MOS管STP75NF75 H桥驱动仿真电路(Multisim10格式)
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半桥电路技术资料
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半桥电路包括用于驱动各个下部晶体管(T1)和上部晶体管(T2)的低端驱动模块(110)和高端驱动模块(210)。每个驱动模块(110，210)是电荷俘获电路，其中低端驱动模块(110)用电容性负载(C)上的电荷驱动低端晶体管(T1)，以及高端驱动模块(210)在它被高电压源驱动时交替地重新充电该电容性负载(C)。每个电荷俘获电路(110，210)还包括二极管(D1，D2)，它阻止在被驱动的晶体管(T1，T2)的栅极上电荷的非故意损失，以及包括齐纳二极管(Z1，Z2)，它把栅极电压箝位在安全电平。这样，半桥电路被有效地驱动，而不需要辅助电源。
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隔离升压全桥DCDC变换器拓扑理论和控制技术研究.rar
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