制作工艺
共 50 篇文章
制作工艺 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 50 篇文章，持续更新中。
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
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一种增益增强型套筒式运算放大器的设计
设计了一种用于高速ADC中的全差分套筒式运算放大器.从ADC的应用指标出发,确定了设计目标,利用开关电容共模反馈、增益增强等技术实现了一个可用于12 bit精度、100 MHz采样频率的高速流水线(Pipelined)ADC中的运算放大器.基于SMIC 0.13 μm,3.3 V工艺,Spectre仿真结果表明,该运放可以达到105.8 dB的增益,单位增益带宽达到983.6 MHz,而功耗仅为2
定时器芯片555,556,7555,7556之关的联系与区别
555 定时器是一种模拟和数字功能相结合的中规模集成器件。一般用双极性工艺制作的称为 555，用 CMOS 工艺制作的称为 7555，除单定时器外，还有对应的双定时器 556/7556。555 定时器的电源电压范围宽，可在 4.5V~16V 工作，7555 可在 3~18V 工作，输出驱动电流约为 200mA，因而其输出可与 TTL、CMOS 或者模拟电路电平兼容。 555 定时器成本低，性能可靠
AMTI对箔条杂波抑制作用的仿真
机械动目标显示（AMTI）技术广泛应用于机械雷达系统，用于抑制和衰减地物等静止物体的背景回拨信号。文中根据AMTI的基本原理，提出利用AMTI抑制箔条慢动杂波的方法，并建立基于AMTI的机械雷达信号处理系统模型......<br />
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MEMS器件气密封装工艺规范
MEMS是融合了硅微加工,LIGA和精密机械加工等多种加工技术,并应用现代信息技术构成的微型系统.
贴片胶与滴胶工艺
表面贴片胶(SMA,surface mount adhesives)用于波峰焊接和回流焊接，以保持组件在印刷电路<BR>板(PCB)上的位置，确保在装配线上传送过程中组件不会丢失。<BR>PCB装配中使用的大多数表面贴片胶(SMA)都是环氧树脂(epoxies)，虽然还有聚丙烯(acrylics)用于特殊的用途。在高速滴胶系统引入和电子工业掌握如何处理货架寿命相对较短的产品之后，环氧树脂已成为世界
电子设计大赛：波形合成与分解（包含所有电路图讲解、程序代码）（853594759）
全国大学生电子设计（课题：波形的合成与分解） 1 任务 设计制作一个具有产生多个不同频率的正弦信号，并将这些信号再合成为近似方波和三角波功能的电路。系统示意图如图1所示： 2要求 2.1 方波振荡器的信号经分频与滤波处理，同时产生频率为1kHz和3kHz与5kHz的正弦波信号，这三种信号应具有确定的相位关系；产生的信号波形无明显失真；幅度峰峰值分别为6V与2V和1.2V； 2.2制作一个由移相器和
C波段介质振荡器的研究与设计
利用负阻原理设计了5.9 GHz介质振荡器（DRO），采用HFSS软件对介质谐振块（DR）进行三维仿真，应用Agilent公司的ADS软件对DRO进行了优化设计和非线性分析，用该方法制作的并联反馈式DRO性能良好，输出功率为10 dBm，相位噪声达到-100 dBc/Hz＠10 kHz，-124 dBc/Hz＠100 kHz。<br />
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CMOS工艺多功能数字芯片的输出缓冲电路设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">为了提高数字集成电路芯片的驱动能力，采用优化比例因子的等比缓冲器链方法，通过Hspice软件仿真和版图设计测试，提出了一种基于CSMC 2P2M 0.6 μm CMOS工艺的输出缓冲电路设计方案。本文完成了系统的
CMOS工艺下高摆幅共源共栅偏置电路
共源共栅级放大器可提供较高的输出阻抗和减少米勒效应，在放大器领域有很多的应用。本文提出一种COMS工艺下简单的高摆幅共源共栅偏置电路，且能应用于任意电流密度。根据饱和电压和共源共栅级电流密度的定义,本文提出器件宽长比与输出电压摆幅的关系,并设计一种高摆幅的共源共栅级偏置电路。<br />
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