怎样判断IGBT MOS管的好坏？怎么检测它的引脚？IGBT1、判断极性首先将万用表拨在R×1KΩ 挡，用万用表测量时， 若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大， 则判断此极为栅极（G ）。其余两极再用万用表测量， 若测得阻值为无穷大， 调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极（ C）；黑表笔接的为发射极（E）。2、判断好坏将万用表拨在R×10KΩ 挡，用黑表笔接IGBT 的集电极（C），红表笔接IGBT 的发射极（ E），此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极（ G）和集电极（C），这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极（ G）和发射极（ E），这时IGBT 被阻断，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。3、注意事项任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用表拨在R×10KΩ 挡，因R×1KΩ 挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管（ P-MOSFET ）的好坏。现在经常要检测MOS 管了，转几篇MOS 管的检测方法，以备随时观摩！用万用表检测MOS 开关管好坏的方法一、MOS 开关管针脚判断：在电脑上， MOS 管都是N 沟道增强型的MOSFET 开关管， 大部分都采用TO－220F 封装，其针脚判断方法是：将针脚向下，印有型号的面向自己，左边的是栅极，中间是漏极，右边是源极。
上传时间： 2022-06-22
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单开关(或称单晶体管)正激转换器是一种最基本类型的基于变压器的隔离降压转换器，广泛用于需要大降压比的应用。这种转换器的优点包括只需单颗接地参考晶体管，及非脉冲输出电流减小输出电容的均方根纹波电流含量等。但这种转换器的功率能力小于半桥或全桥拓扑结构，且变压器需要磁芯复位，使这种转换器的最大占空比限制在约50%。此外，金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)开关的漏电压变化达输入电压的两倍或更多，使这种拓扑结构较难于用在较高输入电压的应用。
上传时间： 2013-12-22
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内容提要： 介绍了MOTOTOLA单片机系统的一些实例系统和技巧。 MOTOROLA单片机具有价格低、功能强、可靠性高、功耗小等特点。本书系统地介绍它的吕位到32位单片机着重介绍M68HC05的F、T、D系列M68HC11，M68HC16（916Y1、916X1、Y1、Z2、Z1）等型号]原理，汇编语言程序设计方法和开发方法以及它的外围接口芯片，如直流无刷电动机、直流伺服电动机、过零检测、场效应大功率管驱动电路等专用芯片的应用实例。本书还列举大量在模糊控制、家用电器、通讯、传感器智能仪器、控制等方面应用和应用系统设计详解。内容新颖，文字简炼，注重实用，便于自学。 读者对象：大、中专院校和培训班学生、研究生及科研、工程技术人员。 MOTOROLA单片机（MCU）将各种存储器和子系统都集成在芯片内，同时外围集成电路芯片配套齐全。在通讯、家用电器、智能仪器、自动化等广大领域，采用单片机控制后，由于价格低、体积小、功能强、品种多、功耗低、硬件电路连接简单、开发方便等诸多特点，将有利于促使）"品向智能化、微型化、多功能化方向发展，加速产品更新换代。相应单片机技术将会逐年引进新产品、新技术，并积累丰富的应用经验。为了促进单片机开发和应用，我们编著这本书。
上传时间： 2013-10-15
上传用户：ABC677339
MOTOROLA单片机具有价格低、功能强、可靠性高、功耗小等特点。本书系统地介绍它的吕位到32位单片机着重介绍M68HC05的F、T、D系列M68HC11，M68HC16（916Y1、916X1、Y1、Z2、Z1）等型号]原理，汇编语言程序设计方法和开发方法以及它的外围接口芯片，如直流无刷电动机、直流伺服电动机、过零检测、场效应大功率管驱动电路等专用芯片的应用实例。本书还列举大量在模糊控制、家用电器、通讯、传感器智能仪器、控制等方面应用和应用系统设计详解。内容新颖，文字简炼，注重实用，便于自学。 读者对象：大、中专院校和培训班学生、研究生及科研、工程技术人员。 MOTOROLA单片机（MCU）将各种存储器和子系统都集成在芯片内，同时外围集成电路芯片配套齐全。在通讯、家用电器、智能仪器、自动化等广大领域，采用单片机控制后，由于价格低、体积小、功能强、品种多、功耗低、硬件电路连接简单、开发方便等诸多特点，将有利于促使）"品向智能化、微型化、多功能化方向发展，加速产品更新换代。相应单片机技术将会逐年引进新产品、新技术，并积累丰富的应用经验。为了促进单片机开发和应用，我们编著这本书。
上传时间： 2013-10-25
