本文详细介绍IC 制造工艺流程,IC封装测试方法, 企业总结核心技术资料,非常有用.
上传时间： 2016-08-29
上传用户：咔乐坞
FM25L256B是采用先进的铁电技术制造的256Kb非易失性存储器。铁电随机存储器（FRAM）具有非易失性，并且可以象RAM一样快速读写。数据在掉电后可以保存10年，同时消除由EEPROM和其他非易失性存储器导致的复杂性，开销和系统级别可靠性问题。
上传时间： 2016-09-26
上传用户：songrui
光纤光缆技术发展以及在FTTH中的应用 综述了近期光纤光缆制造、施工及维护技术上的发展特点，分析了其发展趋势，并就我国光纤光缆技术与产业的发展提出了一些值得思考的问题。FTTH正在走入人们实用化的视野，国内外很多光缆生产厂商或研究所都提出了自己的构想，本文着重介绍了FTTH应用中的一些典型的光纤及光缆技术，对FTTH在我国的发展前景做了分析，并提出了自己在FTTH发展中的一些观点。
上传时间： 2016-11-14
上传用户：manking0408
智能卡标准,ISO7816-1,规定了ID-1型带触点集成电路卡的基本技术要求,主要包括:1.物理特性、记录方法、物理接口要求。2.电气信号和传输协主要使用对象主要是与IC卡应用相关的卡片设计、制造、管理、发行以及应用系统的研制、开发、集成和维护等部门或单位
上传时间： 2016-12-14
上传用户：wendy15
fm1808中文资料 描述 FM1808是用先进的铁电技术制造的 256K位的非易失性的记忆体 铁电随机 存储器 FRAM 是一种具有非易失 性 并且可以象RAM一样快速读写 但 它没有BBSRAM模组系统的设计复杂 性 缺点和相关的可靠性问题 数据在 掉电可以保存10年 高速写以及高擦写 次数使得它比EEPROM或其他非易失性 存储器可靠性更高 系统更简单
上传时间： 2014-01-11
上传用户：zhangjinzj
超声,红外,激光,无线,通讯相关专辑 183册 1.48G机械制造清洗技术 187页 3.2M.pdf
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上传时间： 2014-05-05
上传用户：时代将军
薄膜晶体管液晶显示器件的制造、测试与技术发展 王大巍等编著.pdf
上传时间： 2022-01-01
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电子元器件抗ESD技术讲义:引 言 4 第1 章 电子元器件抗ESD损伤的基础知识 5 1.1 静电和静电放电的定义和特点 5 1.2 对静电认识的发展历史 6 1.3 静电的产生 6 1.3.1 摩擦产生静电 7 1.3.2 感应产生静电 8 1.3.3 静电荷 8 1.3.4 静电势 8 1.3.5 影响静电产生和大小的因素 9 1.4 静电的来源 10 1.4.1 人体静电 10 1.4.2 仪器和设备的静电 11 1.4.3 器件本身的静电 11 1.4.4 其它静电来源 12 1.5 静电放电的三种模式 12 1.5.1 带电人体的放电模式(HBM) 12 1.5.2 带电机器的放电模式（MM） 13 1.5.3 充电器件的放电模型 13 1.6 静电放电失效 15 1.6.1 失效模式 15 1.6.2 失效机理 15 第2章 制造过程的防静电损伤技术 2.1 静电防护的作用和意义 2.1.1 多数电子元器件是静电敏感器件 2.1.2 静电对电子行业造成的损失很大 2.1.3 国内外企业的状况 2.2 静电对电子产品的损害 2.2.1 静电损害的形式 2.2.2 静电损害的特点 2.2.3 可能产生静电损害的制造过程 2.3 静电防护的目的和总的原则 2.3.1 目的和原则 2.3.2 基本思路和技术途径 2.4 静电防护材料 2.4.1 与静电防护材料有关的基本概念 2.4.2 静电防护材料的主要参数 2.5 静电防护器材 2.5.1 防静电材料的制品 2.5.2 静电消除器（消电器、电中和器或离子平衡器） 2.6 静电防护的具体措施 2.6.1 建立静电安全工作区 2.6.2 包装、运送和存储工程的防静电措施 2.6.3 静电检测 2.6.4 静电防护的管理工作 第3章 抗静电检测及分析技术 3.1 抗静电检测的作用和意义 3.2 静电放电的标准波形 3.3 抗ESD检测标准 3.3.1 电子元器件静电放电灵敏度（ESDS）检测及分类的常用标准 3.3.2 标准试验方法的主要内容（以MIL-STD-883E 方法3015.7为例） 3.4 实际ESD检测的结果统计及分析 3.4.1 试验条件 3.4.2 ESD评价试验结果分析 3.5 关于ESD检测中经常遇到的一些问题 3.6 ESD损伤的失效定位分析技术 3.6.1 端口I－V特性检测 3.6.2 光学显微观察 3.6.3 扫描电镜分析 3.6.4 液晶分析 3.6.5 光辐射显微分析技术 3.6.6 分层剥离技术 3.6.7 小结 3.7 ESD和EOS的判别方法讨论 3.7.1 概念 3.7.2 ESD和EOS对器件损伤的分析判别方法 第4 章 电子元器件抗ESD设计技术 4.1 元器件抗ESD设计基础 4.1.1抗ESD过电流热失效设计基础 4.1.2抗场感应ESD失效设计基础 4.2元器件基本抗ESD保护电路 4.2.1基本抗静电保护电路 4.2.2对抗静电保护电路的基本要求 4.2.3 混合电路抗静电保护电路的考虑 4.2.4防静电保护元器件 4.3 CMOS电路ESD失效模式和机理 4.4 CMOS电路ESD可靠性设计策略 4.4.1 设计保护电路转移ESD大电流。 4.4.2 使输入/输出晶体管自身的ESD阈值达到最大。 4.5 CMOS电路基本ESD保护电路的设计 4.5.1 基本ESD保护电路单元 4.5.2 CMOS电路基本ESD保护电路 4.5.3 ESD设计的辅助工具－TLP测试 4.5.4 CMOS电路ESD保护设计方法 4.5.5 CMOS电路ESD保护电路示例 4.6 工艺控制和管理
上传时间： 2013-07-13
上传用户：2404
专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G 集成电路制造公司商标及其产品型号前缀-1页-0.1M-pdf版.pdf
上传时间： 2013-04-24
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专辑类-实用电子技术专辑-385册-3.609G 自动装置用微电机制造工艺学-435页-8.9M.pdf
上传时间： 2013-04-24
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