DRV8320 DRV832X系列数据手册
DRV832X系列设备是集成门三相应用的驱动程序。设备提供三个半桥门驱动程序，每个驱动程序驱动高侧和低侧N通道功率MOSFET。DRV832X生成正确的门驱动电压使用集成电荷泵高压侧场效应晶体管和线性调节器低侧场效应晶体管。智能门驱动架构支持多达1-A源和2-A汇峰门驱动电流能力。DRV832X可以...
场效应晶体管技术资料
📦 资源总数：1162
📄 技术文档：3
💻 源代码：1602
🔌 电路图：1
场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
🔥 场效应晶体管热门资料
查看全部1162个资源 »晶体管代换手册下载
为使本书成为国内目前 最新、最全、最适用的晶体管 代换手册，编者根据国内外 出版的最新资料，在1992年 最新增订版的基础上，又增 加了数千种日本晶体管和数 千种欧州晶体管型号及其代 换的国内外型号，并且，还介 绍了美国1985年以前生产 的3N型场效应管及其代换 型号。 本手...
IGBT模块系列
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电...
第5章 放大电路的频率响应
§5.1 频率响应概述 §5.2 晶体管的高频等效模型 §5.3 场效应管的高频等效模型 §5.4 单管放大电路的频率响应 §5.5 多级放大电路的频率响应 §5.6 集成运放的频率响应和频率补偿 §5.7 频率响应与阶跃响应...
运放中恒流源电路分析方法
运放电路中的恒流源电路分析方法 普通镜像恒流源、多集电极恒流源、高精度镜像恒流源、高内阻恒流源和镜像微恒流源电路，以及恒流源电路输出电阻的计算等。 分析恒流源电路的方法是： （1）确定恒流源...
📄 场效应晶体管技术文档
查看更多 »💻 场效应晶体管源代码
查看更多 »📂 场效应晶体管资料分类