本文主要介绍对智能仪表中调节参数的一种新方法。米取了通用的徽调 电位器的硬件电路和经过数字化处理的软件方法, 使参数的调节及修正既方便又能 长期保存。文中给出了有关的数学推导、硬件电路及软件程序。
上传时间: 2013-12-21
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提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型,可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大,以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法,优化了任意工作范围内,基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计,实现了低电压低功耗。为得到较宽的增益范围,应用了一种新颖的伪幂指函数。利用Cadence中spectre工具仿真,结果表明,在1.2 V的工作电压下,具有76 dB的增益,控制电压范围超过0.8 V,带宽范围从34 MHz到183.6 MHz,功耗为0.82 mW。
上传时间: 2013-11-10
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1N系列稳压管参数
上传时间: 2013-10-11
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主要介绍场效应管H参数的模型
上传时间: 2014-01-09
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为了提高语音信号的识别率,提出了一种改进的LPCC参数提取方法。该方法先对语音信号进行预加重、分帧加窗处理,然后进行小波分解,在此基础上提取LPCC参数,从而构成新向量作为每帧信号的特征参数。最后采用高斯混合模型(GMM)进行说话人语音识别,实验表明新特征参数取得了较好的识别率。
上传时间: 2013-10-10
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整流二极管参数10A05--10A10
上传时间: 2013-10-21
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整流二极管参数6A01--6A07
上传时间: 2013-11-02
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整流二极管参数1N5400G--1N5408G
上传时间: 2013-11-23
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整流二极管参数(1N4001-1N4007)
上传时间: 2013-12-18
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1N5X系列二极管参数及代换
上传时间: 2013-10-25
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