基于硅堆的猝发高压脉冲源初步实验研究
为了产生驱动多幅闪光照相的高重频猝发高压电脉冲，开展了基于硅堆隔离的猝发高压脉冲发生装置的可行性研究。对普通整流硅堆脉冲条件的导通电流，反向关断时间进行了实验研究；采用脉冲形成线产生矩形脉冲，利用不同长度传输线的传输时延产生多脉冲，以硅堆隔离的方式实现多脉冲在负载的输出。研究表明：硅堆在500 ns...
双硅技术资料
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双硅技术，作为现代电子设计中的关键组成部分，以其卓越的性能和广泛的应用领域备受工程师青睐。从高性能集成电路到先进的传感器解决方案，双硅技术在提高设备效率与可靠性方面发挥着不可替代的作用。本页面汇集了3214个精选资源，涵盖最新研究成果、实用案例分析及开发指南等，旨在为电子工程师提供全面的学习资料和技术支持，助力您掌握前沿科技，推动项目创新与发展。
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