半导体激光器是一种高功率密度并具有极高量子效率的器件，微小的电流变化将导致光功率输出的极大变化和器件参数（如激射波长、噪声性能、模式跳动）的变化，这些变化直接影响器件的安全工作和应用要求。 本公司设计和生产的半导体激光电源LDD-AAVV-T是连续可调恒流电源，采用了目前国际先进的半导体激光电源方案，选用优质元器件生产。具有输出噪声小、恒流特性好、电流稳定、抗干扰能力强等优点，并具有防过冲、反冲和反浪涌的稳压、恒流双重保护电路，保证激光器的稳定工作和使用寿命。LDD-AAVV型半导体激光电源采用单片机管理和控制，是一种智能化高精度恒流型开关电源，可作为半导体激光打标机的配套电源。针对激光打标设备的特点，电源还可管理水泵、指示光、振镜和Q开关几部分的开关。电源有LCD液晶显示，能提供电源工作的各个参数及其工作状态的显示，具备过压、过流、水温和水压报警功能，实为半导体激光器的理想电源。本电源还可以作为其它高精度恒流源，供设备使用。
上传时间： 2013-11-10
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本书介绍了半导体器件设计和制造中用到的有关硅的一些物质性质的主要数据和公式.
上传时间： 2013-11-25
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半导体三极管除了构成放大器和作开关元件使用外，还能够做成一些可独立使用的两端或三端器件。文中介绍了三极管的几种特殊用途
上传时间： 2014-01-26
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lpd6803是深圳英盛美半导体公司出品的一款高性能led驱动芯片，该芯片具有如下特点： 三路输出，恒流驱动：每路各有一个外挂电阻调整电流：Iout(max)=30mA, Vout(max)=12V。 兼容恒压模式，可直接替换ZQL9712等常规芯片。 直接PWM输出，无亮度损失，降低数据传输量，有效减少电磁干扰(EMI)。 支持32级灰度/256级灰度（内置反伽码校正逻辑）两种模式，扫描频率高（>4000HZ）。 仅需时钟线/数据线的两线传输结构，级联能力超强。 内建振荡器，支持FREE-RUN模式，降低控制电路成本。 内置LDO稳压电路，电源适应范围宽(4.8-8V)，输出耐压高（LED灯供电电压可达12V）。 简化外围配套，可扩充性好，也可作为PWM发生器控制大电流器件驱动大功率LED灯。 该芯片特别适合用于led幕墙灯、led全彩点光源、广告字、异型屏等产品，相对于9712/6106/595/5026/62726等芯片来说，外围器件少，电路简单， 布线容易，使用电线节省，控制器也简单。
上传时间： 2014-01-21
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LED数码管也称半导体数码管，是目前数字电路中最常用的显示器件。它是以发光二极管作笔段并按共阴极方式或共阳极方式连接后封装而成的。图5-41所示是两种LED数码管的外形与内部结构，＋、－分别表示共阳极和共阴极，a～g是7个笔段电极，DP为小数点。LED数码管型号较多，规格尺寸也各异，显示颜色有红、绿、橙等
上传时间： 2014-11-30
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LCD 因其轻薄短小,低功耗,无辐射,平面 直角显示,以及影像稳定等特点,当今应用非常 广泛。CPLD(复杂可编程逻辑器件) 是一种具有 丰富可编程功能引脚的可编程逻辑器件,不仅可 实现常规的逻辑器件功能,还可以实现复杂而独 特的时序逻辑功能。并且具有ISP (在线可编 程) [1 ] 功能,便于进行系统设计和现场对系统进 行功能修改、调试、升级。通常CPLD 芯片都有 着上万次的重写次数,即用CPLD[ 2 ] 进行硬件设 计,就像软件设计一样灵活、方便。而现今LCD 的控制大都采用专用控制芯片,且一般都采用进 口芯片,成本较高。并且为了保证在特定环境下 控制芯片能正常工作,往往要加上必需的与门、 非门、以及HC244 ,HC245 、HC373 等元件,这样 不仅提高的成本,也因分立元件的引入而降低了 电路的可靠性。本设计的目的是采用Xilinx 公 司生产的一片XC95288 和一片XC95144 来实现 LCD 控制器以及其外围控制,时序逻辑的全部 功能,使得LCD 控制系统故障率和开发成本大 大降低,并使LCD 控制系统有强大的功能可扩 展性。
上传时间： 2016-09-25
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器件数据手册专辑 120册 2.15G半导体存储器及其测试 376页 6.0M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
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半导体仿真工具Silvaco TCAD学习资料，中文，第1章 仿真准备，第2章 二维工艺仿真，第3章 二维器件仿真，第4章 高级的特性，附录A 材料系统，附录B 物理
标签： 器件仿真
上传时间： 2016-03-24
上传用户：虫虫网....
半导体物理基础知识，涉及固体量子理论的介绍
上传时间： 2019-05-15
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本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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