电阻电路：由线性时不变电阻、线性受控源、和独立源组成的电路称为时不变的线性电阻电路，简称为电阻电路。 等效：如果电路N1的端口伏安特性与电路N2的端口伏安特性完全相同，则称电路N1和N2是端口等效的;或称电路N1与N2互为等效电路。
上传时间： 2013-11-14
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同步整流技术简单介绍大家都知道，对于开关电源，在次级必然要有一个整流输出的过程。作为整流电路的主要元件，通常用的是整流二极管（利用它的单向导电特性），它可以理解为一种被动式器件：只要有足够的正向电压它就开通，而不需要另外的控制电路。但其导通压降较高，快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）可达1.0～1.2V，即使采用低压降的肖特基二极管（SBD），也会产生大约0.6V的压降。这个压降完全是做的无用功，并且整流二极管是一种固定压降的器件，举个例子：如有一个管子压降为0.7V，其整流为12V时它的前端要等效12.7V电压，损耗占0.7/12.7≈5.5%.而当其为3.3V整流时，损耗为0.7/4（3.3+0.7）≈17.5%。可见此类器件在低压大电流的工作环境下其损耗是何等地惊人。这就导致电源效率降低，损耗产生的热能导致整流管进而开关电源的温度上升、机箱温度上升--------有时系统运行不稳定、电脑硬件使用寿命急剧缩短都是拜这个高温所赐。随着电脑硬件技术的飞速发展，如GeForce 8800GTX显卡，其12V峰值电流为16.2A。所以必须制造能提供更大输出电流（如多核F1，四路12V，每路16A；3.3V和5V输出电流各高达24A）的电源转换器。而当前世界的能源紧张问题的凸现，为广大用户提供更高转换效率（如多核R80，完全符合80PLUS标准）的电源转换器就是我们整个开关电源行业的不可回避的社会责任了。如何解决这些问题？寻找更好的整流方式、整流器件。同步整流技术和通态电阻（几毫欧到十几毫欧）极低的专用功率MOSFET就是在这个时刻走上开关电源技术发展的历史舞台了！作为取代整流二极管以降低整流损耗的一种新器件，功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。因为用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。它可以理解为一种主动式器件，必须要在其控制极（栅极）有一定电压才能允许电流通过，这种复杂的控制要求得到的回报就是极小的电流损耗。在实际应用中，一般在通过20-30A电流时才有0.2-0.3V的压降损耗。因为其压降等于电流与通态电阻的乘积，故小电流时，其压降和恒定压降的肖特基不同，电流越小压降越低。这个特性对于改善轻载效率（20%）尤为有效。这在80PLUS产品上已成为一种基本的解决方案了。对于以上提到的两种整流方案，我们可以通过灌溉农田来理解：肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。我们的多核F1，多核R80，其3.3V整流电路采用了通态电阻仅为0.004欧的功率MOSFET，在通过24A峰值电流时压降仅为20*0.004=0.08V。如一般PC正常工作时的3.3V电流为10A，则其压降损耗仅为10*0.004=0.04V，损耗比例为0.04/4=1%，比之于传统肖特基加磁放大整流技术17.5%的损耗，其技术的进步已不仅仅是一个量的变化，而可以说是有了一个质的飞跃了。也可以说，我们为用户修建了一条严丝合缝的灌溉电脑配件的供电渠道。
标签： 同步整流
上传时间： 2013-10-27
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第一章 虚拟仪器及labview入门 １．１ 虚拟仪器概述 １．２ labview是什么？ １．３ labview的运行机制 １．３．１ labview应用程序的构成 １．３．２ labview的操作模板 １．４ labview的初步操作 １．４．１ 创建VI和调用子VI １．４．２ 程序调试技术 １．４．３ 子VI的建立 １．５ 图表（Chart）入门 第二章 程序结构 ２．１ 循环结构 ２．１．１ While 循环 ２．１．２ 移位寄存器 ２．１．３ For循环 ２．２ 分支结构：Case ２．３ 顺序结构和公式节点 ２．３．１ 顺序结构 ２．３．２ 公式节点 第三章 数据类型：数组、簇和波形（Waveform） ３．１ 数组和簇 ３．