📚 发射极技术资料

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发射极(emitterelectrode)是指由晶体管发射区引出的电极。发射极符号为E。一只半导体三极管有三个电极,分别是发射极、基极和集电极。

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IGBT是MOSFET与双极晶体管的复合器件。它既有MOSFET易驱动的特点,又具有功率晶体管电压、电流容量大等优点。其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz频率范围内,故在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。 IGBT是电压控制型器件,在它的栅极-发射极间施加十几...

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电压驱动型脉宽调制器TL494 1、TL494的特点与功能 TL494是美国德州仪器公司生产的电压驱动型脉宽调制器,可显示器、计算机等系统电路中作为开关电源电路,TL494的输出三极管可接成共发射极及射极跟随器两种方式,因而可以选择双端推挽输出或单端输出方式,在推挽输出方式时,它的两路驱动脉冲相差1...

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