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以上 相关的电子技术资料，包括技术文档、应用笔记、电路设计、代码示例等，共 6 篇文章，持续更新中。
C波段频率源设计及性能分析
<span style="color: rgb(0, 0, 0); font-family: 'Trebuchet MS', Arial; font-size: 11.818181991577148px; line-height: 21px;">采用锁相环技术设计了一种稳定、低噪声的C波段频率源。建立了锁相环的相位噪声模型并分析影响相位噪声的因素，进行了锁相环低通滤波器的设计。利用软件对环路的稳定
matlab_HDB3编码译码数字信号调制解调
HDB3码既要包含AMI的交替特性使输出无直流特性，又要不出现四个以上的连0
使用时钟PLL的源同步系统时序分析
使用时钟PLL的源同步系统时序分析<BR>一）回顾源同步时序计算<BR>Setup Margin = Min Clock Etch Delay – Max Data Etch Delay – Max Delay Skew – Setup Time<BR>Hold Margin = Min Data Etch Delay – Max Clock Etch Delay + Min Delay Skew
运算放大器中的虚断虚短应用
<P> 虚短和虚断的概念</P>
<P> 由于运放的电压放大倍数很大，一般通用型运算放大器的开环电压放大倍数都在80 dB以上。而运放的输出电压是有限的，一般在 10 V～14 V。因此运放的差模输入电压不足1 mV，两输入端近似等电位，相当于 “短路”。开环电压放大倍数越大，两输入端的电位越接近相等。</P>
<P> “虚短”是指在分析运算放大器处于线性状态时，可把两输入端视为等电位，这一
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计
<span id="LbZY">提出了一种具有深阱结构的RF LDMOS，该结构改善了表面电场分布，从而提高了器件的击穿电压。通过silvaco器件模拟软件对该结构进行验证，并对器件的掺杂浓度、阱宽、阱深、栅长进行优化，结果表明，在保证LDMOS器件参数不变的条件下，采用深阱工艺可使其击穿电压提升50%以上。<br />
<img alt="" src="http://dl.eeworm.com/
MOTION BUILDER 使用说明书Ver.2
<p>
MOTION BUILDER Ver.2 是用于监控 KV-H20/H20S/H40S/H20G 的参数设定以及当前动作状态的软件。 在 PC 上可以设定复杂的参数，并可以在显示画面上监控正在运行的 KV-H20/H20S/H40S/H20G。<br />
关于 MOTION BUILDER Ver.2 概要、功能与使用方法的详细说明。在安装之前，请仔细阅读本手册，并充分 理解。</p