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IGBT损耗计算和损耗模型研究：器件的损耗对系统设计尧器件参数及散热器的选择相当重要。损耗模型主要分为两大类院基于物理结构的IGBT损耗模型渊physics-based冤和基于数学方法的IGBT损耗模
文章针对基板材料的介电常数与介电损耗的关系加以论述，并对它们与外部环境的关系做出相应的阐述，使得在PCB的制造中对各种基板材料进行合理正确的评估和使用。
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想要精准测量介质损耗因数？本项目基于DSPTMS320F2812设计高精度测量仪，解决传统方法精度不足与实时性差的问题，适用于电力设备检测与材料分析。
基于市场上对全自动、数字化以及优良抗干扰能力为典型特征的介质损耗测量仪的迫切需要，采用了45拖和55Hz两种预率的变频电源来避开工频干扰，用这两种频率下的介质损耗的平均值作为被测试品的介质损耗值，并给
本文根据涡流传感器的测量原理,分析了电损耗对涡流传感器测量精度的影响,基于实验研究和理论分析,讨论了克服电损耗对测量结果影响的方法。涡流传感器是利用通电线圈与目标金属之间的涡流互感效应进行位移
双管籍位正激变换器是一种常用的电路拓朴。本文详尽地分析了一种双管籍位正激变换器的无源无损耗缓冲电路的工作原理及工作过程，指出正确选择缓冲电路的参数的理论依据
为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET 开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计...