近年来，以电池作为电源的微电子产品得到广泛使用，因而迫切要求采用低电源电压的模拟电路来降低功耗。目前低电压、低功耗的模拟电路设计技术正成为微电子行业研究的热点之一。 在模拟集成电路中，运算放大器是最基本的电路，所以设计低电压、低功耗的运算放大器非常必要。在实现低电压、低功耗设计的过程中，必须考虑电路的主要性能指标。由于电源电压的降低会影响电路的性能，所以只实现低压、低功耗的目标而不实现优良的性能(如高速)是不大妥当的。 论文对国内外的低电压、低功耗模拟电路的设计方法做了广泛的调查研究，分析了这些方法的工作原理和各自的优缺点，在吸收这些成果的基础上设计了一个3.3 V低功耗、高速、轨对轨的CMOS/BiCMOS运算放大器。在设计输入级时，选择了两级直接共源一共栅输入级结构；为稳定运放输出共模电压，设计了共模负反馈电路，并进行了共模回路补偿；在偏置电路设计中，电流镜负载并不采用传统的标准共源-共栅结构，而是采用适合在低压工况下的低压、宽摆幅共源-共栅结构；为了提高效率，在设计时采用了推挽共源极放大器作为输出级，输出电压摆幅基本上达到了轨对轨；并采用带有调零电阻的密勒补偿技术对运放进行频率补偿。 采用标准的上华科技CSMC 0.6μpm CMOS工艺参数，对整个运放电路进行了设计，并通过了HSPICE软件进行了仿真。结果表明，当接有5 pF负载电容和20 kΩ负载电阻时，所设计的CMOS运放的静态功耗只有9.6 mW，时延为16.8ns，开环增益、单位增益带宽和相位裕度分别达到82.78 dB，52.8 MHz和76°，而所设计的BiCMOS运放的静态功耗达到10.2 mW，时延为12.7 ns，开环增益、单位增益带宽和相位裕度分别为83.3 dB、75 MHz以及63°，各项技术指标都达到了设计要求。
标签： CMOSBiCMOS 低压 低功耗
上传时间： 2013-06-29
上传用户：saharawalker
射频低噪声放大器的ADS设计:本文首先简要介绍了低噪声放大器设计的理论基础，并以2.1－2.4Ghz 低噪声放大器为例，详细阐述了如何利用Agilent 公司的ADS 软件进行分析和优化设计该电
上传时间： 2013-06-18
上传用户：han_zh
数字语音通信是当前信息产业中发展最快、普及面最广的业务。语音信号压缩编码是数字语音信号处理的一个方面，它和通信领域联系最为密切。在现有的语音编码中，美国联邦标准混合激励线性预测（MELP—Mixed Excited Linear Prediction）算法在2．4kb/s的码率下取得了较好的语音质量，具有广阔的应用前景。 FPGA作为一种快速、高效的硬件平台在数字信号处理和通信领域具有着独特的优势。现代大容量、高速度的FPGA一般都内嵌有可配置的高速RAM、PLL、LVDS、LVTTL以及硬件乘法累加器等DSP模块。用FPGA来实现数字信号处理可以很好地解决并行性和速度问题，而且其灵活的可配置特性，使得FPGA构成的DSP系统非常易于修改、测试及硬件升级。 本论文阐述了一种基于FPGA的混合激励线性预测声码器的研究与设计。首先介绍了语音编码研究的发展状况以及低速率语音编码研究的意义，接着在对MELP算法进行深入分析的基础上，提出了利用DSP Builder在Matlab中建模的思路及实现过程，最后本文把重点放在MELP声码器的编解码器设计上，利用DSP Builder、QuartusⅡ分别设计了其中的滤波器、分帧加窗处理、线性预测分析等关键模块。 在Simulink环境下运用SignalCompiler对编解码系统进行功能仿真，为了便于仿真，系统中没有设计的模块在Simulink中用数学模型代替，仿真结果表明，合成语音信号与原始信号很好的拟合，系统编解码后语音质量基本良好。
上传时间： 2013-06-02
上传用户：lili1990
详细讲解了低噪声放大器的设计
标签： 低噪声放大器
上传时间： 2013-11-05
上传用户：crazyer
基于低噪声放大器（LNA）的噪声系数和驻波比之间的矛盾，本文采用安捷伦公司的ATF54143晶体管计了一款工作于890~960 MHz平衡式低噪声放大器。该设计分为两部分：3 dB 90°相移定向耦合器和并联的低噪声放大器。本文中首先介绍LNA相关理论，然后通过安捷伦公司的ADS仿真软件进行电路仿真，仿真结果满足设计要求，达到了低噪声系数和良好地驻波比要求。此文也为后面电路的设计和调试提供了理论支持。
上传时间： 2013-11-02
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低噪声放大器是接收机中最重要的模块之一，文中采用了低噪声、较高关联增益、PHEMT技术设计的ATF-35176晶体管，设计了一种应用于5.5~6.5 GHz频段的低噪声放大器。为了获得较高的增益，该电路采用三级级联放大结构形式，并通过ADS软件对电路的增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计，最终得到LNA在该频段内增益大于32.8 dB，噪声小于1.5 dB，输入输出驻波比小于2，达到设计指标。
上传时间： 2013-11-15
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利用pHEMT工艺设计了一个2~4 GHz宽带微波单片低噪声放大器电路。本设计中采用了具有低噪声、较高关联增益、pHEMT技术设计的ATF-54143晶体管，电路采用二级级联放大的结构形式，利用微带电路实现输入输出和级间匹配，通过ADS软件提供的功能模块和优化环境对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数等特性进行了研究设计，最终使得该LNA在2~4 GHz波段内增益大于20 dB，噪声小于1.2 dB，输出电压驻波比小于2，达到了设计指标的要求。
上传时间： 2014-07-03
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本电路用于实现模拟MEMS麦克风与麦克风前置放大器的接口，如图1所示。ADMP504由一个MEMS麦克风元件和一个输出放大器组成。ADI公司的MEMS麦克风具有高信噪比(SNR)和平坦的宽带频率响应，堪称高性能、低功耗应用的绝佳选择。
上传时间： 2014-01-16
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介绍了基于AD549高精度快响应低漂移微电流放大器的工作原理、电路设计和制造工艺、词试技术，该微电流放大器是核反应堆反应性测量的关键部件之一，其低噪声、快响应与低漂移技术是精确测量反应性重要因数之一。
上传时间： 2013-10-25
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基于0．25gm PHEMT工艺，给出了两个高增益K 波段低噪声放大器．放大器设计中采用了三级级联增加栅宽的电路结构，通过前级源极反馈电感的恰当选取获得较高的增益和较低的噪声；采用直流偏置上加阻容网络，用来消除低频增益和振荡；三级电路通过电阻共用一组正负电源，使用方便，且电路性能较好，输入输出驻波比小于2．0；功率增益达24dB；噪声系数小于3．5dB．两个放大器都有较高的动态范围和较小的面积，放大器ldB压缩点输出功率大于15dBm；芯片尺寸为1mm×2mm×0．1mm．该放大器可以应用在24GHz汽车雷达前端和26．5GHz本地多点通信系统中．
上传时间： 2014-12-23
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