上传用户：sjb555
提出了采用两段式同轴波纹慢波结构实现双频高功率微波输出的相对论返波振荡器， 推导了该结构的TM0n模式色散方程，数值求解了两段式同轴波纹慢波结构TM0n模色散曲线，分析了该器件X波段双频高功率微波输出的产生机理， 分析中考虑了电子注在慢波结构第二段工作效率不变和下降时的双频工作点情况，并运用2.5 维全电磁粒子模拟程序验证了双频微波信号的可靠性。关键词高功率微波；双频；X 波段；相对论返波振荡器 当前， 应用于高功率微波效应的微波器件只有一个主频率，已有的实验结果表明，在现有条件下，单频高功率微波用于攻击敌方的电子系统所需的功率远远大于单只高功率微波源所能产生的功率，即破坏阈值很高[1]。但是，如果用两个或多个频率相近的高功率微波波束产生拍频后用于攻击电子系统，那么所需的功率密度将大大减小，即效应阈值大大下降， 采用这种方式将有可能在现有的技术下使高功率微波实用化[2]，但是双频及多频高功率微波源器件的研究目前是十分前沿的课题，处于刚起步阶段，在国内外极少有报道[2～4]，因而，用单个微波源器件产生稳定输出的双频甚至多频高功率微波具有重要的实际应用价值和学术价值，是高功率微波领域又一个新兴的研究方向， 在高功率微波武器和新体制雷达等方面将有良好的应用前景。
上传时间： 2013-10-31
上传用户：kxyw404582151
高清晶体管电路设计（上）放大电路技术的实验解析也已上传：http://dl.21ic.com/download/ic-330937.html 近年来电子电路的设计进入了以IC/LSl（集成电路/大规模集成电路）为中心的阶段。小小的管壳内凝缩了各种功能的IC/I.Sl给人们带来了极大的方便，可以说没有它就没有现代的电子电路。现在是IC的全盛时代。IC/LSI今后还将进一步集成周边部件及功能，使之规模更大、功能更强、性能更高。最近有这样的说法，虽然使用晶体管或FET（场效应晶体管）简单而方便，但是现在的趋势更倾向于使用IC。也有人感到专用IC的价格昂贵，但是不知道怎样才能把IC与晶体管、FET巧妙地组合起来获得性能更高的电路。诸如“用晶体管或（和）FET做成的分立电路最好”之类的说法并没有过时，只不过对于IC/1SI以及晶体管、FET构成的许多放大/开关器件来说，各自都有有效利用它们优点的使用方法。在这样的背景下，本书通过具体的实验，抓住晶体管、FET的工作图像，以达到灵活运用这些器件的目的。已经出版的本系列《晶体管电路设计（上）》一书中进行了以晶体管放大电路为中心的许多实验。本书是它的续编，将介绍有关FET放大电路、开关电路、模拟开关、振荡电路等方面的实验。本书若能对提高读者的电子电路的应用技能有所帮助，著者将深感荣幸。最后，对在本书的出版、发行过程中给予支持和帮助的有关各方面表示感谢。
上传时间： 2022-06-25
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DRV832X系列设备是集成门三相应用的驱动程序。设备提供三个半桥门驱动程序，每个驱动程序驱动高侧和低侧N通道功率MOSFET。DRV832X生成正确的门驱动电压使用集成电荷泵高压侧场效应晶体管和线性调节器低侧场效应晶体管。智能门驱动架构支持多达1-A源和2-A汇峰门驱动电流能力。DRV832X可以操作单电源供电，支持宽输入门驱动器的电源范围为6至60-V，4至60-V用于可选降压调节器。
标签： drv8320
上传时间： 2022-07-26
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作者Alan Hastings具有渊博的集成电路版图设计知识和丰富的实践经验。本书以实用和权威性的观点全面论述了模拟集成电路版图设计中所涉及的各种问题及目前的最新研究成果。书中介绍了半导体器件物理与工艺、失效机理等内容；基于模拟集成电路设计所采用的3种基本工艺：标准双极工艺、CMOS硅栅工艺和BiCMOS工艺，重点探讨了无源器件的设计与匹配性问题，二极管设计，双极型晶体管和场效应晶体管的设计与应用，以及某些专门领域的内容，包括器件合并、保护环、焊盘制作、单层连接、ESD结构等；最后介绍了有关芯片版图的布局布线知识。本书可作为相关专业高年级本科生和研究生教材，对于专业版图设计人员也是一本极具价值的参考书。
上传时间： 2013-06-23
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为了满足市场需要，研制了+,%-#’" 直流脉冲氩弧焊机，并对该焊机的电路组成及工作原理进行了介绍，对./0 脉宽调制技术做了较详细的分析。实践表明，该焊机满足设计要求，具有体积小、质量轻、高效节能等
上传时间： 2013-04-24
上传用户：zhengxueliang
文中首先介绍了太阳能LED路灯系统的组成，及各组成部分的工作原理。然后详细讨论了用STC90C52单片机实现的太阳能LED路灯控制器的设计，包括用并联式三端稳压管TL431芯片实现的蓄电池充电控制电路、用场效应管实现的负载输出控制电路、用光敏电阻实现的光控电路、用运算放大器实现的检测电路的硬件电路设计和系统软件的实现。
上传时间： 2013-11-18
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