力源可提供ON、TI、ST、Freescale和Chipswinner公司的优质功率器件,包括MOSFET驱动器、外设起动器/驱动器、功率逻辑、电机控制器、功率因子控制器、达林顿晶体管整列、钳位电路和虚地发生器等。
标签： 功率器件
上传时间： 2014-12-27
上传用户：zfyiaaa
半导体湿敏器件及其应用
上传时间： 2013-11-03
上传用户：liuwei6419
M25P80是意法半导体公司推出的8M大容量串行接口Flash器件，采用2.7V-3.6V单电源供电，兼容标准的SPI接口，器件在上升沿接收数据，在下降沿发送数据，接口时钟最高为40MHz，支持最大256bytes的快速页面编程操作、快速的块擦除（512Kbit）操作和快速的整体擦除操作具有操作暂停和硬件写保护功能
上传时间： 2015-09-05
上传用户：GavinNeko
M25P80是意法半导体公司推出的8M大容量串行接口Flash器件，采用2.7V-3.6V单电源供电，兼容标准的SPI接口，器件在上升沿接收数据，在下降沿发送数据，接口时钟最高为40MHz，支持最大256bytes的快速页面编程操作、快速的块擦除（512Kbit）操作和快速的整体擦除（8MHz）操作；具有操作暂停和硬件写保护功能。
上传时间： 2015-09-05
上传用户：txfyddz
用C语言编写的在Simulink环境下对转速可调永磁直流电机进行数值仿真的S函数源代码。该仿真源代码的特点是：能够仿真目前广泛应用的H桥驱动PWM调制调速永磁直流电机。将功率器件H桥与电机本体的数学模型完整的结合到一起。执行效率很高，仿真结果与实验结果非常相近。
上传时间： 2015-09-19
上传用户：yan2267246
国标类相关专辑 313册 701MGB-T 249-1989 半导体分立器件型号命名方法.pdf
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
器件数据手册专辑 120册 2.15G国内外半导体光电器件实用手册 1160页 21.1M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
杂志及论文专辑 19册 720M美国半导体分立器件型号命名方法 1页 0.1M pdf版.pdf
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
本书共11章。 第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用， 定义了理想功率开关的电特性， 并与典型器件的电特性进行了比较。 第2章和第3章分析了硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第4章讨论了硅门极关断 （GTO） 晶闸管结构。 第5章致力于分析硅基IGBT结构， 以提供对比分析的标准。 第6章和第7章分析了碳化硅MOSFET和碳化硅IGBT的结构。 碳化硅MOSFET 和IGBT的结构设计重点在于保护栅氧化层， 以防止其提前击穿。 另外， 必须屏蔽基区，以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第8章和第9章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸（MCT） 结构和基极电阻控制晶闸管 （BRT） 结构， 后者利用MOS栅控制晶闸管的导通和关断。 第10章介绍了发射极开关晶闸（EST）， 该种结构也利用一种MOS栅结构来控制晶闸管的导通与关断， 并可利用IGBT加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。本书的读者对象包括在校学生、 功率器件设计制造和电力电子应用领域的工程技术人员及其他相关专业人员。 本书适合高等院校有关专业用作教材或专业参考书， 亦可被电力电子学界和广大的功率器件和装置生产企业的工程技术人员作为参考书之用。
标签： 大功率器件
上传时间： 2021-11-02
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该文档为直流逆变电焊机及功率器件产品介绍简介文档，是一份很不错的参考资料，具有较高参考价值，感兴趣的可以下载看看………………
上传时间： 2021-11-17
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