虫虫首页| 资源下载| 资源专辑| 精品软件
登录| 注册

功率场效应管

功率MOS场效应晶体管,即MOSFET,其原意是:MOS(MetalOxideSemiconductor金属氧化物半导体),FET(FieldEffectTransistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应来控制半导体(S)的场效应晶体管。
  • 常见正反激开关电源拓扑结构

    常见DC/DC电源变换器的拓扑类型见表1~表3所列。表中给出不同的电路结构,同时也给出相应的电压及电流波形(设相关的电感电流为连续工作方式)。PWM表示脉宽调制波形,U1为直流输入电压,UDS为功率丌关管S1(MOSFFT)的漏一源极电压。ID1为S1的漏极电流。IF1为D1的工作电流,U0为输出电压,IL为负载电流。T为周期,t为UO呈高电平(或低电平)的时问及开关导通时间,D为占空比,有关系式:D=t/T。C1、C2均为输入端滤波电容,CO为输出端滤波电容,L1、L2为电感。 1、常见单管DC/DC电源变换器

    标签: 反激开关电源 拓扑结构

    上传时间: 2013-10-19

    上传用户:1966640071

  • 结构紧凑的Li+电池充电器

    锂离子电池Li+ 是适合电子产品轻薄小需求的高能量密度高性能电池,被广泛应用于手机,PDA ,笔记本电脑等高端产品中.图一所示电路提供了一种结构简单紧凑的单节Li+电池充电方案图中墙上适配器为9VDC 800mA 限流型电压源Anam Friwo 等公司均有相应产品MAX1679内置充电终止检测电路和充电过程控制.器插入电池或充电器上电都将启动一次充电过程一次完整的充电过程包括初始化充电以较小的充电电流为电池充电使电池电压大于2.5V温度范围如果超出2.5 到47.5 则处于等待状态.快充过程快充开始后MAX1679打开外接的P 沟道场效应管快充电流由外部限流型充电电源决定.一旦检测到电池电压达到Li+电池充电终止门限电压时快充结束.充电终止门限电压由电阻RADJ确定,可参考以下公式:

    标签: Li 电池充电器

    上传时间: 2013-11-14

    上传用户:yuanwenjiao

  • 小功率晶闸管的课程设计

    电力电子技术课程设计

    标签: 小功率 晶闸管

    上传时间: 2013-11-01

    上传用户:李彦东

  • AO3403 P沟道增强型场效应晶体管

    AO3403

    标签: 3403 AO 沟道增强 场效应晶体管

    上传时间: 2015-01-03

    上传用户:qwerasdf

  • 结型场效应晶体管 原理与应用

    非常好的书,推荐学习模拟电路的人阅读。值得一读。。。

    标签: 结型场效应晶体管

    上传时间: 2015-07-04

    上传用户:elecworking

  • 恒流源及其应用

    本书阐述了新型场效应恒流器件和集成恒流电路的原理、特性、设计和应用。

    标签: 恒流源

    上传时间: 2019-06-15

    上传用户:GUYUERENWEI

  • 先进的高压大功率器件——原理 特性和应用

    本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想功率开关的电特性, 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 (GTO) 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构, 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层, 以防止其提前击穿。 另外, 必须屏蔽基区,以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸(MCT) 结构和基极电阻控制晶闸管 (BRT) 结构, 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸(EST), 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断, 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书, 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。

    标签: 大功率器件

    上传时间: 2021-11-02

    上传用户:

  • 电子教程-MOS门电路.ppt

    电子教程-MOS门电路.ppt场效应三极管:电压控制元件,仅用一种载流子参与导电。电子作为载流子称为N沟道器件,空穴作为载流子的称为P沟道器件。每一类又分为增强型和耗尽型两种

    标签: mos 门电路

    上传时间: 2022-02-18

    上传用户:xsr1983

  • IGBT在不间断电源(UPS)中的应用

    在UPS中使用的功率器件有双极型功率品体管、功率 MOSFET、可控硅和IGBT IGBT既有功率MOSFET 易于驱动,控制简单、开关频率高的优点,又有功率品体管的导通电压低,通态电流大的优点、使用 IGBT成为UPS功率设计的首选,只有对 IGBT的特性充分了解和对电路进行可靠性设计,才能发挥 IGBT的优点。本文介绍UPS中的IGBT的应用情况和使用中的注意事项。2.IGBT在UPS中的应用情况绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是一种MOSFET 与双极晶体管复合的器件。据东芝公司资料,1200V/100A 的IGBT的导通电阻是同一耐压规格的功率 MOSFET 的1/10,而开关时间是同规格 GTR的1/10。由于这些优点,IGBT广泛应用于不间断电源系统(UPS)的设计中。这种使用 IGBT的在线式UPS具有效率高,抗冲击能力强、可靠性高的显著优点。UPS主要有后备式、在线互动式和在线式三种结构。在线式 UPS以其可靠性高,输出电压稳定,无中断时间等显著优点,广泛用于通信系统、税务、金融、证券、电力、铁路、民航、政府机关的机房中。本文以在线式为介绍对象,UPS中的1GBT的应用。

    标签: igbt 不间断电源 ups

    上传时间: 2022-06-22

    上传用户:

  • 场效应晶体管射频微波建模技术[高建军]

       从射频器件半导体的属性和模型入手的一本经典书籍,即使不做射频 芯片设计,从事射频电路设计的工程师如果能从半导体器件和模型深入研究一下半导体的属性,对于自己深入理解放大器也是大有好处的。

    标签: 场效应晶体管 射频 微波 建模

    上传时间: 2022-07-17

    上传用户: