在深入了解Flash存储器的基础上，采用单片机自动检测存储器无效块。主要通过读取每一块的第1、第2页内容，判断该块的好坏，并给出具体的实现过程，以及部分关键的电路原理图和C语言程序代码。该设计最终实现单片机自动检测Flash坏块的功能，并通过读取ID号检测Flash的性能，同时该设计能够存储和读取1GB数据。 Abstract: On the basis of in-depth understanding the Flash chips，this paper designs a new program which using the SCM to detect the invalid block.Mainly through reading the data of the first and second page to detect the invalid block.Specific implementation procedure was given,and the key circuit schematic diagram and C language program code was introduced.This design achieved the function of using the MCU checks the invalid block finally，and increased the function by reading the ID number of Flash to get the performance of the memory.And the design also can write and read1GB data
上传时间： 2013-10-25
上传用户：taozhihua1314
从今天开始，我们的课程终于进入F2812的核心了，呵呵。在今天的课程中，我们将带领大家一起学习2812的片内资源，初步了解它究竟有哪些本事，能拿来干些什么，然后一起了解2812存储器的结构，统一编址的方式、存储器映射关系，并重点分析CMD文件，以期望消除大家对CMD文件的迷惑，在自己编写程序的时候会修改CMD文件中的部分内容，从而满足自己设计时的需求。
上传时间： 2013-10-30
上传用户：feitian920
一、实验要求编制程序，对实验箱上提供的外部存贮器（62256）进行读写操作。二、实验目的掌握随机存储器的读写方法。三、实验说明1．单片机系统中，对片外存贮器的读写操作是最基本的操作。通过本实验了解单片机读写片外存储器的读写方法，并藉此来熟悉MCS51单片机编程的基本规则、基本指令的使用和调试程序的方法。2．ADuC831片内有2K字节XRAM，当堆栈不扩展使用时，片内XRAM占用外部数据存储空间的低2K字节，所以，寻址片外数据存储器时要大于2K字节空间。四、实验电路连线本实验不需要连线。
上传时间： 2013-11-11
上传用户：liu999666
LM3S 系列微控制器Flash 存储器应用
上传时间： 2014-12-27
上传用户：weixiao99
LT153是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个1024*13bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有15位选项位可满足用户要求，其中的保护位可用来防止程序被读出。
上传时间： 2013-10-08
上传用户：1234xhb
LT157是采用低耗高速CMOS工艺制造的8位单片机，它内部包含一个2K*13bit的一次性可编程只读电存储器(OTP-ROM)。有7位选项位可满足用户要求，其中的保护位可用来防止程序被读出。
上传时间： 2013-10-28
上传用户：蠢蠢66
AT89S51是美国生产的低功耗，高性能CMOS8位单片机，片内含4K BYTES的可系统编程FLASH只读程序存储器，器件采用ATMEL公司的高密度，非易失性存储技术生产，兼容标准8051指令系统及引脚。
上传时间： 2014-12-27
上传用户：bvdragon
ARM系列单片机是当前发展最快的一类嵌入式处理器，用其构成的嵌入式系统具有结构简单，功能强大，处理速度快、功耗低等诸多优点。在嵌入式系统设计中，存储器模块是最常用的模块，本文以Philips公司生产32位ARM单片机LPC2114单片机作为不开放总线的ＡＲＭ单片机典型代表与常见存储器的接口技术，并将其接口方式和传统的8位MCS－51单片机的存储器接口进行比较，使读者明白其异同，快速开发出适合于各类应用的32位嵌入式系统。
上传时间： 2013-12-06
上传用户：chenjjer
LM3S 系列微控制器Flash 存储器应用 在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统，该存储器系统可用作代码和数据的存储。它在整个存储器中所处的位置在最起始的位置，一般其起始地址从零开始。
上传时间： 2013-10-09
上传用户：aix008
NXP半导体设计的LPC3000系列ARM芯片，适用于要求高性能和低功耗结合的嵌入式应用中。 NXP通过使用90纳米的处理技术，将一个带有矢量浮点协处理器的ARM926EJ-S CPU内核与一系列包括USB On-The-Go在内的标准外设结合起来，从而实现LPC3000的性能目标。LPC3000系列ARM可工作在高于266MHz的CPU频率下。ARM926EJ-S CPU内核加入5级流水处理并采用哈佛结构。该内核还具有一个完整的存储器管理单元（MMU），以提供支持现代操作系统多程序设计所需的虚拟存储器功能。ARM926EJ-S CPU内核还包含了带有单周期MAC操作的一系列DSP指令扩展，以及Jazelle Java字节代码执行。NXP实现的器件具有一个32kB指令高速缓存和32kB数据高速缓存。
上传时间： 2013-11-20
上传用户：xiaowei314
