系统工程的概念。 本书与英文版教材配套使用，适合电子、计算机、通信等相关专业电子电路基础课程40学时到68学时的中文或双语教学要求，也可供相关专业工程技术人员的学习和参考。
标签： 模拟电子
上传时间： 2022-03-21
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恒流源（vCCS）的研究历经数十年，从早期的晶体管恒流源到现在的集成电路恒流源恒定电流在各个领域的广泛使用激发起人们对恒流源的研究不断深入和多样化。稳恒电流在加速器中的使用是加速器结构改善的一个标志。从早期的单一依靠磁场线圈到加入匀场环，到校正线圈的使用，束流输运系统的改进有效地提高了束流的品质，校正线圈是光刻于印制电路板上的导线圈，将其按照方位角放置在加速腔内，通电后，载流导线产生的横向磁场就可以起到校正偏心束流的作用。显然，稳定可调的恒流源是校正线圈有效工作的必要条件。针对现在加速粒子能量的提高，对校正线圈提出了新的供电需求，本文就这一需求研究了基于功率运算放大器的两种压控恒流源，为工程应用做技术储备。1设计思路用于校正线圈的恒流源供聚焦和补偿时使用输出功率不大，但要求调节精度高，稳定性好，纹波小。具体技术参数为：输出电流0~5A调节范围0.1~5.0A；调节精度5mA；负载电阻35；纹波稳定度优于1（相对5A）；基准电压模块型号为REFo1而常用作恒流电源的电真空器件稳定电流建立时间长，场效应管夹断电压高、击穿电压低恒流区域窄，因此，我们选取了体积小效率高电流调节范围宽的放大器恒流源作为研究方向实验基本的设计思路是通过电源板将市电降压、整流、滤波后送入高精度电压基准源得到直流电压，输入功率运算放大器，在输出端得到放大的电流输出，如图1所示。
标签： 运算放大器
上传时间： 2022-04-24
上传用户：xsr1983
