反向击穿

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提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS,该结构改善了表面电场分布,从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证,并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化,结果表明,在保证LDMOS器件参数不变的条件下,采用...

2013-10-18 113 反向击穿

论文在对攻击知识和攻击知识库进行综合分析的基础上,针对网络设备的抗攻击能力测试要求,提出了一种面向抗攻击测试的攻击知识库设计方案。该方案既着眼于被测目标的属性,又结合了攻击行为自身的特

2024-05-16 7 反向击穿