依赖
共 5 篇文章
依赖 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 5 篇文章，持续更新中。
ADC的九个关键指标
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模拟转换器性能不只依赖分辨率规格</p>
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大量的模数转换器(ADC)使人们难以选择最适合某种特定应用的ADC器件。工程师们选择ADC时，通常只注重位数、信噪比(SNR)、谐波性能，但是其它规格也同样重要。本文将介绍ADC器件最易受到忽视的九项规格，并说明它们是如何影响ADC性能的。</p>
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1. SNR比分辨率更为重要。</
磁珠的原理及应用
<P><FONT face=宋体>由于电磁兼容的迫切要求，电磁干扰</FONT>(EMI)<FONT face=宋体>抑制元件获得了广泛的应用。然而实际应用中的电磁兼容问题十分复杂，单单依靠理论知识是完全不够的，它更依赖于广大电子工程师的实际经验。为了更好地解决电子产品的电磁兼容性这一问题，还要考虑接地、</FONT> <FONT face=宋体>电路与</FONT>PCB<FONT face=宋
多反馈滤波器学习笔记
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多反馈滤波器是一种流行的滤波器结构，以运算放大器作为积分器，如图1所示。因而，其传递函数对运算放大器参数的依赖度高于Sallen-Key设计。
双极运算放大器的辐射效应和退火特性
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本文介绍了O P207 双极运算放大器的60CoC射线、不同能量电子和质子的辐照试验以及60CoC和电子辐射损伤在室温和100℃高温条件下的退火效应, 揭示了双极运算放大器电参数对不同射线的辐照响应规律; 研究了不同辐射源对双极运算放大器的不同辐射损伤机理; 并对质子辐照损伤程度与能量的依赖关系以及质子辐照损伤同60CoC和电子辐照损伤的差异进了探讨. 结果表明, 界面态的产生是6
实际应用条件下Power+MOSFET开关特性研究
摘要：从功率MOSFET内部结构和极间电容的电压依赖关系出发，对功率MOSFET的开关现象及其原因进行了较<BR>深入分析。从实际应用的角度，对功率MOSFET开关过程的功率损耗和所需驱动功率进行了研究，提出了有关参数的计算<BR>方法，并对多种因素对开关特性的影响效果进行了实验研究，所得出的结论对于功率MOSFET的正确运用和设计合理的<BR>MoSFET驱动电路具有指导意义．