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IGBT损耗计算和损耗模型研究
IGBT损耗计算和损耗模型研究：器件的损耗对系统设计尧器件参数及散热器的选择相当重要。损耗模型主要分为两大类院基于物理结构的IGBT损耗模型渊physics-based冤和基于数学方法的IGBT损耗模...
介质损耗
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MOSFET开关损耗分析
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET 开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计...