开关电源中功率MOSFET管损坏模式及分析
结合功率MOSFET管不同的失效形态,论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式,并说明了产生这样的损坏形态的原因,也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别,从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率...
结合功率MOSFET管不同的失效形态,论述了功率MOSFET管分别在过电流和过电压条件下损坏的模式,并说明了产生这样的损坏形态的原因,也分析了功率MOSFET管在关断及开通过程中发生失效形态的差别,从而为失效在关断或在开通过程中发生损坏提供了判断依据。给出了测试过电流和过电压的电路图。同时分析了功率...
基于HHNEC 0.35um BCD工艺设计了一种应用于峰值电流模升压转换器的动态斜坡补偿电路。该电路能够跟随输入输出信号变化,相应给出适当的补偿量,从而避免了常规斜坡补偿所带来的系统带载能力低及瞬态响应慢等问题。经Cadence Spectre验证,该电路能够达到设计要求。...
微弧氧化是一种新型的表面处理方法,利用该电路可输出双端不对称的高压脉冲,且脉冲幅值、频率、占空比均在一定范围内连续可调。本文首先介绍了微弧氧化电源技术的发展现状,然后对试验中使用过的几种IGBT驱动模块M57959、2ED300、2SD315 3种驱动电路的结构、工作原理和使用性能做了详细分析对比。...
在RC桥式正弦波振荡电路的研究中,一般文献只给出电路的振荡条件、起振条件、振荡频率等技术指标,而不涉及电路输出幅值的大小。本文通过理论分析、Multisim仿真实验测试,研究了决定电路输出幅值的因素,即输出电压的幅值与电路起振时电压放大倍数的大小有关,在电路的线性工作范围内,起振时电压放大倍数比3大...
随着便携式终端产品处理能力的不断提升以及功能的不断丰富,终端产品的功耗也越来越大,因此待机时间就成为产品的关键性能指标之一。由于便携式终端设备受到体积的限制,不能简单地通过不断增加单节锂电池容量来延长待机时间,因此主电池+备电池的双电池供电方案不啻成为延长待机时间的优选方案。本文介绍了基于充电管...