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电子教程-MOS门电路.ppt场效应三极管：电压控制元件，仅用一种载流子参与导电。电子作为载流子称为N沟道器件，空穴作为载流子的称为P沟道器件。每一类又分为增强型和耗尽型两种...
场效应晶体管技术资料
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场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
🔥 场效应晶体管热门资料
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以IRS2902S作D类功放驱动，以场效应管做功率放大，那么，栅极所串的二极管有什么作用？如果是为场效应管的栅极放电，但二极管D3，D4的正向电阻远远大于它们所并联的4.7R电阻,有大侠解惑。...
基于H桥PWM控制的直流电机正反转调速驱动控制电路
摘要：以N沟道増强型场效应管为核心，基于H桥PWM控制原理，设计了一种直流电机正反转调速驱动控制电路，满足大功率直流电机驱动控制。实验表明该驱动控制电路具有结构简单、驱动能力强、功耗低的特点。关键词：N沟道增强型场效应管；H桥；PWM控制；电荷泵；功率放大；直流电机1引言长期以来，直流电机以其良好的...
Altium Designer的pcb库
本文档的详细介绍的是史上最强AD元器件封装库的详细资料合集免费下载主要内容包括了：AD转换，CMOS系列，IC，TTL74系列IC，变压器，常用器件，场效应管，单片机及相关，电控开关，电子管，可控硅，模拟器件，数码管光耦，杂元件库，中央处理器。...
变频器维修之IGBT模块的原理和测量及判断
本文只是论述由单只IGBT管子或双管做成的逆变模块，及其有关测量和判断好坏的方法。IPM模块不在本文讨论内容之内。场效应管子有开关速度快、电压控制的优点，但也有导通压降大，电压与电流容量小的缺点。而双极型器件恰恰有与其相反的特点，如电流控制、导通压降小，功率容量大等，二者复合，正所谓优势互补。IGB...
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