飞兆半导体半桥LLC设计文档,可供技术人员学习
上传时间: 2021-10-21
上传用户:lipengxu
310V三相高压无刷电机类应用半桥IPM功率模块评估板310V三相高压无刷电机类应用半桥IPM功率模块评估板
上传时间: 2021-12-25
上传用户:突破自我
半桥逆变IGBT模块压电驱动与保护电路设计_冯国雨
上传时间: 2022-01-10
上传用户:hxd
空调室内外风机驱动方案——TB6584+LAS1M0261 IPM半桥智能模块空调室内外风机驱动方案——TB6584+LAS1M0261 IPM半桥智能模块
标签: 驱动
上传时间: 2022-01-27
上传用户:zhengtiantong
反激式正激式推挽式半桥式全桥式开关电源优缺点
标签: 开关电源
上传时间: 2022-03-16
上传用户:wangshoupeng199
SaberSimulation for LLC!Saber 半桥电源仿真实例
上传时间: 2022-03-23
上传用户:zhaiyawei
商用电磁炉全桥和半桥的区别
标签: 电磁炉
上传时间: 2022-04-04
上传用户:canderile
半桥式DC-DC变换器设计,有需要的可以参考!
标签: DC-DC变换器
上传时间: 2022-04-11
上传用户:tigerwxf1
基于SG3525调频控制的半桥串联感应加热电源
上传时间: 2022-07-10
上传用户:ttalli
此评估硬件的目的是演示Cree第三代碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在全桥LLC电路中的系统性能,该电路通常可用于电动汽车的快速DC充电器。 采用4L-TO247封装的新型1000V额定器件专为SiC MOSFET设计,具有开尔文源极连接,可改善开关损耗并减少门电路中的振铃。 它还在漏极和源极引脚之间设有一个凹口,以增加蠕变距离,以适应更高电压的SiC MOSFET。图1. 20kW LLC硬件采用4L-TO247封装的最新Cree 1000V SiC MOSFET。该板旨在让用户轻松:在全桥谐振LLC电路中使用4L-TO247封装的新型1000V,65mΩSiCMOSFET时,评估转换器级效率和功率密度增益。检查Vgs和Vds等波形以及振铃的ID。
上传时间: 2022-07-17
上传用户:zhaiyawei