动态功耗管理
共 66 篇文章
动态功耗管理 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 66 篇文章，持续更新中。
时钟分相技术应用
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摘要: 介绍了时钟分相技术并讨论了时钟分相技术在高速数字电路设计中的作用。<br />
关键词: 时钟分相技术; 应用<br />
中图分类号: TN 79 文献标识码:A 文章编号: 025820934 (2000) 0620437203<br />
时钟是高速数字电路设计的关键技术之一, 系统时钟的性能好坏, 直接影响了整个电路的<br />
性能。尤其现代电子系统对性
MOS管驱动基础和时间功耗计算
MOS关模型
<P>Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输
放大器及数据转换器选择指南
德州仪器(TI)通过多种不同的处理工艺提供<BR>了宽范围的运算放大器产品，其类型包括<BR>了高精度、微功耗、低电压、高电压、高<BR>速以及轨至轨。TI还开发了业界最大的低<BR>功耗及低电压运算放大器产品选集，其设<BR>计特性可满足宽范围的多种应用。为使您<BR>的选择流程更为轻松，我们提供了一个交<BR>互式的在线运算放大器参数搜索引擎——<BR>amplifier.ti.com/sea
动态电路在方波下形成的波形的解析
这是一阶二阶电路在方波下形成的波形解析
集成式工业接口数字隔离器减少尺寸与成本
随着竞争产品价格的降低和产品差异化需求的增加，在工业市场上生存也变得越来越艰难。同时，安全标准不见有丝毫放宽，这要求更多的工业应用采用电流隔离，给光耦合器带来不利影响。这些不利影响会导致以下这些因素的增加：尺寸、功耗、电路板、元件数和成本。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/829019-1212111524313Y.jpg"
一种改进的动态反馈负载均衡算法
<span id="LbZY"> 在集群系统中，负载均衡算法是影响系统性能的关键因素之一。为了进一步提高集群系统的性能，有必要对负载均衡算法进行优化。通过对最小连接算法和DFB（Dynamic Feed-Back）算法的详细分析，提出了一种改进的动态反馈负载均衡算法。该算法通过收集每台服务器的实时性能参数，动态地计算出各服务节点的分配概率，并由此决定用户请求分配给哪一个服务节点。通过对上
应用工程师解答-零漂移运算放大器
<p>零漂移放大器可动态校正其失调电压并重整其噪声密度。自稳零型和斩波型是两种常用类型，可实现 nV 级失调电压和极低的失调电压时间/温度漂移。放大器的 1/f 噪声也视为直流误差，也可一并消除。零漂移放大器为设计师提供了很多好处：首先，温漂和 1/f 噪声在系统中始终起着干扰作用，很难以其它方式消除，其次，相对于标准的放大器，零漂移放大器具有较高的开环增益、电源抑制比和共模抑制比，另外，在相同的
宽带低EVM直接变频发射机
本电路为宽带直接变频发射机模拟部分的完整实施方案（模拟基带输入、RF输出）。通过使用锁相环(PLL)和宽带集成电压控制振荡器(VCO)，本电路支持500 MHz至4.4 GHz范围内的RF频率。PLL中的LO执行谐波滤波，确保提供出色的正交精度。低噪声LDO确保电源管理方案对相位噪声和EVM没有不利影响。这种器件组合可以提供500 MHz至4.4 GHz频率范围内业界领先的直接变频发射机性能。<b
高频功率MOSFET驱动电路及并联特性研究
本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流<BR>特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性，然后根据<BR>功率MOSFET对驱动电路的要求，对驱动电路进行了参数计算并且选择应用了实<BR>用可靠的驱动电路。此外，对功率MOSFET在兆赫级并联山于不同的参数影响而<BR>引起的电流分配不均衡问题做了仿真研究及分析。
CMOS和TTL电路探讨
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通常以为TTL门的速度高于“CMOS门电路。影响TTL门电路工作速度的主要因素是电路内部管子的开关特性、电路结构及内部的各电阻数值。电阻数值越大，作速度越低。管子的开关时间越长，门的工作速度越低。门的速度主要体现在输出波形相对于输入波形上有“传输延时”tpd。将tpd与空载功耗P的乘积称“速度-功耗积”，做为器件性能的一个重要指
低功耗高速跟随器的设计
提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明，在典型的转角下，打开2个辅助模块时，静态功耗约为35 μA；关掉辅助模块时，主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为10 μs；没有外接1μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明，该跟随器能
机械工程测试技术基础
<P>课程教学情况简介（课程内容设计是否符合科学性、先进性和教育教学的规律，教学内容的组织与安排，运用现代信息技术情况，课程及教学改革情况，理论教学与实践教学结合情况，教学效果等）</P>
<P>测试技术是机械工程学院本科生的一门专业技术基础课，其研究的对象是机械工程动态测试中常用的传感器、中间变换电路及记录仪器的工作原理，以及其静、动态特性的评价方法和测试信号分析、处理及几种常用物理量的动态测试
LDO线性稳压器动态频率补偿电路设计
摘要：对LDO线性稳压器关键技术进行了分析，重点分析了LDO稳压器的稳定性问题，在此基础上提出了一种新型的动态频率补偿电路，利用MOS管的开关电阻、寄生电容等构成的电阻电容网络，通过采样负载电流而改变MOS开关管的工作点或工作状态，即改变开关电阻、寄生电容的值，从而实现动态的频率补偿。与传统方法相比，该电路大大提高了系统的瞬态响应性能。<br />
关键词：LDo；稳定性；ESR；动态频率补偿
3GHz射频信号源模块GR6710
产品概要： 3GHz射频信号源模块GR6710是软件程控的虚拟仪器模块，可以通过测控软件产生9kHz到3GHz的射频信号源和AM/FM/CW调制输出，具有CPCI、PXI、SPI、RS232、RS485和自定义IO接口。 产品描述： 3GHz射频信号源模块GR6710是软件程控的虚拟仪器模块，可以通过测控软件产生9kHz到3GHz的射频信号源和AM/FM/CW调制输出，还可以通过IQ选件实现其它任
高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
任意波发生器的研究与设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">在任意波形发生器设计中，DDS技术具有成本低、功耗小、分辨率高和切换时间快等优点，但波形形状任意可编辑性较差；软件无线电技术可产生任意复杂波形，但切换时
一种带振幅调节的晶体振荡器
<span id="LbZY">设计了一种带振幅控制的晶体振荡器，用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 μm、5 V CMOS工艺上实现，仿真和测试结果都能满足设计要求。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/ele/img/31-
16位高速模数转换模块的设计及其动态性能测试
本文结合研究所科研项目需要，基于16 位高速ADC 芯片LTC2204，设计了一种满足课题要求的高速度高性能的16 位模数转换板卡方案。该方案中的输入电路和时钟电路采用差分结构，输出电路采用锁存器隔离结构，电源电路采用了较好的去耦措施，并且注重了板卡接地设计，使其具有抗噪声干扰能力强、动态性能好、易实现的特点。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com
基于MATLAB数字信号处理论文最终
随着信息技术的不断发展，数字信号处理已成为一个极其重要的学科和技术领域，在通信、语音、图像、遥感、生物工程等众多领域得到了广泛的应用。数字信号处理的核心内容主要是信号的获取、传输和处理、识别及综合等。信号是信息的载体，系统是信息处理的手段。因此，为了更好的研究信号和系统的基本理论与方法，使同学们更好地理解和掌握数字信号处理的理论知识，在实验过程中，借助MATLAB这个平台来进行辅助设计。 MATL
一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器
<span id="LbZY">提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型，可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大，以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法，优化了任意工作范围内，基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计，实