器件参数
共 156 篇文章
器件参数 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 156 篇文章，持续更新中。
滤波器的参数
<P>滤波器的概述,滤波器的种类,滤波器的原理介绍,滤波器的主要参数说明.</P>
<P><IMG src="http://dl.eeworm.com/ele/img/2008831056537948.jpg" border=0></P>
多反馈滤波器学习笔记
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多反馈滤波器是一种流行的滤波器结构，以运算放大器作为积分器，如图1所示。因而，其传递函数对运算放大器参数的依赖度高于Sallen-Key设计。
分层隔离技术文档
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利用序列光耦合器建立双隔离栅会存在一些问题，因为数据完整性很差，而且没有一种紧凑和廉价的方式为两个隔离栅之间的接口提供电源。随着iCoupler®等高性能数字隔离器以及isoPower®器件集成电源的问世，通过分层隔离器建立高压隔离栅现在已经成为一种可行解决方案。<br />
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虚拟实现技术在典型差动放大电路特性分析中的应用
介绍了差动放大电路演变历程，理论上分析了典型差动放大的工作原理以及特性参数的计算公式：应用虚拟实现技术一Pmteus软件进行了静态特性、差模输入信号、共模输入信号的实验研究，并对实验现象进行了分析。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12032G543209B.jpg" /><br />
理想的电压反馈型(VFB)运算放大器
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运算放大器是线性设计的基本构建模块之一。在经典模式下，运算放大器由两个输入引脚和一个输出引脚构成，其中一个输入引脚使信号反相，另一个输入引脚则保持信号的相位。运算放大器的标准符号如图1所示。其中略去了电源引脚，该引脚显然是器件工作的必需引脚。
同步多个1 GSPS直接数字频率合成器AD9910
多个DDS器件同步后，就可以在多个频率载波实现相位和幅度的精确数字调谐控制。这种控制在雷达应用和用于边带抑制的正交(I/Q)上变频中很有用。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-130201155531143.jpg" style="width: 399px; height: 398px; " /><br />
液压传动系统设计与计算
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液压系统设计的步骤大致如下：<br />
1.明确设计要求，进行工况分析。<br />
2.初定液压系统的主要参数。<br />
3.拟定液压系统原理图。<br />
4.计算和选择液压元件。<br />
5.估算液压系统性能。<br />
6.绘制工作图和编写技术文件。<br />
根据液压系统的具体内容，上述设计步骤可能会有所不同，下面对各步骤的具体内容进行介绍。</p
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
双极运算放大器的辐射效应和退火特性
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本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是6
用于高性能显示接口评估板的10位接口电路板
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10位显示接口板(DIB)的作用是协助评估AD9981或AD9980。它与评估板一起用来评估这些器件，属于评估板套件的一部分。它是一种导管，可在任何平板显示器、CRT、LCD(或DLP)投影仪或TFT平板(带LVDS接口)上显示<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-121109144049B1.jpg
CoolMos的原理、结构及制造
对于常规VDMOS器件结构， Rdson与BV存在矛盾关系，要想提高BV，都是从减小EPI参杂浓度着手，但是外延层又是正向电流流通的通道，EPI参杂浓度减小了，电阻必然变大，Rdson增大。所以对于普通VDMOS，两者矛盾不可调和。<br />
但是对于COOLMOS，这个矛盾就不那么明显了。通过设置一个深入EPI的的P区，大大提高了BV，同时对Rdson上不产生影响。为什么有了这个深入衬底的P区
实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算<BR>方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义．
大学物理实验RC电路时间常数的Multisim仿真测试
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">基于探索大学物理电学实验仿真技术的目的，采用Multisim10仿真软件对RC电路时间常数参数进行了仿真实验测试。从RC电路电容充、放电时电容电压uC的表达式出发，分析了uC与时间常数之间的关系，给出了几种Multis
一种新的ISM频段低噪声放大器设计方法
为解决ISM频段低噪声放大器降低失配与减小噪声之间的矛盾,提出了一种改善放大器性能的设计方法.分析了单项参数的变化规律,提出了提高综合性能的方法,给出了放大器封装模型的电路结构.对射频放大器SP模型和封装模型进行仿真.仿真结果表明,输入和输出匹配网络对放大器的性能有影响,所提出的设计方法能有效分配性能指标,为改善ISM频段低噪声放大器的性能提出了一种新的途径
世界最新晶体管代换手册
<P>世界最新晶体管代换手册</P>
<P><FONT color=#222222><IMG src="http://dl.eeworm.com/ele/img/200871817151911042.jpg" border=0></FONT></P>
<P><FONT color=#222222>一、半导体器件型号命名法<BR>二、手册中使用的缩略语<BR>三、晶体管参数符号及其说明<BR>四、晶
Construction Strategy of ESD P
Construction Strategy of ESD Protection Circuit<BR>Abstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept<BR>ions of ESD protection design are presented.<BR>Key wo
无功功率自动补偿控制器
1) 全数字化设计，交流采样，人机界面采用大屏幕点阵图形128X64 LCD中文液晶显示器。 2) 可实时显示A、B、C各相功率因数、电压、电流、有功功率、无功功率、电压总谐波畸变率、电流总谐波畸变率、电压3、5、7、9、11、13次谐波畸变率、电流3、5、7、9、 11、13次谐波畸变率频率、频率、电容输出显示及投切状态、报警等信息。 3) 设置参数中文提示，数字输入。 4) 电容器控制方案支持
非理想运放构建的低通滤波电路优化设计
<span id="LbZY">分析了基于理想运算放大器构建的滤波器性能以及参数选原则。针对理想运算放大器所构建的滤波器模型当运算放大器为非理想器件时所制造出的滤波器响应性能并不理想这一问题。研究了非理想运算放大器构建的滤波器器件参数对响应时间的影响，提出了一种选取其最优参数值以构建所需滤波器的方法，实验结果表明了该方法的有效性。<br />
<img alt="" src="http://dl.
ST微控制器振荡器电路设计指南
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本应用指南介绍了Pierce振荡器的基本知识，并提供一些指导作法来帮助用户如何规划一个好的振荡器设计，如何确定不同的外部器件的具体参数以及如何为振荡器设计一个良好的印刷电路板。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/319641-1201131A3151F.jpg" /></p>
很全的电子元器件基础知识讲义
常用电子元器件的基本知识归纳！适合初学者使用借鉴！