友达集成电路
共 40 篇文章
友达集成电路 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 40 篇文章，持续更新中。
Construction Strategy of ESD P
Construction Strategy of ESD Protection Circuit<BR>Abstract： The principles used to construct ESD protection on circuits and the basic concept<BR>ions of ESD protection design are presented.<BR>Key wo
复旦cmos学习课件(模拟集成电路设计原理)
这是在网上找了好久的课件，比较不错，上面还有我的笔记，主要讲解模拟集成电路设计原理。
数字集成电路设计Digital Integrated Circuit Design
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This unique guide to designing digital VLSI circuits takes a top-down approach, reflecting the natureof the design process in industry. Starting with architecture design, the bo
集成电路运算放大器的线性应用
集成电路运算放大器的线性应用<BR>基本运算电路<BR>对数和指数运算电路<BR>集成模拟乘法器<BR>有源滤波电路
高增益跨导型运算放大器设计
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运算放大器作为模拟集成电路设计的基础，同时作为DAC校准电路的一部分，本次设计一个高增益全差分跨导型运算放大器。</p>
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<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-12020Q63525448.jpg" style="width: 656px; height: 360px; " /></p>
模数转换AD集成电路设计原理及其应用技术
希望需要者参考
基于运算放大器和模拟集成电路设计
研究信号放大的可以看看
锁相环技术及CD4046的结构和应用
叙述了锁相环的应用及其结构特点, 较详细地介绍了锁相集成电路CD4046的结构特点和应用。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/177094-12041G50516296.jpg" />
基于USB的高清彩色CCD图像采集系统
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">提出一种基于USB的彩色CCD高清图像采集系统设计方案。图像数据的来源采用的是SONY公司的 ICX205AK芯片，结合USB2.0接口，复杂可编程逻辑器件CPLD设计了一个高速的彩色CCD图像采集系统。文中详细阐述了
采用FemtoCharge技术的高速、高分辨率、低功耗的新一代ADC
先进的系统架构和集成电路设计技术，使得模数转换器 (ADC) 制造商得以开发出更高速率和分辨率，更低功耗的产品。这样，当设计下一代的系统时，ADC设计人员已经简化了很多系统平台的开发。例如，同时提高ADC采样率和分辨率可简化多载波、多标准软件无线电系统的设计。这些软件无线电系统需要具有数字采样非常宽频范围，高动态范围的信号的能力，以同步接收远、近端发射机的多种调制方式的高频信号。同样，先进的雷达系
一种X波段频率合成器的设计方案
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在非相参雷达测试系统中，频率合成技术是其中的关键技术.针对雷达测试系统的要求，介绍了一种用DDS激励PLL的X波段频率合成器的设计方案。文中给出了主要的硬件选择及具体电路设计，通过对该频率合成器的相位噪声和捕获时间的分析，及对样机性能的测试，结果表明该X波段频率合成器带宽为800 MHz、输出相位噪声优于-80 dBc/Hz@10 kHz、频率分辨率达0.1 MHz， 可满足雷达测试
电路分析基础-ppt教程
<P>第一章 基 础 知 识<BR>由电阻、电容、电感等集中参数元件组成的电路称为集中电路。<BR>1.1 电路与电路模型<BR>1.2 电路分析的基本变量<BR>1.3 电阻元件和独立电源元件<BR>1.4 基尔霍夫定律<BR>1.5 受 控 源<BR>1.6 两类约束和KCL，KVL方程
模拟集成电路基础讲义
对模电有兴趣就可以下载了
555时基集成电路简介
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555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为555，用CMOS 工艺制作的称为7555，除单定时器外，还有对应的双定时器556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在4.5V~16V 工作，7555 可在3~18V 工作，输出驱动电流约为200mA，因而其输出可与TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。</p>
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一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
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线性及逻辑器件选择指南
<P>绪论 3<BR>线性及逻辑器件新产品优先性<BR>计算领域4<BR>PCI Express®多路复用技术<BR>USB、局域网、视频多路复用技术<BR>I2C I/O扩展及LED驱动器<BR>RS-232串行接口<BR>静电放电(ESD)保护<BR>服务器/存储10<BR>GTL/GTL+至LVTTL转换<BR>PCI Express信号开关多路复用<BR>I2C及SMBus接口<B
数字集成电路及应用
数字集成电路及应用
信号放大电路
<P class=MsoNormal style="MARGIN: 0cm 0cm 0pt; LINE-HEIGHT: 18pt; mso-line-height-rule: exactly; tab-stops: 20.0pt"><FONT size=3>2-1 何谓测量放大电路？对其基本要求是什么？ <p></p></FONT></P>
<P class=MsoNormal style="MA
CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的
北大数字集成电路基础课件
数字电路基础课件PDF