南芯高功率电源SOC IC，45W充电放电效率，datasheet，解决方案
上传时间： 2022-05-18
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本文在分析了中大功率IGBT特性、工作原理及其驱动电路原理和要求的基础上，对EXB841，M57962AL，2SD315A等几种驱动电路的工作特性进行了比较。并针对用于轻合金表面防护处理的特种脉冲电源主功率开关器件驱动电路运行中存在的问题对驱动电路提出了功能改进和扩展方案，进行了实验调试，并成功地应用于不同功率容量1GBT模块的驱动，运行情况良好，提高了电源的可靠性。针对电源设备的进一步功率扩容要求，采用IGBT模块串、并联运行方案。对并联模块的均流、同步触发、散热、布局、布线等问题进行了详细的分析和讨论，同时也讨论了串联模块的均压、驱动等问题，并用仿真电路对串并联模块的工作特性进行了仿真分析。最后将IGBT串并联方案成功地应用于表面处理特种电源中，实际运行表明1GBT模块的串并联扩容是可行的。关键i：IGBT，驱，串联，并联功率开关器件在电力电子设备中占据核心的位置，它的可靠工作是整个装置正常运行的基本条件。[1）在主电路拓扑设计和功率开关器件选取合理的前提下，如何可靠地驱动和保护主开关器件显得十分关键。功率开关器件的驱动电路是主电路与控制电路之间的接口，是电力电子装置的重要部分，对整个设备的性能有很大的影响，其作用是将控制回路输出的PWM脉冲放大到足以驱动功率开关器件。简而言之，驱动电路的基本任务就是将控制电路传来的信号，转换为加在器件控制端和公共端之间的可以使其导通和关断的信号。同样的器件，采用不同的驱动电路将得到不同的开关特性。采用性能良好的驱动电路可以使功率开关器件工作在比较理想的开关状态，同时缩短开关时间，减小开关损耗，对装置的运行效率、可靠性和安全性都有重要的意义。因此驱动电路的优劣直接影响主电路的性能，因此驱动电路的合理化设计显得越来越重要。
标签： igbt
上传时间： 2022-06-18
上传用户：lostxc
本文主要是基于氮化锌（GaN）器件射频功率放大电路的设计，在s波段频率范围内，应用CREE公司的氮化稼（GaN）高电子迁移速率品体管（CGH40010和CGH40045）进行的宽带功率放大电路设计.主要工作有以下几个方面：首先，设计功放匹配电路。在2.7GHz~3.5GHz频带范围内，对中间级和末级功放晶体管进行稳定性分析并设置其静态工作点，继而进行宽带阻抗匹配电路的设计。本文采用双分支平衡渐变线拓扑电路结构，使用ADS软件对其进行仿真优化，设计出满足指标要求的匹配电路。具体指标如下：通带宽度为800MHz，在通带范围内的增益dB（S（2，1）>）10dB、驻波比VSWR1<2.VSWR2<2，3dB输出功率压缩点分别大于40dBm46dBm，效率大于40%.其次，设计功放偏置电源电路。电路要求是负电压控制正电压并带有过流保护功能，借助Orcad模拟电路仿真软件，设计出满足要求的电源电路。最后，分别运用AutoCAD和Altium Designer Summer 08制图软件，绘制了功率放大电路和偏置电源电路的印制电路板，并通过对硬件电路的调试，最终使得整体电路满足了设计性能的要求。
上传时间： 2022-06-20
上传用户：zinuoyu
射频功率放大器在雷达、无线通信、导航、卫星通讯、电子对抗设备等系统中有着广泛的应用，是现代无线通信的关键设备.与传统的行被放大器相比，射频固态功率放大器具有体积小、动态范围大、功耗低、寿命长等一系列优点；由于射频功率放大器在军事和个人通信系统中的地位非常重要，使得功率放大器的研制变得十分重要，因此对该课题的研究具有非常重要的意义.设计射频集成功率放大器的常见工艺有GaAs，SiGe BiCMOS和CMOS等.GaAs工艺具有较好的射频特性和输出功率能力，但其价格昂贵，工艺一致性差；CMOS工艺的功率输出能力不大，很难应用于高输出功率的场合；而SiGe BiCMOS工艺的性能介于GaAS和CMOS工艺之间，价格相对低廉并和CMOS电路兼容，非常适合于中功率应用场合.本文介绍了应用与无线局域网和Ka波段的射频集成功率放大器的设计和实现，分别使用了CMOS，SiGe BiCMOS，GaAs三种工艺.