创新工艺
共 38 篇文章
创新工艺 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 38 篇文章，持续更新中。
模拟cmos集成电路设计
拉扎维经典著作，陈贵灿等翻译。介绍了mos工艺短沟道效应\ 单级和差动放大频响反馈/震荡/封装工艺等
机械原理与机械设计 -经典PPT课件教程
<p>机械原理与机械设计适用于高等学校机械类专业本科的机械原理和机械设计两门课程的教学。上册第一篇中紧密结合几种典型机器的实例，引出一些基本概念，并介绍机械设计的一般过程和进行机械设计所需要的知识结构。第二、三、四篇分别介绍机构的组成和分析、常用机构及其设计和机器动力学的基础知识，为机械原理课程的主要内容。下册第五、六篇分别介绍机械零部件的工作能力设计和结构设计，为机械设计课程的主要内容。&ldq
模拟cmos集成电路设计(design of analog
<P>模拟集成电路的设计与其说是一门技术，还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石，而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。.<BR>美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名顶级公司(AT&
凌力尔特数字系统的线性电路
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凌力尔特数字系统的线性电路—凌力尔特一直致力服务全球模拟产品用户，满足日益增长的严格模拟产品设计的需求。公司具有超强的创新能力，每年推出的新产品超过200款，该公司产品的应用领域包括电信、蜂窝电话、网络产品、笔记本电脑和台式电脑等等。</p>
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高增益K波段MMIC低噪声放大器
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基于0．25gm PHEMT工艺，给出了两个高增益K 波段低噪声放大器．放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构，通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声；采用直流偏置上加阻容网络，用来消除低频增益和振荡；三级电路通过电阻共用一组正负电源，使用方便，且电路性能较好，输入输出驻波比小于2．0；功率增益达24dB；噪声系数小于3．5dB
CMOS绿色模式AC_DC控制器振荡器电路
采用电流模脉宽调制控制方案的电池充电芯片设计,锯齿波信号的线性度较好,当负载电路减小时,自动进入Burst Mode状态提高系统的效率。整个电路基于1.0 μm 40 V CMOS工艺设计,通过Hspice完成了整体电路前仿真验证和后仿真,仿真结果表明,振荡电路的性能较好,可广泛应用在PWM等各种电子电路中。<br />
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带有增益提高技术的高速CMOS运算放大器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; line-height: 21px; ">设计了一种用于高速ADC中的高速高增益的全差分CMOS运算放大器。主运放采用带开关电容共模反馈的折叠式共源共栅结构，利用增益提高和三支路电流基准技术实现一个可用于12~14 bit精度，100 MS/s采样频率的高速流
4-20mA，0-10V电流~电压模拟信号光电隔离放大器
iso u-p-o 系列直流电压信号隔离放大器是一种将电压信号转换成按比例输出的隔离电流或电压信号的混合集成电路。该ic内部含有一组高隔离的dc/dc电源和电压信号高效率耦合隔离变换电路等，可以将直流电压小信号进行隔离放大（u/u）输出或直接转换为直流电流（u /i）信号输出。较大的输入阻抗（≥1 mω）,较强的带负载能力（电流输出＞650ω,电压输出≥2k&o
2~4 GHz波段低噪声放大器的仿真设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体
基于第二代电流传输器的积分器设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 20.909090042114258px; ">介绍了一种基于低压、宽带、轨对轨、自偏置CMOS第二代电流传输器（CCII）的电流模式积分器电路，能广泛应用于无线通讯、
全球著名半导体厂家介绍
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德州仪器（Texas Instruments），简称TI，是全球领先的半导体公司，为现实世界的信号处理提供创新的数字信号处理(DSP)及模拟器件技术。除半导体业务外，还提供包括传感与控制、教育产品和数字光源处理解决方案。TI总部位于美国得克萨斯州的达拉斯，并在25多个国家设有制造、设计或销售机构。</p>
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用于UHF RFID阅读器的无电感巴伦LNA设计
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px; ">设计了一款用于UHF RFID射频前端接收机的高线性度LNA。该低噪声放大器采用噪声消除技术，具有单端输入差分输出的功能，能够同时实现输出平衡，噪声消除
三态门总线传输电路的Multisim仿真方案
<span id="LbZY">基于探索仿真三态门总线传输电路的目的，采用Multisim10仿真软件对总线连接的三态门分时轮流工作时的波形进行了仿真实验测试，给出了仿真实验方案，即用Multisim仿真软件构成环形计数器产生各个三态门的控制信号、用脉冲信号源产生各个三态门不同输入数据信号，用Multisim仿真软件中的逻辑分析仪多踪同步显示各个三态门的控制信号、数据输入信号及总线输出信号波形，结
放大器及数据转换器选择指南
德州仪器(TI)通过多种不同的处理工艺提供<BR>了宽范围的运算放大器产品，其类型包括<BR>了高精度、微功耗、低电压、高电压、高<BR>速以及轨至轨。TI还开发了业界最大的低<BR>功耗及低电压运算放大器产品选集，其设<BR>计特性可满足宽范围的多种应用。为使您<BR>的选择流程更为轻松，我们提供了一个交<BR>互式的在线运算放大器参数搜索引擎——<BR>amplifier.ti.com/sea
磁珠的原理及应用
<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题，还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋
低功耗高速跟随器的设计
提出了一种应用于CSTN-LCD系统中低功耗、高转换速率的跟随器的实现方案。基于GSMC±9V的0.18 μm CMOS高压工艺SPICE模型的仿真结果表明，在典型的转角下，打开2个辅助模块时，静态功耗约为35 μA；关掉辅助模块时，主放大器的静态功耗为24 μA。有外接1 μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为10 μs；没有外接1μF的大电容时，屏幕上的充放电时间为13μs。验证表明，该跟随器能
采用FlatP_Cell技术的ROM设计和分析
本文介绍了Flat— Cell结构和采用Flat— Cell技术的ROM设计方法。包括Flat—Cell的工艺技术、Flat—Cell基本电路结构和ROM 放大器电路。<br />
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高等模拟集成电路
近年来，随着集成电路工艺技术的进步，电子系统的构成发生了两个重要的变化： 一个是数字信号处理和数字电路成为系统的核心，一个是整个电子系统可以集成在一个芯片上（称为片上系统)。这些变化改变了模拟电路在电子系统中的作用，并且影响着模拟集成电路的发展。 数字电路不仅具有远远超过模拟电路的集成规模，而且具有可编程、灵活、易于附加功能、设计周期短、对噪声和制造工艺误差的抗扰性强等优点，因而大多数复杂系统以数
一种带振幅调节的晶体振荡器
<span id="LbZY">设计了一种带振幅控制的晶体振荡器，用于32 768 Hz的实时时钟。振幅调节环采用源接地振荡器形式来得到高的频率稳定性和低的功耗。使用MOS管电阻有效的减小了版图面积。电路在0.35 μm、5 V CMOS工艺上实现，仿真和测试结果都能满足设计要求。<br />
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一种基于gm_ID方法设计的可变增益放大器
<span id="LbZY">提出了一种基于gm /ID方法设计的可变增益放大器。设计基于SMIC90nmCMOS工艺模型，可变增益放大器由一个固定增益级、两个可变增益级和一个增益控制器构成。固定增益级对输入信号预放大，以增加VGA最大增益。VGA的增益可变性由两个受增益控制器控制的可变增益级实现。运用gm /ID的综合设计方法，优化了任意工作范围内，基于gm /ID和VGS关系的晶体管设计，实