２ 数组的创建及自动索引 ３．２．１ 创建数组 ３．２．２ 数组控制对象、常数对象和显示对象 ３．２．３ 自动索引 ３．３ 数组功能函数 ３．４ 什么是多态化（Polymorphism）? ３．５ 簇 ３．５．１ 创建簇控制和显示 ３．５．２ 使用簇与子VI传递数据 ３．５．３ 用名称捆绑与分解簇 ３．５．４ 数组和簇的互换 ３．６ 波形（Waveform）类型 第四章 图形显示 ４．１ 概述 ４．２ Graph控件 ４．３ Chart的独有控件 ４．４ XY图形控件（XY Graph） ４．５ 强度图形控件（Intensity Graph） ４．６ 数字波形图控件（Digital Waveform Graph） ４．７ 3D图形显示控件（3D Graph） 第五章 字符串和文件I/ ５．１ 字符串 ５．２ 文件的输入/输出（I/O） ５．２．１ 文件 I/O 功能函数 ５．２．２ 将数据写入电子表格文 ５．３ 数据记录文件（datalog file） 第六章 数据采集 ６．１ 概述 ６．１．１ 采样定理与抗混叠滤波器 ６．１．２ 数据采集系统的构成 ６．１．３ 模入信号类型与连接方式 ６．１．４ 信号调理 ６．１．５ 数据采集问题的复杂程度评估 ６．２ 缓冲与触发 ６．２．１ 缓冲（Buffers） ６．２．２ 触发（Triggering） ６．３ 模拟I/O（Analog I/O） ６．３．１ 基本概念 ６．３．２ 简单 Analog I/O ６．３．３ 中级Analog I/O ６．４ 数字I/O（Digital I/O） ６．５ 采样注意事项 ６．５．１ 采样频率的选择 ６．５．２ ６．５．３ 多任务环境 ６．６ 附：PCI-MIO-16E-4数据采集卡简介 第七章 信号分析与处理 ７．１ 概述 ７．２ 信号的产生 ７．３ 标准频率 ７．４ 数字信号处理 ７．４．１ FFT变换 ７．４．２ 窗函数 ７．４．３ 频谱分析 ７．４．４ 数字滤波 ７．４．５ 曲线拟合 第八章 labview程序设计技巧 ８．１ 局部变量和全局变量 ８．２ 属性节点 ８．３ VI选项设置 第九章 测量专题 ９．１ 概述 ９．１．１ 模入信号类型与连接方式 ９．１．２ 信号调理 ９．２ 电压测量 ９．３ 频率测量 ９．４ 相位测量 ９．５ 功率测量 ９．６ 阻抗测量 ９．７ 示波器 ９．８ 波形记录与回放 ９．９ 元件伏安特性的自动测试 ９．１０ 扫频仪 ９．１１ 函数发生器 ９．１２ 实验数据处理 ９．１３ 频域分析 ９．１４ 时域分析 第十章 网络与通讯 第十一章 仪器控制
上传时间： 2013-11-06
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整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则电子爱好者经常要用二极管。二极管具有单向导电性， 主要用于整流、稳压和混频等电路中。本文介绍整流二极管和稳压二极管的参数及选择原则。(一)整流二极管的主要参数1.IF— 最大平均整流电流。指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流。该电流由PN 结的结面积和散热条件决定。使用时应注意通过二极管的平均电流不能大于此值， 并要满足散热条件。例如1N4000 系列二极管的IF 为1A。2.VR — 最大反向工作电压。指二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值， 则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏， 从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VB) 的一半作为(VR)。例如1N4001 的VR 为50V，1N4007 的VR 为1OOOV.3.IR— 反向电流。指二极管未击穿时反向电流值。温度对IR 的影响很大。例如1N4000 系列二极管在100°C 条件IR 应小于500uA; 在25°C 时IR 应小于5uA 。4.VR — 击穿电压。指二极管反向伏安特性曲线急剧弯曲点的电压值。反向为软特性时， 则指给定反向漏电流条件下的电压值。
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集成锁相环路 原理 特性 应用
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