（1）由SMIC 0.18um CMOS工艺实现的放大器工作频率为2.4GHz，采用了两级共源共栅电路结构，在5V电源电压下仿真结果为小信号增益22dB左右，1dB压缩点处输出功率为20dBm左右且功率附加教率PAE大于15%，最大饱和输出功率大于24dBm且PAE大于20%，芯片面积为1.4mm*0.96mm；（2）由IBM SPAE 0.35um SiGe BiCMOS工艺实现的功率放大器工作频率为5.25GHz，分为前置推动级和末级功率级，电源电压为3.3V，仿真结果为小信号增益28dB左右，1dB压缩点处输出功率大于26dBm，功率附加效率大于15%，最大饱和输出功率为29.5dBm，芯片面积为1.56mm"1.2mm；（3）由WIN 0.15um GaAs工艺实现的功率放大器工作频率为27-32GHz，使用了三级功率放大器结构，在电源电压为5V下仿真结果为1dB压缩点的输出功率Pras 26dBm，增益在20dB以上，最大饱和输出功率为29.9dBm且PAE大于25%，芯片面积为2.76mm"1.15mm.论文按照电路设计、仿真、版图设计、流片和芯片测试的顺序详细介绍了功率放大器芯片的设计过程，对三种工艺实现的功率放大器进行了对比，并通过各自的仿真结果对出现的问题进行了详尽的分析。
上传时间： 2022-06-20
上传用户：shjgzh
论文主要工作如下：一是从功率放大器的物理结构上分析了射频功率放大器非线性特性产生的原因及其对通信系统的影响，讨论了功率放大器的非线性分析模型，即幂级数分析模型，Volterra级数分析模型和谐波平衡分析模型，并简要的说明了它们各自的特点，总结出了谐波平衡分析法的优点，指出它适合用于射频功率放大器的大信号非线性分析.二是分析了射频功率放大器偏置和匹配电路设计中的一些基本问题，比较了有源和无源偏置网络的优缺点，讨论了输入、输出匹配电路和级间匹配电路设计的重点问题。介绍了负载牵引设计方法，它是在具备功率管大信号模型的基础上对负载和源进行牵引仿真，从而确定输出、输入阻抗。三是在射频功率放大器的设计过程中，主要使用了ADS软件进行辅助分析设计.正是通过对软件功能的充分应用，替代了射频功半放大器设计中许多原来需要人工进行的运算工作，提高了工作效率。从仿真结果来看，都达到了预期的设计目标，验证说明了ADS仿真软件在射频功率放大电路设计方面的实用性与优越性，具有继续进行深入研究的价值。
上传时间： 2022-06-20
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在现代无线通信系统中，射频终端的功率放大器的性能指标影响着整个通信系统的好坏，它的线性特性和功率转换效率等的研究正成为研究热点。在此背景下，研究设计出了一个工作在800MHz，用于移动设备终端的功率放大器。研究中，我们采用ADS进行了性能仿真，得到了该放大器的性能指标。针对制板时的电路原理图和布线，分析了板图布局的电磁兼容特性，并给出了仿真结果。最后采用Protel根据电路原理图设计了板图。本文的主要贡献如下：1、介绍了射频功率放大器的基本技术，包括分类、性能指标、演进和设计要求等。研究了当前如何改进放大器的线性性能的主要技术，如功率回退法、前馈技术、反馈技术及预失真技术等。同时研究了功率放大器的功率转换效率特性和提高效率的一些措施。2、研究设计了一个工作在800MHz用于移动终端的功率放大器。完成了从系统到电路的匹配和优化的全过程，并进行了性能仿真。3、采用功率回退线性化技术，进一步优化该放大器的性能指标，包括输出功率、增益、三阶交调、1dB增益压缩点、效率、频谱特性等性能参数。仿真结果表明，放大器的性能得到了进一步的提升。
标签： 射频功率放大器
上传时间： 2022-06-20
上传用户：默默
几十年来在音频领域中，A 类、B 类、AB 类音频功率放大器一直占据“统治”地位，其发展经历了这样几个过程：所用器件从电子管、晶体管到集成电路过程；电路组成从单管到推挽过程；电路形成从变压器输出到OTL、OCL、BTL 形式过程。其基本类型是模拟音频功率放大器，它的最大缺点是效率太低。全球音视频领域数字化的浪潮以及人们对音视频设备节能环保的要求，迫使人们尽快开发高效、节能、数字化的音频功率放大器，它应该具有工作效率高，便于与其他数字化设备相连接的特点。D 类音频功率放大器是PWM 型功率放大器，它符合上述要求。近几年来，国际上加紧了对D 类音频功率放大器的研究与开发，并取得了一定的进展，几家著名的研究机构及公司已经试验性地向市场提供了D 类音频功率放大器评估模块及技术。这一技术一经问世立即显示出其高效、节能、数字化的显著特点，引起了科研、教学、电子工业、商业界的特别关注，现在这一前沿的技术正迅猛发展，前景一片光明。
上传时间： 2022-07-28
上传用户：zhaiyawei
微波功率合成技术
上传时间： 2013-04-15
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高功率激光加工及其应用
上传时间： 2013-04-15
上传用户：eeworm
高功率连续CO2激光器
上传时间： 2013-06-20
上传用户：eeworm
