虫虫首页| 资源下载| 资源专辑| 精品软件
登录| 注册

半导体二极管

半导体二极管是指利用半导体特性的两端电子器件。最常见的半导体二极管是PN结型二极管和金属半导体接触二极管。它们的共同特点是伏安特性的不对称性,即电流沿其一个方向呈现良好的导电性,而在相反方向呈现高阻特性。可用作为整流、检波、稳压、恒流、变容、开关、发光及光电转换等。利用高掺杂PN结中载流子的隧道效应可制成超高频放大或超高速开关的隧道二极管。[1]
  • 意法STM32F05x系列培训资料

    意法半导体STM32F05x系列培训资料,这套培训资料还比较全面,推荐收藏

    标签: STM 05x 32F F05

    上传时间: 2013-07-24

    上传用户:zhang97080564

  • 基于SOPC数据采集与控制系统的设计

        基于SOPC技术设计了一个综合应用系统:实现了键值数据采集、显示,并将采集到的数据通过串口送给上位机;也可以接收上位机送来的数据,控制点亮相应的二极管且将接收到的数据显示在数码管上。系统硬件由FPGA及外围电路组成,采用了性能优良的Nios II软核处理器;软件在Altera公司的软件集成开发工具Nios II IDE下应用C语言编程。该系统工作可靠,在实际的应用设计中有一定的参考价值。

    标签: SOPC 数据采集 控制系统

    上传时间: 2013-10-10

    上传用户:jjj0202

  • IGBT模块系列

     IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。  

    标签: IGBT 模块

    上传时间: 2013-11-03

    上传用户:panpanpan

  • 集成化图像控制引擎的研究与实现

    随着半导体技术以及计算机软硬件技术的飞速发展,对于图像的显示和控制技术也呈现出越来越多的方式。文中介绍了一种基于NIOS II软核处理器实现对SD卡驱动与TFT-LCD控制的方法。在设计中利用FPGA的Altera的SOPC Builder定制NIOS II软核处理器及其与显示功能相关的模块来协同从SD卡读取JPEG格式的图片,经过FPGA解码处理显示于TFL-LCD上,并使用触摸控制实现图片的前进、后退、,暂停、自动播放时间控制功能

    标签: 集成化 图像控制 引擎

    上传时间: 2013-11-01

    上传用户:huangld

  • 继电器数显温度采集模拟开关量输入控制板

    1、可编程(通过下载排针可下载程序) 2、具有两路数字量(IN0和IN1)控制/检测信号输入端 3、两路AD模拟量输入(A1和A2) 4、两个按键输入 5、两路继电器输出指示灯 6、可控制两路交流220V/10A一下设备。(最大控制设备2000W) 7、板子带有防反接二极管 8、标准的11.0592晶振

    标签: 继电器 数显 开关量 控制板

    上传时间: 2013-10-20

    上传用户:wawjj

  • 第02讲 半导体基础知识

    模电

    标签: 半导体 基础知识

    上传时间: 2013-11-09

    上传用户:shinesyh

  • 模拟电子视频教程3

    用动画的方式进行模拟,介绍模电里的基础性原理,像PN节 二极管 三极管 CMOS

    标签: 模拟电子 视频教程

    上传时间: 2013-10-30

    上传用户:66666

  • 模拟电子视频教程2

    用动画的方式进行模拟,介绍模电里的基础性原理,像PN节 二极管 三极管 CMOS

    标签: 模拟电子 视频教程

    上传时间: 2013-10-18

    上传用户:bruce

  • 模拟电子基础器件动画模拟视频教程1

    用动画的方式进行模拟,介绍模电里的基础性原理,像PN节 二极管 三极管 CMOS

    标签: 模拟 器件 动画 教程

    上传时间: 2013-11-06

    上传用户:吾学吾舞

  • CoolMOS导通电阻分析及与VDMOS的比较

    为了克服传统功率MOS 导通电阻与击穿电压之间的矛盾,提出了一种新的理想器件结构,称为超级结器件或Cool2MOS ,CoolMOS 由一系列的P 型和N 型半导体薄层交替排列组成。在截止态时,由于p 型和n 型层中的耗尽区电场产生相互补偿效应,使p 型和n 型层的掺杂浓度可以做的很高而不会引起器件击穿电压的下降。导通时,这种高浓度的掺杂使器件的导通电阻明显降低。由于CoolMOS 的这种独特器件结构,使它的电性能优于传统功率MOS。本文对CoolMOS 导通电阻与击穿电压关系的理论计算表明,对CoolMOS 横向器件: Ron ·A = C ·V 2B ,对纵向器件: Ron ·A = C ·V B ,与纵向DMOS 导通电阻与击穿电压之间Ron ·A = C ·V 2. 5B 的关系相比,CoolMOS 的导通电阻降低了约两个数量级。

    标签: CoolMOS VDMOS 导通电阻

    上传时间: 2013-10-21

    上传用户:1427796291